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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| HCS | 2023-08-26 10:30 |
兵庫 | 関西学院大学 西宮上ヶ原キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
相互の目標達成を促進するためのマッチング方法の検証 ○大須賀 友・金 智源・福田聡子（日大）・森 結登・髙橋英昌（ARI）・大澤正彦（日大）  HCS2023-49 |
人々が協力することで効率良く，より大きな個々人の目標を達成することが理想的な協働だと考えられる．本研究では，目標管理手法... [more] | HCS2023-49 pp.35-40 |
| WPT (第二種研究会) |
2022-12-05 - 2022-12-06 |
京都 | 京都大学（宇治キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Field-Plate Length Dependence of 2.4-GHz Rectification Characteristics of Gated-Anode GaN HEMT Based Diode ○Gen Taguchi・Naoya Kishimoto・Youichi Tsuchiya・Debaleen Biswasa・Ma Qiang（Nagoya Inst. of Tech.）・Yuji Ando・Hidemasa Takahashi（Nagoya Univ）・Kenji Itoh・Naoki Sakai（Kanazawa Inst. of Tech）・Akio Wakejima（Nagoya Inst. of Tech.） |
We demonstrate field-plate (FP) length dependence of 2.4-GHz... [more] | |
| WPT, EE (併催) |
2020-10-07 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 | ノーマリオフGaN HEMTを用いたレクテナ用ゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性 ○高橋英匡・安藤裕二（名大）・土屋洋一・分島彰男（名工大）・林 宏暁・柳生栄治（三菱電機）・桔川洸一・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大）・須田 淳（名大） WPT2020-19 |
無線電力伝送用デバイスとして、ノーマリオフ型のGaN HEMTのゲート電極とオーミック電極を短絡したゲーテッドアノード型... [more] | WPT2020-19 pp.1-5 |
| IN, NS (併催) |
2011-03-04 13:00 |
沖縄 | 沖縄コンベンションセンター | HSSの固定IP網への適用に関する考察 ～ SIPサーバ移行工事の保守作業時間短縮に向けた検討 ～ ○高橋英雅・武居弘純・谷田康司・松本健一郎（NTT） NS2010-234 |
IPをベースとし、データ通信と音声通信を統合したネットワークである次世代ネットワーク（NGN：Next Generati... [more] | NS2010-234 pp.399-402 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-17 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | p+-GaAs ゲート適用HJFETを用いたBluetooth Class1向け1.8V動作PAIC ○播磨史生・尾藤康則・高橋英匡・岩田直高（NECエレクトロニクス） ED2007-221 MW2007-152 |
Bluetooth Class 1 向けに1.8 Vと低電圧で動作するPAICを開発した． p+-GaAs再成長ゲート構... [more] | ED2007-221 MW2007-152 pp.83-86 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | 携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ ○竹中 功・石倉幸治・高橋英匡・長谷川浩一・上田 隆・栗原俊道・麻埜和則・岩田直高（NECエレクトロニクス） |
携帯電話基地局向けに低歪ドハティ高出力増幅器を開発した。本増幅器は28V動作の150W GaAs ヘテロ接合FETにより... [more] | ED2006-227 MW2006-180 pp.149-154 |
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