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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2023-01-27
13:40
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証
南條拓真品川友宏綿引達郎三浦成久古橋壮之西川和康三菱電機)・江川孝志名工大ED2022-93 MW2022-152
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor(HEMT)は,通信用の高周波高出... [more] ED2022-93 MW2022-152
pp.36-39
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
16:50
ONLINE オンライン開催 完全空乏したAlGaN/GaNエピタキシャル層を用いたプレーナ型EID-MOS-HEMTのノーマリオフ動作実証
南條拓真今澤貴史清井 明林田哲郎綿引達郎三浦成久三菱電機ED2021-36 CPM2021-70 LQE2021-48
 [more] ED2021-36 CPM2021-70 LQE2021-48
pp.95-98
ED 2016-01-20
10:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現
濱田憲治日野史郎三浦成久渡邊 寛中田修平末川英介海老池勇史今泉昌之梅嵜 勲山川 聡三菱電機ED2015-113
既存の鉄道車両向けモジュールのさらなる効率化を図るため,次世代パワー半導体材料であるSiCを用いた3.3 kV耐圧のMO... [more] ED2015-113
pp.7-12
SDM 2015-06-19
10:50
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討
野口宗隆岩松俊明三浦成久中田修平山川 聡三菱電機SDM2015-41
SiC には異なるバンドギャップを持つ、様々なポリタイプが存在し、異種ポリタイプ接合を用いたSiCデバイスの可能性が考え... [more] SDM2015-41
pp.17-20
SDM 2011-07-04
09:40
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Al2O3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価
山田泰之石黒暁夫東工大)・日野史郎三浦成久今泉昌之炭谷博昭三菱電機)・徳光永輔東工大SDM2011-52
 [more] SDM2011-52
pp.11-15
SDM 2006-06-21
13:00
広島 広島大学, 学士会館 MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価
日野史郎畑山智裕徳光永輔東工大)・三浦成久大森達夫三菱電機
SiC-パワーMOSFETの実用化には絶縁膜/SiC界面の特性を改善する必要がある。本研究では通常の熱酸化法でSiO2/... [more] SDM2006-42
pp.1-5
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