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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2023-12-08
09:50
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) 酸化環境に対する平面型グラフェン電子源の保護手法と電子放出特性に及ぼす影響
六川 蓮鷹尾祥典横浜国大)・長尾昌善村田博雅村上勝久産総研ED2023-48
平面型グラフェン電子源は,電圧印加のみで高効率な電子放出が可能であることから地球低軌道で使用される小型イオンスラスタの中... [more] ED2023-48
pp.39-42
ED 2023-12-08
11:15
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) キャピラリ・ニードルエミッタ構造を有するエレクトロスプレーイオン源の性能向上に向けた作製プロセスの最適化
郭 樹俊横浜国大)・長尾昌善村上勝久村田博雅産総研)・鷹尾祥典横浜国大ED2023-51
著者らは超小型衛星に搭載可能なエレクトロスプレーイオン源を研究している.これはイオン液体を推進剤とし,イオン放出によって... [more] ED2023-51
pp.49-52
ED 2022-12-08
12:30
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) 超高実装密度エレクトロスプレーイオン源のための二重エミッタ構造の試作
郭 樹俊横浜国大)・長尾昌善村上勝久村田博雅産総研)・鷹尾祥典横浜国大ED2022-49
著者らは,超小型衛星に搭載可能であるエレクトロスプレーイオン源の研究を行っている.これはプラズマからイオンを引き出すイオ... [more] ED2022-49
pp.1-3
ED 2022-12-08
12:55
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) 超小型衛星のための厚膜レジストSU-8を用いたエレクトロスプレーイオン源
新宮拓実横浜国大/産総研)・長尾昌善村上勝久村田博雅産総研)・鷹尾祥典横浜国大ED2022-50
著者らは以前に,超小型宇宙機用の高推力な推進機として,電界放出電子源の作製技術を利用した高実装密度エレクトロスプレーイオ... [more] ED2022-50
pp.4-7
ED 2021-12-09
14:45
ONLINE オンライン開催 地球低軌道応用に向けた平面型グラフェン電子源の耐酸素コーティング
松本直之横浜国大/産総研)・鷹尾祥典横浜国大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2021-45
平面型グラフェン電子源は,推進剤不要,低電圧駆動 (< 20 V),高電子電流密度 (1‒100 mA/cm2),高放出... [more] ED2021-45
pp.38-42
ED 2019-11-21
15:20
東京 機械振興会館 小型イオンエンジン用Graphene/SiO2/Si積層型mA級平面電子源の開発
古家 遼横浜国大/産総研)・村上勝久長尾昌善産総研)・鷹尾祥典横浜国大ED2019-64
Graphene/SiO2/Si積層型平面電子源(グラフェン電子源)は上部電極にグラフェンを用いることで,20–30%の... [more] ED2019-64
pp.21-24
ED 2019-11-21
16:35
東京 機械振興会館 エレクトロスプレースラスタの高密度エミッタアレイ作製とイオン引き出し実験
鈴木貫太横浜国大/産総研)・井上直樹横浜国大)・長尾昌善村上勝久産総研)・クンプアン ソマワン原 史朗産総研/ミニマルファブ推進機構)・鷹尾祥典横浜国大ED2019-67
超小型衛星に搭載するエレクトロスプレースラスタ(推進機)の開発を目的として,フィールドエミッタアレイの作製工程を応用する... [more] ED2019-67
pp.31-34
ED 2017-10-26
13:30
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 グラフェンを用いた低真空・低電圧で動作可能な高効率平面型電子放出デバイス
村上勝久産総研)・古家 遼横浜国大)・飯島拓也筑波大)・長尾昌善産総研)・根本善弘竹口雅樹物質・材料研究機構)・鷹尾祥典横浜国大)・山田洋一佐々木正洋筑波大ED2017-36
 [more] ED2017-36
pp.1-4
ED 2017-10-27
11:15
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 微小電子源の作製技術を利用した超小型エレクトロスプレースラスタの試作
村上勝久長尾昌善産総研)・井上直樹鷹尾祥典横浜国大)・クンプアン ソマワン原 史朗産総研/ミニマルファブ推進機構ED2017-47
 [more] ED2017-47
pp.47-50
SDM 2013-10-18
11:00
宮城 東北大学未来研 古典的分子動力学計算による物理的プラズマダメージ形成機構の検討 ~ Fin型MOSFETでの欠陥生成機構 ~
江利口浩二松田朝彦中久保義則鷹尾祥典斧 高一京大SDM2013-95
 [more] SDM2013-95
pp.37-40
SDM 2013-10-18
13:30
宮城 東北大学未来研 プラズマチャージングダメージがMOSFETのRandom Telegraph Noise特性に及ぼす影響
亀井政幸中久保義則鷹尾祥典・○江利口浩二斧 高一京大SDM2013-97
 [more] SDM2013-97
pp.47-50
SDM 2012-10-25
16:35
宮城 東北大学未来研 温度制御型フォトリフレクタンス分光法を用いたプラズマ誘起Si基板ダメージの定量化とそのプロファイル解析
松田朝彦中久保義則鷹尾祥典江利口浩二斧 高一京大
プラズマエッチング時のソースドレインエクステンション領域でのSi基板ダメージは,MOSFET劣化の要因として問題となって... [more]
SDM 2011-10-21
14:00
宮城 東北大学未来研 [招待講演]物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル
江利口浩二中久保義則松田朝彦鷹尾祥典斧 高一京大SDM2011-110
プロセスプラズマからのイオン衝撃による物理的プラズマダメージが,デバイス特性に及ぼす影響について詳細に考察した.イオンの... [more] SDM2011-110
pp.73-78
SDM 2011-10-21
14:50
宮城 東北大学未来研 電気的手法を用いた物理的Si基板ダメージのプラズマプロセス依存性の検討
中久保義則江利口浩二松田朝彦鷹尾祥典斧 高一京大SDM2011-111
プラズマプロセス中に形成される物理的Si基板ダメージを電流電圧特性及び電気容量特性により評価した。大気暴露による表面酸化... [more] SDM2011-111
pp.79-84
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