お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2022年6月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 10件中 1~10件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2022-11-10
11:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく極薄膜nMOSFETチャネル材料と面方位の最適設計
隅田 圭姜 旼秀陳 家驄トープラサートポン カシディット竹中 充高木信一東大SDM2022-65
将来のCMOSチャネルには極薄膜(ETB)のナノシート構造が最も有望視されている. また別の応用として, 量子コンピュー... [more] SDM2022-65
pp.7-12
SDM 2022-01-31
15:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]表面ラフネス散乱の新モデルに基づく極薄膜nMOSFETの最適なチャネル材料と面方位の設計
隅田 圭陳 家驄トープラサートポン カシディット竹中 充高木信一東大SDM2021-71
極薄膜(ETB)ナノシートチャネルは, 優れたスケーラビリティを理由に将来のテクノロジーノードにおけるチャネル構造として... [more] SDM2021-71
pp.12-15
SDM 2021-11-11
13:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]極低消費電力メモリ・ロジック・AI応用に向けたHfZrO2系FeFETへの期待
高木信一トープラサートポン カシディット羅 璇名幸瑛心王 澤宇李 宗恩田原建人竹中 充中根了昌東大SDM2021-55
2011年に、HfO2系絶縁膜において強誘電性が発見されて以来、HfO2系薄膜をゲート絶縁膜に用いたFeFETは、極めて... [more] SDM2021-55
pp.13-18
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2021-08-18
10:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]ソースフォロワ読み出しおよびチャージシェアリングにより積和演算を行う電圧センス型FeFET CiM
松井千尋トープラサートポン カシディット高木信一竹内 健東大SDM2021-37 ICD2021-8
エネルギー効率が高く,高スループットでノイズに強いHZO FeFET Computation-in-Memory(CiM... [more] SDM2021-37 ICD2021-8
pp.38-41
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2021-08-18
11:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ~ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ~
トープラサートポン カシディット田原建人東大)・彦坂幸信中村 亘齋藤 仁富士通セミコンダクターメモリソリューション)・竹中 充高木信一東大SDM2021-38 ICD2021-9
本研究は、厚さ2.8~9.5 nmをもつHf0.5Zr0.5O2の強誘電体キャパシタの作製プロセス、強誘電特性、およびメ... [more] SDM2021-38 ICD2021-9
pp.42-47
SDM 2021-06-22
13:50
ONLINE オンライン開催 [記念講演]Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ~ MOS(MFS)界面で起こる現象 ~
トープラサートポン カシディット李 宗恩林 早阳田原建人渡辺耕坪竹中 充高木信一東大SDM2021-23
本講演はSi/HfO2系強誘電体FETのメモリ特性を決定するMFIS界面での現象について解説する。HfO2系強誘電体とS... [more] SDM2021-23
pp.7-12
SDM 2021-01-28
16:05
ONLINE オンライン開催 [招待講演]チャネル薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるInAs-On-Insulator nMOSFETのサブバンド制御
隅田 圭トープラサートポン カシディット竹中 充高木信一東大SDM2020-54
III-V nMOSFETの本質的な3つの課題である, 低半導体容量, 強い膜厚揺らぎ散乱, 多量の界面準位の問題を克服... [more] SDM2020-54
pp.21-24
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2020-08-06
10:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響
トープラサートポン カシディット林 早阳李 宗恩竹中 充高木信一東大SDM2020-2 ICD2020-2
強誘電体をMOSFETのゲート絶縁膜とした強誘電体FETは従来のMOSFETとは異なり,強誘電体/半導体界面における強誘... [more] SDM2020-2 ICD2020-2
pp.3-7
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2020-08-07
10:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]ニューロモルフィック応用に向けたHf0.5Zr0.5O2/Si FeFETを用いたリザバーコンピューティング
名幸瑛心トープラサートポン カシディット中根了昌王 澤宇宮武悠人竹中 充高木信一東大SDM2020-7 ICD2020-7
 [more] SDM2020-7 ICD2020-7
pp.31-36
LQE, OPE, OCS
(共催)
2016-10-27
17:00
宮崎 宮崎市民プラザ(宮崎) フラットバンド構造内に挿入された超格子におけるミニバンド形成過程とキャリア輸送評価
中村 翼松落高輝武田秀明宮崎大)・Kasidit Toprasertpong杉山正和中野義昭東大)・鈴木秀俊碇 哲雄福山敦彦宮崎大OCS2016-45 OPE2016-86 LQE2016-61
超格子のミニバンドを利用した量子井戸太陽電池や量子カスケードレーザーでは、ミニバンド内で再結合させずにキャリア輸送する必... [more] OCS2016-45 OPE2016-86 LQE2016-61
pp.61-64
 10件中 1~10件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会