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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 14:55 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価 ○吉村遥翔・今林弘毅（福井大）・堀切文正・成田好伸・藤倉序章（住友化学）・太田 博・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大）  ED2023-18 CPM2023-60 LQE2023-58 |
界面顕微光応答法( Scanning Internal Photoemission Microscopy : SIPM ... [more] | ED2023-18 CPM2023-60 LQE2023-58 pp.21-24 |
| CPM | 2023-08-01 10:40 |
北海道 | 北見工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
金属／GaNショットキー電極評価の変遷 ○塩島謙次（福井大） CPM2023-21 |
本講演では著者が黎明期から携わってきた金属／GaNショットキー接触に関する実験結果を紹介し、結晶品質、プロセス技術、およ... [more] | CPM2023-21 pp.36-39 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 14:15 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
電圧印加界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の電界集中の可視化 ○今林弘毅（福井大）・堀切文正・成田好伸・福原 昇（住友化学）・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大） ED2022-33 CPM2022-58 LQE2022-66 |
[more] | ED2022-33 CPM2022-58 LQE2022-66 pp.45-48 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価 ○塩島謙次（福井大）・田中 亮・高島信也・上野勝典・江戸雅晴（富士電機） ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40 |
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて，n-GaNに電極を蒸着する前の表面処理に着目して、面内均一性、熱的安定性を評価した... [more] | ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40 pp.63-66 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面顕微光応答法によるSiC、GaN、α-Ga₂O₃ショットキー接触の面内均一性評価 ○川角優斗（福井大）・堀切文正・福原 昇（サイオクス）・三島友義（法政大）・四戸 孝（FLOSFIA）・塩島謙次（福井大） ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41 |
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて，Ni/SiC，Ni/GaN，Cu/Ti/α-Ga2O3ショットキー接触の電極面内に... [more] | ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41 pp.67-70 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 14:10 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面顕微光応答法を用いた光電気化学エッチングしたNi/GaNショットキー接触の2次元評価 ～ n形とp形の比較 ～ ○松田 陵（福井大）・堀切文正・成田好伸・吉田丈洋・福原 昇（サイオクス）・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大） ED2020-9 CPM2020-30 LQE2020-60 |
[more] | ED2020-9 CPM2020-30 LQE2020-60 pp.33-36 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 14:40 |
ONLINE | オンライン開催 | Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元特性 ○川角優斗・安井悠人（福井大）・柏木行康・玉井聡行（阪産技研）・塩島謙次（福井大） ED2020-10 CPM2020-31 LQE2020-61 |
界面顕微光応答法（SIPM）を用いて，Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元評価を行っ... [more] | ED2020-10 CPM2020-31 LQE2020-61 pp.37-40 |
| CPM | 2019-11-08 10:50 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス | ［招待講演］界面顕微光応答法による金属／半導体、半導体／半導体界面の2次元評価 ○塩島謙次（福井大） CPM2019-51 |
埋もれた金属／半導体界面を非破壊で2次評価できる界面顕微光応答法を開発し、ワイドバンドギャップ半導体のショットキー接触、... [more] | CPM2019-51 pp.35-38 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 14:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定 ○塩島謙次・前田昌嵩（福井大）・三島友義（法政大） ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90 |
GaN自立基板を用いた厚膜低キャリア濃度ショットキー電極に対して電圧を印加しながら界面顕微光応答測定(scanning ... [more] | ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90 pp.17-20 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 16:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価 ○塩島謙次・橋爪孝典（福井大）・堀切文正・田中丈士（サイオクス）・三島友義（法政大） ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68 |
GaN表面のモフォロジーがドリフト層の電気的特性に与える影響を界面顕微光応答法により評価した。MOCVD法により厚さ12... [more] | ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68 pp.27-32 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 16:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ～ 金属仕事関数依存性 ～ ○塩島謙次・今立宏美（福井大）・三島友義（法政大） ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69 |
GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に9種類の金属(Ag, Ti, Cr, W, Mo,... [more] | ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69 pp.33-38 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 16:15 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］金属／GaNショットキー接触の評価 ～ 黎明期からの振り返り ～ ○塩島謙次（福井大） ED2016-101 MW2016-177 |
本講演では我々の研究機関で得られた金属／GaNショットキー接触に関する知見を黎明期から振り返り、GaN電子デバイス開発の... [more] | ED2016-101 MW2016-177 pp.23-28 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 13:25 |
京都 | 京大桂キャンパス | 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価 ○塩島謙次・村瀬真悟・前田昌嵩（福井大）・三島友義（法政大） ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74 |
GaN自立基板上に形成した、Ni/n-GaNショットキー接触に電流値を制限した逆方向電圧ストレスを繰り返して印加し、劣化... [more] | ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74 pp.5-8 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 14:15 |
京都 | 京大桂キャンパス | 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ～ 表面処理の影響 ～ ○塩島謙次・永縄 萌（福井大）・三島友義（法政大） ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76 |
GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に（i）劈開のみ、（ii）H2O2による故意酸化、（... [more] | ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76 pp.15-20 |
| ED | 2015-07-24 13:15 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価 ○青木俊周（福井大）・谷川智之・片山竜二・松岡隆志（東北大）・塩島謙次（福井大） ED2015-36 |
N極性p-GaNショットキー接触の電気的特性を、電流‐電圧（I-V）、容量‐電圧（C-V）、光応答（PR）測定を用いて評... [more] | ED2015-36 pp.1-4 |
| ED | 2015-07-24 13:40 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | n-GaN自立基板の劈開面に形成したショットキーダイオードの評価 ○永縄 萌・青木俊周（福井大）・三島友義（法政大）・塩島謙次（福井大） ED2015-37 |
[more] | ED2015-37 pp.5-8 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 13:40 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の熱劣化過程の2次元評価 ○塩島謙次・山本晋吾・木原雄平（福井大） ED2014-91 CPM2014-148 LQE2014-119 |
金属/半導体界面の電気的特性を二次元評価できる界面顕微光応答法を開発し、Au /Ni / n-GaNショットキー接触の熱... [more] | ED2014-91 CPM2014-148 LQE2014-119 pp.85-90 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 14:45 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 ○塩島謙次・木原雄平・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属） ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106 |
GaN自立基板を用いた低濃度厚膜ショットキーダイオードを作製し、電気的特性を評価した結果を報告する。厚さ12μmの低Si... [more] | ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106 pp.35-38 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 15:10 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作 ○塩島謙次・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属） ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107 |
電圧掃引速度、掃引方向を変化させたI-V測定、及び交流測定を低Mgドープｐ－GaNショットキー接触に対して行った。I-V... [more] | ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107 pp.39-42 |
| ED | 2012-07-26 15:25 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響 ○高橋利文（福井大）・金田直樹・三島友義（日立電線）・野本一貴（ノートルダム大）・塩島謙次（福井大） ED2012-45 |
低Mgドープp-GaNショットキー接触を用いて、誘導結合プラズマ(ICP)エッチング損傷を評価した。ICPエッチングは、... [more] | ED2012-45 pp.21-24 |
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