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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-06-19 15:50 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process ○Keisuke Kado・Mutsunori Uenuma・Kyouhei Nabesaka・Kriti Sharma・Haruka Yamazaki・Satoshi Urakawa・Mami Fujii・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka（NAIST）  SDM2015-52 |
酸化物薄膜トランジスタ (TFT) は低オフリークで高性能であるため，ディスプレイの駆動チャネル材料として有望であり，同... [more] | SDM2015-52 pp.75-80 |
| SDM | 2013-12-13 09:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析 ○木瀬香保利（奈良先端大）・苫井重和（出光興産）・上岡義弘・山崎はるか・浦川 哲（奈良先端大）・矢野公規（出光興産）・Dapeng Wang・古田 守（高知工科大）・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） SDM2013-116 |
近年，a-InGaZnOに代表される高移動度の透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)が報告され，薄膜トランジスタのチャ... [more] | SDM2013-116 pp.1-5 |
| SDM | 2012-12-07 13:30 |
京都 | 京都大学(桂) | デバイスシミュレーションによるアモルファス酸化物半導体における劣化現象の理論的解析 ○浦川 哲・上岡義弘・山崎はるか・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） SDM2012-125 |
透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)はa-Siに代わる次世代材料として，薄膜トランジスタなど次世代情報端末への応用が... [more] | SDM2012-125 pp.59-64 |
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