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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2019-06-21 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成 ○小林征登・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・田岡紀之・池田弥央・牧原克典・宮﨑誠一（名大）  SDM2019-27 |
金属薄膜へのゲルマニウム(Ge)の固溶・偏析を利用してGeの二次元結晶を作成することを目的として、Geと共晶反応を示すA... [more] | SDM2019-27 pp.11-15 |
| SDM | 2017-06-20 16:50 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成 ○伊藤公一・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2017-30 |
卓越した電子物性が理論予測されているSiやGeなどのIV族元素の二次元結晶を作成することを目指し、SiやGeと共晶反応を... [more] | SDM2017-30 pp.43-48 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-08 14:20 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | ［招待講演］Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 ○志村洋介（静岡大）・竹内和歌奈・坂下満男・黒澤昌志・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2016-5 OME2016-5 |
Si基板上への電子デバイスおよび光学デバイス集積に、Siプロセスへの親和性が高く、歪およびエネルギーバンドギャップの制御... [more] | SDM2016-5 OME2016-5 pp.23-26 |
| OME, SDM (共催) |
2015-04-30 10:00 |
沖縄 | 大濱信泉記念館多目的ホール | ［招待講演］高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ～ 直接遷移構造化を目指して ～ ○黒澤昌志・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-9 OME2015-9 |
光通信帯域（波長: 1.5 $mu$m）に合致する光学材料として，我々はシリコンスズ（SiSn）半導体に着目している．格... [more] | SDM2015-9 OME2015-9 pp.35-37 |
| SDM | 2014-06-19 10:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減 ○鈴木陽洋・朝羽俊介・横井 淳・黒澤昌志・加藤公彦・坂下満男・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2014-45 |
[more] | SDM2014-45 pp.11-16 |
| SDM | 2014-06-19 16:55 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 ～ 低融点Snの活用 ～ ○黒澤昌志（名大/学振）・田岡紀之（名大）・池上 浩（九大）・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2014-60 |
積層型 CMOS 回路や近赤外・中赤外光フォトディテクタの新規材料として,我々は IV 族多元半導体(GeSn, SiS... [more] | SDM2014-60 pp.91-95 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 18:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Multi-Layered SiGe-on-Insulator Structures by Rapid-Melting-Growth ○Yuki Tojo・Ryo Matsumura・Hiroyuki Yokoyama・Masashi Kurosawa・Kaoru Toko・Taizoh Sadoh・Masanobu Miyao（Kyushu Univ.） |
[more] | |
| SDM, OME (共催) |
2012-04-28 10:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 ～ Si偏析効果による大粒径化 ～ ○加藤立奨・黒澤昌志・横山裕之・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2012-13 OME2012-13 |
[more] | SDM2012-13 OME2012-13 pp.61-62 |
| SDM, OME (共催) |
2012-04-28 11:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 ～ 界面酸化膜厚依存性 ～ ○鈴木恒晴・パク ジョンヒョク・黒澤昌志・宮尾正信・佐道泰造（九大） SDM2012-16 OME2012-16 |
フレキシブルな高速薄膜トランジスタの実現には，高キャリヤ移動度を有する半導体(Ge)薄膜をプラスチィックなどの絶縁基板上... [more] | SDM2012-16 OME2012-16 pp.71-73 |
| SDM, OME (共催) |
2010-04-23 11:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム ○川畑直之（九大）・黒澤昌志（九大/学振）・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2010-4 OME2010-4 |
次世代高速薄膜トランジスタ及び高効率薄膜太陽電池の実現には，高移動度や高い光吸収係数を有する新半導体材料(SiGe)薄膜... [more] | SDM2010-4 OME2010-4 pp.13-17 |
| OME, SDM (共催) |
2009-04-24 16:15 |
佐賀 | 産総研九州センター大会議室 | アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長 ○黒澤昌志・川畑直之・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2009-5 OME2009-5 |
次世代の高速薄膜トランジスタや高効率薄膜太陽電池の実現には，高キャリア移動度や高吸収係数を有する半導体薄膜をガラス上に形... [more] | SDM2009-5 OME2009-5 pp.19-23 |
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