| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-01-27 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Ge基板中の酸素がn-MOSFETsの接合リーク電流及び電子移動度に与える効果 ○李 忠賢・西村知紀・魯 辞莽・株柳翔一・鳥海 明（東大）  SDM2014-136 |
[more] | SDM2014-136 pp.5-8 |
| SDM | 2014-11-07 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Interface Engineering for High Mobility Ge MOSFETs: Surface Orientation and Scattering Mechanism ○ChoongHyun Lee・Tomonori Nishimura・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo） SDM2014-107 |
[more] | SDM2014-107 pp.65-70 |
| SDM | 2014-01-29 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］基板からみたGe n-MOSFETsにおける電子移動度の考察 ○李 忠賢・西村知紀・田畑俊行・魯 辞莽・張 文峰・長汐晃輔・鳥海 明（東大） SDM2013-136 |
本研究ではGe基板に由来するGe nMOSFETsにおける電子移動度の劣化機構について議論する． Ge nMOSFETs... [more] | SDM2013-136 pp.5-8 |
| US | 2012-08-28 15:40 |
海外 | 釜慶大学校(韓国、釜山) | SVM based Classification for Underwater Transient Signals in Ocean Background Noise ○Juho Kim・Tae-Hoon Bok・Jinho Bae・Dong-Guk Paeng・Chong Hyun Lee（Jeju National Univ.）・Seongil Kim（Agency for Defense Development） US2012-57 |
In this paper, new method for classification of underwater t... [more] | US2012-57 pp.115-120 |
| SDM | 2010-06-22 14:35 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | GeO2/Ge界面反応の理解に基づくGeO2膜物性の劣化現象の制御 ○喜多浩之（東大/JST）・王 盛凱・李 忠賢・吉田まほろ（東大）・西村知紀・長汐晃輔・鳥海 明（東大/JST） SDM2010-43 |
[more] | SDM2010-43 pp.55-60 |
| RCS, AN, MoNA, SR (併催) |
2010-03-04 09:20 |
神奈川 | YRP | 双方向MIMOマルチホップネットワークにおける最適ノード配置と電力制御 ○リンダラニリナ ラマモンジソン・イ ジョンヒョン・阪口 啓・荒木純道（東工大） RCS2009-285 |
近年, 高速レートのマルチホップネットワークを実現するための双方向MIMO中継技術が提案されている. また, 中継ノード... [more] | RCS2009-285 pp.155-160 |
| SDM | 2009-06-19 13:40 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上 ○今庄秀人・Hyun Lee・Dong-Hun Lee・吉岡祐一・金島 岳・奥山雅則（阪大） SDM2009-34 |
我々はGe表面へのF2処理により界面のダングリングボンドを終端することで電気的特性が改善されることを報告したが，ゲート絶... [more] | SDM2009-34 pp.45-50 |
| RCS, AN, MoNA, SR (併催) |
2009-03-04 10:35 |
神奈川 | YRP | 双方向MIMO中継ネットワークにおける電力制御 ○イ ジョンヒョン・タン ザカン・阪口 啓・荒木純道（東工大） AN2008-68 |
双方向MIMO中継ネットワークはマルチホップの無線リンクにより構成され, 単一チャネルで高効率な通信を実現する方式として... [more] | AN2008-68 pp.23-27 |
| SDM | 2008-12-05 16:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | F2表面処理したHfO2/Ge MIS構造の電気的特性評価 ○今庄秀人・Hyun Lee・吉岡祐一・金島 岳・奥山雅則（阪大） SDM2008-195 |
High-k/Ge MIS構造は次世代高移動度FETのゲート構造として注目されている．しかし、C-V特性，リーク電流など... [more] | SDM2008-195 pp.59-64 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]