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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2012-03-05 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ラマン分光法およびXPSによるSiO2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究 ○尾白佳大・小川修一（東北大）・犬飼 学（高輝度光科学研究センター）・佐藤元伸（産総研）・池永英司・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター）・二瓶瑞久（産総研）・高桑雄二（東北大）・横山直樹（産総研）  SDM2011-179 |
光電子制御プラズマCVDはグラファイト材料を低温成長 (～400 ℃) 、触媒無し、大面積で成長できる有力な手法である。... [more] | SDM2011-179 pp.19-24 |
| SDM | 2011-02-07 14:10 |
東京 | 機械振興会館 | 光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線 ○佐藤元伸（富士通/JST/産総研）・小川修一（東北大/JST）・池永英司（高輝度光科学研究センター/JST）・高桑雄二（東北大/JST）・二瓶瑞久（富士通/JST/産総研）・横山直樹（産総研） SDM2010-222 |
Cuに代わる新たなLSI配線材料として、多層グラフェンを検討している。多層グラフェンはCuより低い抵抗率、高い熱伝導率、... [more] | SDM2010-222 pp.37-42 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy ○Tomoyuki Suwa（Tohoku Univ.）・Takashi Aratani（Shin-Etsu Chemical）・Masaaki Higuchi（TOSHIBA）・Sigetoshi Sugawa（Tohoku Univ.）・Eiji Ikenaga（JASRI）・Jiro Ushio（Hitachi）・Hiroshi Nohira（Musashi Inst. of Tech.）・Akinobu Teramoto・Tadahiro Ohmi・Takeo Hattori（Tohoku Univ.） ED2009-86 SDM2009-81 |
[more] | ED2009-86 SDM2009-81 pp.157-160 |
| SDM | 2008-10-10 16:15 |
宮城 | 東北大学 | 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究 ○諏訪智之（東北大）・荒谷 崇（信越化学）・樋口正顕（東芝）・須川成利（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・牛尾二郎（日立）・野平博司（武蔵工大）・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大） SDM2008-167 |
研究は、Si(100)、Si(111)、Si(110)基板上にNHラジカルにより形成したシリコン窒化膜について、軟X線励... [more] | SDM2008-167 pp.69-74 |
| SDM | 2007-06-08 09:00 |
広島 | 広島大学（学士会館） | プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造 ○寺本章伸・荒谷 崇・樋口正顕（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・野平博司（武蔵工大）・須川成利・大見忠弘・服部健雄（東北大） SDM2007-39 |
マイクロ波励起Xe/NH3プラズマ中において、Siをプラズマ窒化することによりSi(100)、(111)、(110)上に... [more] | SDM2007-39 pp.43-48 |
| SDM | 2006-06-22 09:50 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性 ○樋口正顕（東北大）・品川誠治（武蔵工大）・寺本章伸（東北大）・野平博司（武蔵工大）・服部健雄（東北大/武蔵工大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・須川成利・大見忠弘（東北大） |
[more] | SDM2006-54 pp.71-76 |
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