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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2014-02-28
10:10
東京 機械振興会館 [招待講演]先端Low-k配線技術における課題と指針
井上尚也ルネサス エレクトロニクスSDM2013-166
先端LSIの多層配線の開発トレンドを概観しながら、Low-k材料に注目したインテグレーションの課題とその解決策についてま... [more] SDM2013-166
pp.7-12
OFT 2013-01-25
09:00
徳島 アスティとくしま(徳島) 空孔径制御を用いた偏波保持フォトニック結晶ファイバ光減衰器の作製
横田浩久井上直哉小林脩人今井 洋茨城大OFT2012-62
空孔径制御により作製されたフォトニック結晶ファイバ光減衰器は,減衰量の波長依存性が小さく,耐パワー性に優れている.本稿で... [more] OFT2012-62
pp.51-54
IBISML 2012-11-07
15:30
東京 筑波大学 東京キャンパス文京校舎 Online Large-margin Weight Learning for First-order Logic-based Abduction
Naoya InoueKazeto YamamotoYotaro WatanabeNaoaki OkazakiKentaro InuiTohoku Univ.IBISML2012-54
Abduction is inference to the best explanation. Abduction ha... [more] IBISML2012-54
pp.143-150
SDM 2012-03-05
10:50
東京 機械振興会館 Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス
久米一平井上尚也肱岡健一郎川原 潤武田晃一古武直也白井浩樹風間賢也桑原愼一渡會雅敏佐甲 隆高橋寿史小倉 卓泰地稔二笠間佳子ルネサス エレクトロニクスSDM2011-177
従来のeDRAMでは、M1とトランジスタの間にシリンダ容量を配置するために、極めて高いコンタクトを設ける必要がある。LS... [more] SDM2011-177
pp.7-11
SDM 2012-03-05
11:20
東京 機械振興会館 InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化
金子貴昭井上尚也齋藤 忍古武直也砂村 潤川原 潤羽根正巳林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2011-178
本論文では、ワイドギャップ酸化物半導体InGaZnOを伝導チャネルに用いた、LSI多層配線中に高耐圧インターフェイスを低... [more] SDM2011-178
pp.13-17
SDM 2011-02-07
10:50
東京 機械振興会館 ロバストLow-k(k~2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証
井上尚也植木 誠山本博規久米一平川原 潤井口 学本田広一堀越賢剛林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2010-217
LSI配線における層間絶縁膜の誘電率 (k値) 低減が、遅延やタイミングマージンなどのLSI性能に及ぼす影響を、40nm... [more] SDM2010-217
pp.7-12
IBISML 2010-11-05
15:30
東京 東大生産研 [ポスター講演]標本点ごとにカーネルパラメータを学習するサポートベクターマシン
井之上直矢山下幸彦東工大IBISML2010-95
非対称カーネルSVM においては,内積の中の高次元ヒルベルト空間への2つの写像を異なるものにすることにより,未知パターン... [more] IBISML2010-95
pp.265-270
OFT 2010-10-25
15:05
埼玉 日本工業大学 CO2レーザ照射による空孔径制御を用いたフォトニック結晶ファイバ光減衰器の作製
横田浩久後田耕佑井上直哉今井 洋佐々木 豊茨城大OFT2010-34
CO_2レーザ光をフォトニック結晶ファイバ(PCF)に照射して加熱・溶融することで,PCFの空孔径を制御して,フォトニッ... [more] OFT2010-34
pp.29-32
SDM 2010-02-05
10:50
東京 機械振興会館 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線
林 喜宏田上政由古武直也井上尚也中沢絵美子有田幸司NECエレクトロニクスSDM2009-183
28nm世代以降の最先端LSIや車載用途などの高い信頼性が必要とされるLSIに向けて、多孔質絶縁膜に埋設されたCuダマシ... [more] SDM2009-183
pp.7-11
SDM 2010-02-05
15:45
東京 機械振興会館 低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出
上殿明良筑波大)・井上尚也林 喜宏江口和弘中村友二廣瀬幸範吉丸正樹半導体理工学研究センター)・大島永康大平俊行鈴木良一産総研SDM2009-190
陽電子消滅は結晶中の点欠陥やポーラス材料の空隙を非破壊で感度良く検出することができる手法である.陽電子が電子と対消滅する... [more] SDM2009-190
pp.49-52
EA 2006-03-13
11:00
東京 機械振興会館(東京) 統計モデルを用いた音源方向推定
井上直哉西野隆典伊藤克亘武田一哉名大
 [more] EA2005-108
pp.23-28
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