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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-07 14:10 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | 0-1二次計画法によるプロセスばらつきを考慮したモデルベースマスク補正手法 ○東 梨奈・小平行秀（会津大）・松井知己・高橋篤司（東工大）・児玉親亮・野嶋茂樹（東芝メモリ）  VLD2018-70 DC2018-56 |
半導体製造における回路パターンの限界寸法の縮小のため，光リソグラフィによる半導体加工技術の進歩が求められている．光リソグ... [more] | VLD2018-70 DC2018-56 pp.209-214 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-29 10:30 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | ディープラーニングを用いたリソグラフィシミュレーションモデルの高精度化 ○渡辺友希・松縄哲明・木村泰己・野嶋茂樹（東芝） VLD2016-56 DC2016-50 |
微細な半導体パターンを製造するにあたり，リソグラフィシミュレーションは必要不可欠な技術となっている．高精度なシミュレーシ... [more] | VLD2016-56 DC2016-50 pp.73-78 |
| VLD, IPSJ-SLDM (連催) |
2014-05-29 11:30 |
福岡 | 北九州国際会議場 11会議室 | 半正定値緩和法を用いたLELECUTトリプルパターニングのためのレイアウト分割手法 ○小平行秀（会津大）・松井知己（東工大）・横山陽子・児玉親亮（東芝）・高橋篤司（東工大）・野嶋茂樹・田中 聡（東芝） VLD2014-6 |
次世代リソグラフィ技術として，2つのマスクをパタン形成のために，3つ目のマスクを形成したパタンを削除するためのカットとし... [more] | VLD2014-6 pp.27-32 |
| VLD | 2014-03-04 14:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 超微細化を実現する側壁ダブル・クアドラプルパターニングのための3色グリッド配線手法 ○児玉親亮（東芝）・市川裕隆（東芝マイクロエレクトロニクス）・中嶌史晴・中山幸一・野嶋茂樹・小谷敏也（東芝） VLD2013-151 |
光リソグラフィの延命技術とよばれ，次世代リソグラフィ技術の実用化までの「つなぎ」のような存在であったダブルパターニング技... [more] | VLD2013-151 pp.99-104 |
| VLD | 2014-03-04 15:05 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | クラスタリングによる高速なリソグラフィ照明形状最適化 ○多和田雅師・柳澤政生・戸川 望（早大）・橋本隆希・坂主圭史・野嶋茂樹・小谷敏也（東芝） VLD2013-152 |
リソグラフィでは光をフォトマスクに通してウェハ上にパターンを生成する． 近年の微細化により生成されるパターンはフォトマ... [more] |
VLD2013-152 pp.105-110 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2011-11-29 13:00 |
宮崎 | ニューウェルシティ宮崎 | 超微細化を実現する側壁ダブルパターニングのためのレイアウト設計手法 ○児玉親亮・中山幸一・小谷敏也・野嶋茂樹・三本木省次・宮本晋示（東芝） VLD2011-76 DC2011-52 |
光リソグラフィの限界を超えたパターンを露光するために近年様々な技術が提案されており，その代表的なものにダブルパターニング... [more] | VLD2011-76 DC2011-52 pp.141-146 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2011-11-29 17:00 |
宮崎 | ニューウェルシティ宮崎 | ［基調講演］リソグラフィの歴史と今後の展望 ○野嶋茂樹（東芝） VLD2011-81 CPM2011-161 ICD2011-93 CPSY2011-48 DC2011-57 RECONF2011-49 |
リソグラフィ技術は，半導体を微細化するために大きな役割を担ってきた技術の一つである．例えばリソグラフィ工程で用いられる露... [more] | VLD2011-81 CPM2011-161 ICD2011-93 CPSY2011-48 DC2011-57 RECONF2011-49 p.171(VLD), p.65(CPM), p.65(ICD), p.33(CPSY), p.171(DC), p.45(RECONF) |
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