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電子材料研究会 (IEE-EFM)
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電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
家電・民生技術委員会 (IEE-HCA)
産業電力電気応用研究会(解散) (IEE-IEA)
次世代産業システム (IEE-IIS)
情報システム研究会 (IEE-IS)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
SDM
2019-06-21
11:20
愛知
名古屋大学 VBL3F
高濃度in-situ Sbドーピングおよびニッケル錫ゲルマニウム合金化によるn型Ge1-xSnxの超低抵抗コンタクト
○
全 智禧
・
鈴木陽洋
・
柴山茂久
・
財満鎭明
・
中塚 理
(
名大
)
SDM2019-26
Ge1−xSnx is a promising channel material for CMOS transistor...
[more]
SDM2019-26
pp.5-9
SDM
2019-06-21
12:00
愛知
名古屋大学 VBL3F
イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について
○
祖父江秀隆
・
福田雅大
・
柴山茂久
(
名大
)・
財満鎭明
(
名城大
)・
中塚 理
(
名大
)
SDM2019-28
[more]
SDM2019-28
pp.17-20
SDM
2018-06-25
15:35
愛知
名古屋大学 VBL3F
酸素ラジカル照射によるAl2O3/SiC MOS界面の改質効果
○
土井拓馬
(
名大
)・
竹内和歌奈
(
愛知工大
)・
坂下満男
(
名大
)・
田岡紀之
(
産総研
)・
中塚 理
・
財満鎭明
(
名大
)
SDM2018-23
SiCを用いたパワーMOSFETの省電力化には、絶縁膜/SiC界面の界面準位密度の低減が必須である。本研究では、現在主流...
[more]
SDM2018-23
pp.33-36
SDM
2017-06-20
16:30
東京
キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB)
Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価
○
金田裕一
・
池 進一
・
兼松正行
・
坂下満男
・
竹内和歌奈
・
中塚 理
・
財満鎭明
(
名大
)
SDM2017-29
Ge1-xSnxチャネルデバイスの実現には絶縁膜/Ge1-xSnx界面およびGe1-xSnx層中の欠陥制御が必要不可欠で...
[more]
SDM2017-29
pp.39-42
SDM
2017-02-06
11:15
東京
東京大学/本郷
[招待講演]低温プロセスに向けたマイクロ波加熱処理によるNiGe/Ge接合の形成
○
中塚 理
(
名大
)・
渡部佳優
(
東京エレクトロン
)・
鈴木陽洋
(
名大
)・
西 義雄
(
Stanford大
)・
財満鎭明
(
名大
)
SDM2016-141
[more]
SDM2016-141
pp.11-15
SDM
2016-06-29
13:50
東京
キャンパス・イノベーションセンター東京
Ge基板上エピタキシャルGeSn膜の電気的活性な欠陥の評価
○
金田裕一
・
兼松正行
・
坂下満男
・
竹内和歌奈
・
中塚 理
・
財満鎭明
(
名大
)
SDM2016-39
[more]
SDM2016-39
pp.37-41
SDM
,
OME
(共催)
2016-04-08
14:20
沖縄
沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室
[招待講演]Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価
○
志村洋介
(
静岡大
)・
竹内和歌奈
・
坂下満男
・
黒澤昌志
・
中塚 理
・
財満鎭明
(
名大
)
SDM2016-5 OME2016-5
Si基板上への電子デバイスおよび光学デバイス集積に、Siプロセスへの親和性が高く、歪およびエネルギーバンドギャップの制御...
[more]
SDM2016-5
OME2016-5
pp.23-26
SDM
2015-06-19
11:30
愛知
名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
[依頼講演]SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響
○
竹内和歌奈
(
名大
)・
山本建策
(
デンソー
)・
坂下満男
(
名大
)・
金村髙司
(
デンソー
)・
中塚 理
・
財満鎭明
(
名大
)
SDM2015-43
SiO2/4H-SiC界面特性に対するNOガス雰囲気熱処理の効果を調べた。NOガス雰囲気熱処理MOSキャパシタ試料の電気...
[more]
SDM2015-43
pp.27-30
SDM
2015-06-19
14:35
愛知
名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御
○
鈴木陽洋
・
柴山茂久
・
坂下満男
・
竹内和歌奈
・
中塚 理
・
財満鎭明
(
名大
)
SDM2015-49
GeチャネルCMOSの実現に向けて、金属/Geコンタクト抵抗の低減は必要不可欠である。しかしながら、金属/n-Ge界面の...
[more]
SDM2015-49
pp.57-61
SDM
2015-06-19
14:55
愛知
名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果
○
浅野孝典
・
柴山茂久
・
竹内和歌奈
・
坂下満男
・
中塚 理
・
財満鎭明
(
名大
)
SDM2015-50
Ge1-xSnx半導体のキャリア密度の制御のためには、禁制帯中にacceptor-likeな準位を形成する欠陥の理解と制...
[more]
SDM2015-50
pp.63-68
OME
,
SDM
(共催)
2015-04-30
10:00
沖縄
大濱信泉記念館多目的ホール
[招待講演]高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 ~ 直接遷移構造化を目指して ~
○
黒澤昌志
・
竹内和歌奈
・
坂下満男
・
中塚 理
・
財満鎭明
(
名大
)
SDM2015-9 OME2015-9
光通信帯域(波長: 1.5 $mu$m)に合致する光学材料として,我々はシリコンスズ(SiSn)半導体に着目している.格...
[more]
SDM2015-9
OME2015-9
pp.35-37
SDM
2015-03-02
11:35
東京
機械振興会館
[招待講演]エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御
○
中塚 理
・
鄧 云生
・
鈴木陽洋
・
坂下満男
・
田岡紀之
・
財満鎭明
(
名大
)
SDM2014-165
省電力・高速Geデバイスの実現には、金属/Ge接合のコンタクト抵抗低減に向けた界面電子物性の制御が必要不可欠である。本研...
[more]
SDM2014-165
pp.17-22
SDM
2014-06-19
10:10
愛知
名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減
○
鈴木陽洋
・
朝羽俊介
・
横井 淳
・
黒澤昌志
・
加藤公彦
・
坂下満男
・
田岡紀之
・
中塚 理
・
財満鎭明
(
名大
)
SDM2014-45
[more]
SDM2014-45
pp.11-16
SDM
2014-06-19
11:05
愛知
名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
Ge1-xSnxエピタキシャル成長における積層欠陥構造の制御
○
浅野孝典
(
名大
)・
田岡紀之
(
IHP Microelectronics
)・
中塚 理
・
財満鎭明
(
名大
)
SDM2014-47
立体ゲート構造を有するGe MOS型トランジスタに向けて、Ge(110)表面を有するGeまたはGe1-xSnx薄膜が注目...
[more]
SDM2014-47
pp.21-25
SDM
2014-06-19
16:55
愛知
名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
[依頼講演]絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 ~ 低融点Snの活用 ~
○
黒澤昌志
(
名大/学振
)・
田岡紀之
(
名大
)・
池上 浩
(
九大
)・
竹内和歌奈
・
坂下満男
・
中塚 理
・
財満鎭明
(
名大
)
SDM2014-60
積層型 CMOS 回路や近赤外・中赤外光フォトディテクタの新規材料として,我々は IV 族多元半導体(GeSn, SiS...
[more]
SDM2014-60
pp.91-95
CPM
,
ED
,
SDM
(共催)
2014-05-29
14:20
愛知
名古屋大学VBL3階
n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用
○
竹内和歌奈
・
田岡紀之
・
坂下満男
・
中塚 理
・
財満鎭明
(
名大
)
ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39
Ge結晶に導入されたSnが、空孔欠陥やドーパントとの複合欠陥等の格子欠陥に与える効果についてDeep-Level Tra...
[more]
ED2014-41
CPM2014-24
SDM2014-39
pp.113-118
SDM
2013-06-18
09:00
東京
機械振興会館
酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御
○
加藤公彦
・
坂下満男
・
竹内和歌奈
・
田岡紀之
・
中塚 理
・
財満鎭明
(
名大
)
SDM2013-44
Higher-kゲート絶縁膜として着目される六方晶Pr酸化膜の実現に向け,Pr酸化膜形成時のH2O分圧(PH2O)やPr...
[more]
SDM2013-44
pp.1-6
SDM
2013-06-18
09:20
東京
機械振興会館
テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成
○
吉田鉄兵
・
加藤公彦
・
柴山茂久
・
坂下満男
・
田岡紀之
・
竹内和歌奈
・
中塚 理
・
財満鎭明
(
名大
)
SDM2013-45
高い駆動力を持つ立体GeチャネルMOSFETの実現には,良好な界面特性を持つhigh-kゲート絶縁膜/Ge構造の形成,お...
[more]
SDM2013-45
pp.7-11
SDM
2013-06-18
09:40
東京
機械振興会館
Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響
○
柴山茂久
・
加藤公彦
・
坂下満男
・
竹内和歌奈
・
田岡紀之
・
中塚 理
・
財満鎭明
(
名大
)
SDM2013-46
現在,Al2O3/Ge構造に対するプラズマ酸化で,極薄GeOx界面層の形成により,低界面準位密度(Dit)が実現可能と報...
[more]
SDM2013-46
pp.13-18
SDM
,
ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-28
10:00
沖縄
沖縄県青年会館
Effects of Light and Air Exposures on Electrical Properties of GeO2/Ge and Al2O3/Ge Gate Stack Structures
○
Kusumandari
・
Wakana Takeuchi
・
Kimihiko Kato
・
Shigehisa Shibayama
・
Mitsuo Sakashita
・
Noriyuki Taoka
・
Osamu Nakatsuka
・
Shigeaki Zaima
(
Nagoya Univ.
)
Low temperature processes such as plasma process are require...
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