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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EMD | 2013-11-17 09:40 |
海外 | 華中科技大学（中国・武漢） | Time Variation of Contact Resistance after Contact of Silver Electrical Contacts ○Satoshi Ishikura・Junya Sekikawa（Shizuoka Univ.）  EMD2013-105 |
[more] | EMD2013-105 pp.123-126 |
| EMCJ, EMD (共催) |
2013-07-12 11:25 |
東京 | 機械振興会館 | 銀接点対を接触させたときの接触抵抗の時間変化 ○石倉智史・関川純哉（静岡大） EMCJ2013-41 EMD2013-26 |
円筒形状のAg接点対の端面同士を接触させ，接触抵抗－時間特性について述べる．接点対を1Nで接触させ，600秒の間に接触抵... [more] | EMCJ2013-41 EMD2013-26 pp.13-17 |
| EMD | 2012-11-30 16:05 |
千葉 | 千葉工業大学 | Experimental Equipment for Measurement of Dependence of Contact Resistance on Contact Force ○Satoshi Ishikura・Junya Sekikawa（Shizuoka Univ.） EMD2012-74 |
[more] | EMD2012-74 pp.59-63 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM ○薮内 誠・新居浩二・塚本康正・大林茂樹・今岡 進（ルネサステクノロジ）・山上由展・石倉 聡・寺野登志夫・里見勝治・赤松寛範（松下電器）・篠原尋文（ルネサステクノロジ） SDM2008-131 ICD2008-41 |
微細化によるランダムばらつき増大によって、SRAMの動作マージンが減少している。これを改善するために、抵抗型リードアシス... [more] | SDM2008-131 ICD2008-41 pp.17-22 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 16:05 |
北海道 | 北見工業大学 | 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM ○石倉 聡・車田総希・寺野登志夫・山上由展・粉谷直樹・里見勝治（松下電器）・新居浩二・薮内 誠・塚本康正・大林茂樹・大芦敏行・牧野博之・篠原尋史（ルネサステクノロジ）・赤松寛範（松下電器） SDM2007-168 ICD2007-96 |
45nm世代のシステムLSIをターゲットとしたシングルビット線の８Ｔ型メモリセルを用いた新規２ポートSRAMを提案する。... [more] | SDM2007-168 ICD2007-96 pp.145-148 |
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