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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-06-21
11:40
愛知 名古屋大学 VBL3F 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成
小林征登大田晃生黒澤昌志洗平昌晃田岡紀之池田弥央牧原克典宮﨑誠一名大SDM2019-27
金属薄膜へのゲルマニウム(Ge)の固溶・偏析を利用してGeの二次元結晶を作成することを目的として、Geと共晶反応を示すA... [more] SDM2019-27
pp.11-15
SDM 2017-06-20
16:50
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成
伊藤公一大田晃生黒澤昌志洗平昌晃池田弥央牧原克典宮崎誠一名大SDM2017-30
卓越した電子物性が理論予測されているSiやGeなどのIV族元素の二次元結晶を作成することを目指し、SiやGeと共晶反応を... [more] SDM2017-30
pp.43-48
SDM, OME
(共催)
2016-04-08
14:20
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 [招待講演]Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価
志村洋介静岡大)・竹内和歌奈坂下満男黒澤昌志中塚 理財満鎭明名大SDM2016-5 OME2016-5
Si基板上への電子デバイスおよび光学デバイス集積に、Siプロセスへの親和性が高く、歪およびエネルギーバンドギャップの制御... [more] SDM2016-5 OME2016-5
pp.23-26
OME, SDM
(共催)
2015-04-30
10:00
沖縄 大濱信泉記念館多目的ホール [招待講演]高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ~ 直接遷移構造化を目指して ~
黒澤昌志竹内和歌奈坂下満男中塚 理財満鎭明名大SDM2015-9 OME2015-9
光通信帯域(波長: 1.5 $mu$m)に合致する光学材料として,我々はシリコンスズ(SiSn)半導体に着目している.格... [more] SDM2015-9 OME2015-9
pp.35-37
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