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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, SDM
(共催)
2016-03-03
14:00
北海道 北海道大学百年記念会館 [招待講演]酸化物半導体を用いた薄膜デバイス応用の新展開
前元利彦孫 屹松田宗平佐々木翔太芦田浩平カルトシュタイン オリバー小山政俊小池一歩矢野満明佐々誠彦阪工大ED2015-121 SDM2015-128
酸化物半導体のデバイス応用として,フレキシブル酸化亜鉛(Zinc oxide; ZnO)薄膜トランジスタの開発と高性能化... [more] ED2015-121 SDM2015-128
pp.1-6
SANE 2015-10-30
13:00
大阪 大阪工業大うめきたナレッジセンター [特別講演]ワイドバンドギャップ半導体に対する放射線の影響
矢野満明阪工大SANE2015-43
宇宙には様々な放射線が存在し,通信衛星等に搭載された半導体デバイスの誤動作や特性劣化の原因となる.本講演では,宇宙におけ... [more] SANE2015-43
pp.13-14
ED 2015-08-04
11:30
東京 機械振興会館 MgCr2O4-TiO2系P型半導体セラミックスによる直熱型ガスセンサ
寺田二郎大松 繁佐々誠彦矢野満明阪工大ED2015-52
MgCr2O4-TiO2系P型半導体セラミックスのTiO2含有量を制御した2層構造の素子を用い,我々は熱的緩和と高感度化... [more] ED2015-52
pp.41-45
ED, MW
(共催)
2010-01-14
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]高性能ZnO系FETの開発 ~ デバイス応用と高周波特性 ~
佐々誠彦小池一歩前元利彦矢野満明井上正崇阪工大ED2009-184 MW2009-167
酸化亜鉛(ZnO)は低温成膜が可能なワイドギャップ半導体で、ガラス基板上にスパッタ法などで多結晶膜を形成し、トランジスタ... [more] ED2009-184 MW2009-167
pp.55-60
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