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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
13:55
静岡 静岡大学(浜松) ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価
横井駿一古岡啓太久保俊晴江川孝志名工大ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84
SiO2はバンドギャップが約9 eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成す... [more] ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84
pp.37-40
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
09:00
愛知 名古屋工業大学 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
細見大樹古岡啓太陳 珩斉藤早紀久保俊晴江川孝志三好実人名工大ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95
新規AlGaNチャネルHFET構造として,バリア層に四元混晶AlGaInNを採用したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造... [more] ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95
pp.41-44
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
09:25
愛知 名古屋工業大学 ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果
古岡啓太久保俊晴三好実人江川孝志名工大ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96
AlGaN/GaN HEMT構造表面に界面準位等の電子捕獲準位の少ない絶縁膜を成膜することは難しく、ゲートリーク電流や閾... [more] ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96
pp.45-48
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