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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
13:15
沖縄 沖縄県青年会館 Investigation and Optimization of the n-channel and p-channel L-shaped Tunneling Field-Effect Transistors
Sang Wan KimSeoul National Univ.)・Woo Young ChoiSogang Univ.)・Min-Chul SunHyun Woo KimByung-Gook ParkSeoul National Univ.
Tunneling field-effect transistors (TFETs) have been regarde... [more]
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
14:15
沖縄 沖縄県青年会館 Control Effect of New Optimized Structure of Planar Thin Floating Gate (FG) NAND Flash to Fringing Field
Do-Bin KimYoon KimSe Hwan ParkWandong KimJoo Yun SeoSeung-Hyun KimByung-Gook ParkSeoul National Univ.
As cell size of floating gate (FG) type NAND flash memory sh... [more]
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
10:15
沖縄 沖縄県青年会館 Novel Tunneling Field-Effect Transistor with Sigma-shape Embedded SiGe Sources and Recessed Channel
Min-Chul SunSNU and SEC)・○Sang Wan KimGaram KimHyun Woo KimHyungjin KimJong-Ho LeeHyungcheol ShinByung-Gook ParkSNU
A novel tunneling field-effect transistor (TFET) featuring t... [more]
ED, SDM
(共催)
2010-06-30
14:25
東京 東工大 大岡山キャンパス A New Cone-Type 1T DRAM Cell
Gil Sung LeeDoo-Hyun KimJang-Gn YunJung Hoon LeeYoon KimJong-Ho LeeHyungcheol ShinByung-Gook ParkSeoul National Univ.ED2010-55 SDM2010-56
 [more] ED2010-55 SDM2010-56
pp.23-25
ED, SDM
(共催)
2010-06-30
15:10
東京 東工大 大岡山キャンパス Threshold Voltage Roll-off Mechanisms in SONOS Flash Memory in Retention Mode Including Trapped Charge Redistribution Effect
Doo-Hyun KimGil Sung LeeSeongjae ChoJung Hoon LeeJang-Gn YunDong Hua LiYoon KimSe Hwan ParkWon Bo ShimWandong KimByung-Gook ParkSeoul National Univ.ED2010-58 SDM2010-59
 [more] ED2010-58 SDM2010-59
pp.37-40
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
15:35
東京 東工大 大岡山キャンパス Independent Gate Twin-bit SONOS Flash Memory with Split-gate Effect
Yoon KimJang-Gn YunJung Hoon LeeGil Sung LeeSe Hwan ParkJong-Ho LeeHyungcheol ShinByung-Gook ParkSeoul National Univ.ED2010-99 SDM2010-100
 [more] ED2010-99 SDM2010-100
pp.217-220
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
16:00
東京 東工大 大岡山キャンパス Characteristic of Dual-Gate Single Electron Transistor (DG-SET) with extended channel using shallow doping and sidewall patterning for suppressing MOS current
Joung-eob LeeKwon-Chil KangJung Han LeeKim Kyung WanByung-Gook ParkSeoul National Univ.ED2010-121 SDM2010-122
 [more] ED2010-121 SDM2010-122
pp.315-318
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
16:45
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Design and Simulation of Self-Aligned Vertical Island Single Electron Transistor (VI-SET) with Electrical Tunneling Barrier.
Joung-eob LeeKwon-Chil KangJung-Han LeeByung-Gook ParkSeoul National Univ.ED2009-65 SDM2009-60
 [more] ED2009-65 SDM2009-60
pp.67-70
SDM, ED
(共催)
2009-06-26
10:00
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Multi-level reading method by using PCI(Paierd Cell Interference) in vertical NAND flash memory.
Yoon KimSeongjae ChoJang-Gn YunIl Han ParkGil Sung LeeDoo-Hyun KimDong Hua LiSe Hwan ParkWandong KimWonbo ShimByung-Gook ParkSeoul National Univ.ED2009-96 SDM2009-91
 [more] ED2009-96 SDM2009-91
pp.197-200
SDM, ED
(共催)
2009-06-26
11:45
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Study on Dependence of Self-Boosting Channel Potential on Device Scale and Doping Concentration in 2-D and 3-D NAND-Type Flash Memory Device.
Seongjae ChoJung Hoon LeeYun KimJang-Gn YunHyungcheol ShinByung-Gook ParkSeoul National Univ.ED2009-101 SDM2009-96
 [more] ED2009-101 SDM2009-96
pp.219-222
SDM, ED
(共催)
2008-07-09
17:35
北海道 かでる2・7(札幌) Recessed Channel Dual Gate Single Electron Transistors (RCDG-SETs) for Room Temperature Operation
Sang Hyuk ParkSangwoo KangDong-Seup LeeJung Han LeeHong-Seon YangKwon-Chil KangJoung-Eob LeeJong Duk LeeByung-Gook ParkSeoul National Univ.ED2008-53 SDM2008-72
A Recessed-Channel Dual-Gate Single Electron Transistor (RCD... [more] ED2008-53 SDM2008-72
pp.73-76
SDM, ED
(共催)
2008-07-10
09:15
北海道 かでる2・7(札幌) Simulation of Retention Characteristics in Double-Gate Structure Multi-bit SONOS Flash Memories
Doo-Hyun KimIl Han ParkByung-Gook ParkSeoul National Univ.ED2008-55 SDM2008-74
This paper presents a detailed study of the retention charac... [more] ED2008-55 SDM2008-74
pp.81-84
SDM, ED
(共催)
2008-07-10
09:30
北海道 かでる2・7(札幌) 3-dimensional Terraced NAND(3D TNAND) Flash Memory
Yoon KimGil-Seong LeeJong Duk LeeHyungcheol ShinByung-Gook ParkSeoul National Univ.ED2008-56 SDM2008-75
We propose the 3-dimensional terraced NAND flash memory. It ... [more] ED2008-56 SDM2008-75
pp.85-88
SDM, ED
(共催)
2008-07-10
10:15
北海道 かでる2・7(札幌) Design of Vertical Nonvolatile Memory Device Considering Gate-Induced Barrier Lowering(GIBL)
Seongjae ChoIl Han ParkJung Hoon LeeGil Sung LeeJong Duk LeeHyungcheol ShinByung-Gook ParkSeoul National Univ.ED2008-58 SDM2008-77
Recently, various 3-D nonvolatile memory (NVM) devices have ... [more] ED2008-58 SDM2008-77
pp.95-99
SDM, ED
(共催)
2008-07-10
09:15
北海道 かでる2・7(札幌) Charge Injection Path of Bottom-Contact Organic Thin-Film Transistors
Yoo Chul KimKeum-Dong JungJong Duk LeeByung-Gook ParkSeoul National Univ.ED2008-63 SDM2008-82
To investigate the charge injection path on the source/drain... [more] ED2008-63 SDM2008-82
pp.125-128
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