お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 6件中 1~6件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2012-01-12
15:10
東京 機械振興会館 L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性
菊池 憲八巻史一井上和孝住友電工)・西 眞弘生松 均宇井範彦蛯原 要新田 敦住友電工デバイス・イノベーション)・佐野征吾住友電工ED2011-138 MW2011-161
L/S帯GaN HEMTの耐久性および信頼性を評価した.耐久性に関しては,チャネル温度200℃での動作において十分広い安... [more] ED2011-138 MW2011-161
pp.107-110
ED, MW
(共催)
2012-01-12
16:25
東京 機械振興会館 X帯200W AlGaN/GaN HEMTの開発
西原 信山本高史住友電工デバイス・イノベーション)・水野慎也佐野征吾住友電工)・長谷川裕一住友電工デバイス・イノベーションED2011-141 MW2011-164
X帯高出力アプリケーション用に200W GaN HEMTデバイスを開発した。そのデバイスはゲート長0.4um、ゲート幅1... [more] ED2011-141 MW2011-164
pp.121-123
MW 2008-08-29
15:00
大阪 大阪大学(豊中) S帯,1kW高効率AlGaN/GaN HEMTパレットアンプ
青嶋 真三谷英三佐野征吾ユーディナデバイスMW2008-100
我々はAlGaN/GaN HEMTを用いS帯ハイパワー パレットアンプを開発した。開発したパレットアンプは、パルス幅20... [more] MW2008-100
pp.119-122
ED, MW
(共催)
2008-01-16
14:25
東京 機械振興会館 W-CDMA、WiMAX基地局用GaN HEMTドハティパワーアンプ
佐野博昭宇井範彦佐野征吾ユーディナED2007-209 MW2007-140
ドレイン電源電圧50VのGaN HEMTを用いた無線通信基地局用ドハティパワーアンプを2種類開発した。始めに飽和出力57... [more] ED2007-209 MW2007-140
pp.17-22
ED, MW
(共催)
2008-01-16
15:25
東京 機械振興会館 10GHz 87W AlGaN/GaN HEMTの開発
西原 信山本高史井上和孝西 眞弘佐野征吾ユーディナデバイスED2007-211 MW2007-142
X帯高出力アプリケーション用にAlGaN/GaN HEMTデバイスを開発した。既に製品化されたL/S帯AlGaN/GaN... [more] ED2007-211 MW2007-142
pp.29-31
MW, ED
(共催)
2005-01-18
14:50
東京 機械振興会館 C帯,高利得5.5GHz, 26V動作 25W GaAs FET
前川 新山本高史井上和孝五十嵐 勉佐野征吾高瀬信太郎ユーディナデバイス
 [more] ED2004-222 MW2004-229
pp.59-63
 6件中 1~6件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会