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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2011-12-15 10:05 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | 非対称二重回折格子状ゲート電極を有するInAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いた超高感度プラズモニックテラヘルツ波検出器 ○谷本雄大・Stephane Boubanga-Tombet・渡辺隆之（東北大）・Yuye Wang・南出泰亜・伊藤弘昌（理研）・Denis Fateev・Vyacheslav Popov（ロシア科学アカデミー）・Dominique Coquillat・Wojciech Knap（モンペリエ第2大）・尾辻泰一（東北大）  ED2011-110 |
非対称二重回折格子状ゲート電極を有する InAlAs/InGaAs/InP 高電子移動度トランジスタ(HEMT)が、テラ... [more] | ED2011-110 pp.57-61 |
| ED | 2010-12-16 16:25 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | 光励起グラフェンの非平衡キャリア緩和過程とテラヘルツ帯における反転分布 ○佐藤 昭（東北大）・ヴィクトール リズィー（会津大）・ステファン ボウバンガ-トムベット・尾辻泰一（東北大） ED2010-163 |
パルス光学励起された真性グラフェンにおける室温での反転分布の理論解析を行う。キャリア緩和過程の 解析のため、キャリア間... [more] |
ED2010-163 pp.31-34 |
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