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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2010-12-16
14:10
宮城 東北大学 電気通信研究所 グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮
寺西豊志鈴木左文静野 薫浅田雅洋東工大)・杉山弘樹横山春喜NTTED2010-159
InP基板上のGaInAs/AlAs二重障壁の共鳴トンネルダイオードを用いたテラヘルツ発振器において,グレーデッドエミッ... [more] ED2010-159
pp.7-12
ED, SDM
(共催)
2010-06-30
16:10
東京 東工大 大岡山キャンパス Fundamental oscillations at ~900 GHz with low bias voltages in RTDs having spike-doped structures
Safumi SuzukiKiyohito SawadaAtsushi TeranishiMasahiro AsadaTokyo Inst. of Tech.)・Hiroki SugiyamaHaruki YokoyamaNTTED2010-61 SDM2010-62
 [more] ED2010-61 SDM2010-62
pp.47-48
ED 2009-11-30
09:00
大阪 大阪科学技術センター スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ(0.8-0.9THz)発振器
澤田清仁鈴木左文寺西豊志白石誠人浅田雅洋東工大)・杉山弘樹横山春喜NTTED2009-166
スパイクドーピングを入れることによって,動作電圧を低減した共鳴トンネルダイオードにおいて約900GHzの基本波発振が得ら... [more] ED2009-166
pp.37-40
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