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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME, SDM (共催) |
2024-04-20 16:50 |
鹿児島 | 奄美市アマホームプラザ | ［招待講演］LaBxNy/窒素添加LaB6積層構造を用いたReRAM/OFET集積化プロセス ○大見俊一郎・趙 嘉昂（東工大）  SDM2024-7 OME2024-7 |
[more] | SDM2024-7 OME2024-7 pp.24-27 |
| SDM | 2023-10-13 17:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 窒素添加LaB6 /LaBxNy積層構造を用いたボトムゲート型OFET/ReRAM集積化に関する検討 ○趙 嘉昂・大見俊一郎（東工大） SDM2023-61 |
本研究では、窒素添加LaB6をターゲットとしてAr/N2プラズマを用いた反応性スパッタ法により形成したLaBxNy絶縁膜... [more] | SDM2023-61 pp.46-49 |
| SDM | 2022-10-19 11:35 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | A study on threshold voltage control of MFSFET with ultrathin ferroelectric nondoped HfO2 gate insulator for analog memory applications ○Joong-Won Shin・Masakazu Tanuma・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） SDM2022-56 |
[more] | SDM2022-56 pp.9-12 |
| SDM | 2022-10-19 13:15 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | ［招待講演］表面熱析出法を用いた単原子層h-BN薄膜／LaB6ヘテロ構造の作製とその評価 ○長岡克己・相澤 俊・大見俊一郎（物質・材料研究機構） SDM2022-57 |
[more] | SDM2022-57 pp.13-15 |
| SDM | 2022-10-19 15:15 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | ［招待講演］紙の基板を用いた有機強誘電体トランジスタの作製と有機太陽電池への応用 ○朴 炳垠（ソウル市大）・大見俊一郎（東工大） SDM2022-60 |
[more] | SDM2022-60 pp.24-27 |
| SDM | 2022-10-19 16:05 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | A study on low-voltage operation of pentacene-based floating-gate memory utilizing Ar/N2-plasma nitridation with N-doped LaB6 metal and high-k LaBxNy insulator ○Eun-Ki Hong・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2022-61 |
[more] | SDM2022-61 pp.28-33 |
| SDM | 2022-10-19 17:20 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2022-63 |
強誘電性HfO2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタへ(... [more] | SDM2022-63 pp.38-42 |
| SDM | 2021-10-21 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | A study on Ar/N2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaBxNy insulator formation for non-volatile memory applications ○Eun-Ki Hong・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2021-46 |
[more] | SDM2021-46 pp.8-11 |
| SDM | 2021-10-21 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2021-47 |
強誘電体HfO_2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(... [more] | SDM2021-47 pp.12-15 |
| SDM | 2020-10-22 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | Investigation of N-doped LaB6/LaBxNy/Si(100) MIS structure and floating-gate memory applications ○Kyung Eun Park・Hideki Kamata・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） SDM2020-16 |
[more] | SDM2020-16 pp.12-15 |
| SDM | 2020-10-22 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | A two-step wet etching process for the integration of PdEr/HfO2 gate stack structure on the gate-first Schottky barrier MOSFET ○Rengie Mark D. Mailig・Yuichiro Aruga・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） SDM2020-17 |
[more] | SDM2020-17 pp.16-19 |
| SDM | 2019-10-23 14:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜のSi(100)基板上への直接形成 ○片岡正和・林 将生・キム ミンギ・大見俊一郎（東工大） SDM2019-54 |
本研究では、ノンドープHfO2薄膜を用いた強誘電体ゲートFETの実現を目的として、Hf界面層の導入による低誘電率SiO2... [more] | SDM2019-54 pp.7-10 |
| SDM | 2019-10-23 14:50 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | The investigation of interface property of N-doped LaB6/SiO2/Si(100) stack structure by increasing deposition temperature ○Kyung Eun Park・Hideki Kamata・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） SDM2019-55 |
[more] | SDM2019-55 pp.11-15 |
| SDM | 2019-10-23 15:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Investigation of ferroelectric undoped HfO2 formation on Si(100) utilizing post metallization annealing for nonvolatile memory application ○Min Gee Kim・Masakazu Kataoka・Masaki Hayashi・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2019-56 |
[more] | SDM2019-56 pp.17-20 |
| SDM | 2019-10-23 16:10 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | A study on the EOT scaling of the Hf-based MONOS non-volatile memory characteristics utilizing HfON tunneling layer ○Jooyoung Pyo・Yusuke Horiuchi・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2019-57 |
[more] | SDM2019-57 pp.21-24 |
| SDM | 2019-10-23 16:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | 多層電荷蓄積層を用いたHf系MONOS型不揮発性多値メモリに関する検討 ○堀内勇介・表 柱栄・大見俊一郎（東工大） SDM2019-58 |
[more] | SDM2019-58 pp.25-28 |
| SDM | 2019-10-24 10:50 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Low temperature formation of PdErSi/Si(100) for Schottky barrier source and drain MOSFET applications ○Rengie Mark D. Mailig・Yuichiro Aruga・Min Gee Kim・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech） SDM2019-61 |
In this report, the effects of the TiN encapsulating layer o... [more] | SDM2019-61 pp.39-43 |
| SDM | 2018-10-17 16:05 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Si(100)表面原子レベル平坦化プロセスを用いたHf系MONOS型不揮発性メモリ作製プロセスに関する検討 ○工藤聡也・堀内勇介・大見俊一郎（東工大） SDM2018-55 |
我々は高速・低電圧動作可能な不揮発性メモリ実現のために、Si(100)表面を原子レベル平坦化した基板上にHf系MONOS... [more] | SDM2018-55 pp.15-19 |
| SDM | 2018-10-18 10:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Thin film formation of ferroelectric undoped HfO2 on Si(100) by RF magnetron sputtering ○Min Gee Kim・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2018-58 |
In this study, we investigated thin film formation of ferroe... [more] | SDM2018-58 pp.31-34 |
| SDM | 2018-10-18 10:50 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Schottky barrier height reduction of Pd2Si/Si(100) diodes by dopant segregation process ○Rengie Mark D. Mailig・Min Gee Kim・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2018-59 |
In this paper, the reduction of the Schottky barrier height ... [more] | SDM2018-59 pp.35-40 |
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