| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ISEC | 2018-09-07 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | 「わかりやすい」構造をもつDDH仮定に基づいたCCA安全な公開鍵暗号方式の拡張 ○上田大輔・バグス サントソ（電通大）  ISEC2018-59 |
[more] | ISEC2018-59 pp.43-50 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 14:00 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］Si基板上GaNパワーデバイス ～ スイッチング及び高周波応用 ～ ○上田哲三・上本康裕・酒井啓之・田中 毅（パナソニック）・上田大助（京都工繊大） ED2016-96 MW2016-172 |
GaNトランジスタはスイッチング機器で使用される、いわゆるパワーデバイスとして、その実用化に向けての研究開発が積極的に行... [more] | ED2016-96 MW2016-172 pp.1-5 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-03 10:05 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | ［招待講演］マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路 ○永井秀一・根来 昇・福田健志・河井康史・上田哲三・田中 毅・大塚信之・上田大助（パナソニック） SDM2012-79 ICD2012-47 |
ゲート制御信号を5.8ＧＨｚの高周波信号に変調して非接触電力伝送を行った後に信号を復元するマイクロ波駆動技術を用い、絶縁... [more] | SDM2012-79 ICD2012-47 pp.89-92 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 10:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［基調講演］GaNパワーデバイスの最新技術 ○上田大助（パナソニック） |
[more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 08:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Integrated Design Platform for Power Electronics Applications with GaN Devices ○Kenji Mizutani・Hiroaki Ueno・Yuji Kudoh・Shuichi Nagai・Kaoru Inoue・Nobuyuki Otsuka・Tetsuzo Ueda・Tsuyoshi Tanaka・Daisuke Ueda（Panasonic） |
[more] | |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード ○柴田大輔・海原一裕・村田智洋・山田康博・森田竜夫・按田義治・石田昌宏・石田秀俊・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2011-137 MW2011-160 |
[more] | ED2011-137 MW2011-160 pp.101-105 |
| EE | 2011-11-18 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | 高効率の多入力DC-DCコンバータについて ○開田 健・末富正之・上田大輔・伊藤 翼（長崎大）・林 文忠（ミンジャン大）・松尾博文（長崎大） EE2011-26 |
本論文は, 多入力DC-DCコンバータの高効率化に関する論文である. 本論文では, トランスの巻線を介して誘起される循環... [more] | EE2011-26 pp.13-17 |
| EE | 2011-11-18 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | 高電圧直流給電システムのための高効率の高周波スイッチング絶縁回路 ○今道大介・末富正之・松本晋治・上田大輔・楊 忠叡・伊藤 翼（長崎大）・林 文忠（ミンジャン大）・松尾博文（長崎大） EE2011-29 |
近年，エネルギー消費の低減及び化石燃料を用いない太陽光発電，風力発電等のグリーンエネルギーを利用するために，高電圧直流給... [more] | EE2011-29 pp.31-35 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化 ○梅田英和・鈴木朝実良・按田義治・石田昌宏・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2010-184 MW2010-144 |
Si基板に空乏層を形成することで，同基板上GaNパワートランジスタの高耐圧化を実現する，いわゆる耐圧ブースト技術を開発し... [more] | ED2010-184 MW2010-144 pp.51-54 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-14 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード ○石田秀俊・柴田大輔・松尾尚慶・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2008-202 MW2008-167 |
GaNをはじめとする分極を有する窒化物系半導体材料により、高耐圧特性と低オン抵抗特性を両立できる新しい半導体接合を実現で... [more] | ED2008-202 MW2008-167 pp.23-27 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 15:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 | EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析 ○石堂輝樹・松尾尚慶・片山琢磨・上田哲三・井上 薫・上田大助（パナソニック） ED2008-181 CPM2008-130 LQE2008-125 |
GaN系トランジスタの低コスト化を実現するために、従来の高価なSiC基板に代わる大口径Si基板上の結晶成長が検討されてい... [more] | ED2008-181 CPM2008-130 LQE2008-125 pp.145-148 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 10:50 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | AlNパッシベーションを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・松尾尚慶（松下電器）・永井秀一・Ming Li（Panasonic Boston Lab）・鶴見直大・石田秀俊・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2008-73 SDM2008-92 |
[more] | ED2008-73 SDM2008-92 pp.177-181 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・上本康裕・柳原 学・石田秀俊（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・松尾尚慶（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.）・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2007-213 MW2007-144 |
我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗... [more] | ED2007-213 MW2007-144 pp.39-43 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-17 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ ○福田健志・根来 昇・宇治田信二・永井秀一・西嶋将明・酒井啓之・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2007-223 MW2007-154 |
26GHz帯超高帯域無線(UWB)を用いた車載用近距離レーダの無線部およびマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)の試... [more] | ED2007-223 MW2007-154 pp.93-97 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 13:00 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | ［招待講演］AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications ○Yasuhiro Uemoto・Masahiro Hikita・Hiroaki Ueno・Tomohiro Murata・Hisayoshi Matsuo・Hidetoshi Ishida・Manabu Yanagihara・Tetsuzo Ueda・Tsuyoshi Tanaka・Daisuke Ueda（Matsushita） |
従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化を両立させる為に、ホール注入による伝導度変調を用いた新しい原理... [more] | |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ ○上本康裕・引田正洋・上野弘明・松尾尚慶・石田秀俊・柳原 学・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） |
我々は今回、従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化の両立を実現する為に、ホール注入による伝導度変調を... [more] | ED2006-235 MW2006-188 pp.193-197 |
| LQE | 2006-12-08 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | 表面プラズモン共鳴を用いた偏波制御VCSELアレイ ○大西俊一・谷川達也・清水 順・上田哲三・上田大助（松下電器） |
[more] | LQE2006-106 pp.17-20 |
| MW, ED (共催) |
2005-11-17 13:35 |
佐賀 | 佐賀大学 | 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器 ○西嶋将明・村田智洋・廣瀬 裕・引田正洋・根来 昇・酒井啓之・上本康裕・井上 薫・田中 毅・上田大助（松下電器） |
サファイア基板上にAlGaN/GaN超格子(Superlattice:SL)構造を有するGaN HFET(ヘテロ構造FE... [more] | ED2005-165 MW2005-120 pp.39-43 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET ○引田正洋・柳原 学・中澤一志・上野弘明・廣瀬 裕・上田哲三・上本康裕・田中 毅・上田大助（松下電器）・江川孝志（名工大） |
AlGaN/GaN HFETをパワースイッチングデバイスに応用するためには、デバイスの低オン抵抗化と高耐圧化の両立、およ... [more] | ED2004-212 MW2004-219 pp.1-5 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET ○村田智洋・引田正洋・廣瀬 裕・井上 薫・上本康裕・田中 毅・上田大助（松下電器） |
[more] | ED2004-214 MW2004-221 pp.13-17 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]