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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, OME
(共催)
2023-04-22
09:40
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
絶縁膜上におけるSn添加Ge薄膜の固相成長とTFT応用
古賀泰志郎永野貴弥茂藤健太山本圭介・○佐道泰造九大SDM2023-7 OME2023-7
高性能システムインディスプレイの実現には,高速薄膜トランジスタ(TFT)の創出が必須である.このためSiより高いキャリア... [more] SDM2023-7 OME2023-7
pp.27-29
SDM, OME
(共催)
2023-04-22
10:05
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Neを用いてガラス上にスパッタ堆積したInSb膜のRTAによる結晶化
岡田竜弥チャリット ジャヤナダ コスワッタゲー琉球大)・梶原隆司佐道泰造九大)・野口 隆琉球大SDM2023-8 OME2023-8
安価な絶縁基板上への高結晶性InSb膜の形成に向けて、ArガスおよびNeガスを用いたRFスパッタリング法により製膜したI... [more] SDM2023-8 OME2023-8
pp.30-31
SDM, OME
(共催)
2023-04-22
10:30
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
スパッタ堆積InSb薄膜/ガラス基板の急速熱処理法による結晶成長
梶原隆司九大)・岡田竜弥チャリット ジャヤナダ コスワッタゲー野口 隆琉球大)・佐道泰造九大SDM2023-9 OME2023-9
高移動度InSb薄膜の低コストな形成プロセスの創出を目指し、ガラス基板上へArプラズマを用いてスパッタ成膜したInSb膜... [more] SDM2023-9 OME2023-9
pp.32-33
SDM, OME
(共催)
2020-04-13
17:20
沖縄 沖縄県青年会館
(開催中止,技報発行なし)
GeSn/絶縁基板の固相成長におけるa-Si下地挿入効果
丹 優太鶴田太基佐道泰造九大
 [more]
SDM 2018-10-17
15:20
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating
Kaname ImokawaKyushu Univ)・Nozomu TanakaKyushu Univ.)・Akira SuwaKyushu Univ)・Daisuke NakamuraTaizoh SadohKyushu Univ.)・Tetsuya GotoNew Industry Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.)・Hiroshi IkenoueKyushu UnivSDM2018-54
Si TFTのコンタクト抵抗形成には、イオン注入やCVDなどの真空、高温(~500度)のプロセスが必要とされ,プリンタブ... [more] SDM2018-54
pp.11-14
SDM, OME
(共催)
2016-04-08
15:35
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 金属誘起横方向成長法によるSnドープGe/絶縁基板の低温形成
酒井崇嗣松村 亮佐道泰造宮尾正信九大SDM2016-7 OME2016-7
 [more] SDM2016-7 OME2016-7
pp.29-30
OME, SDM
(共催)
2015-04-30
10:40
沖縄 大濱信泉記念館多目的ホール フレキシブルエレクトロニクスへ向けた非晶質GeSn/絶縁膜の横方向固相成長
松村 亮九大/学振)・知北大典甲斐友樹佐々木雅也佐道泰造池上 浩宮尾正信九大SDM2015-10 OME2015-10
次世代フレキシブルエレクトロニクス実現のため、高移動度材料であるGeSnを、安価なプラスチック基板の軟化温度である200... [more] SDM2015-10 OME2015-10
pp.39-40
SDM, OME
(共催)
2014-04-10
14:40
沖縄 沖縄県青年会館 フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge/プラスチックの形成
パク ジョンヒョク宮尾正信佐道泰造九大SDM2014-4 OME2014-4
 [more] SDM2014-4 OME2014-4
pp.17-20
OME, SDM
(共催)
2013-04-25
14:30
鹿児島 屋久島環境文化村センター 溶融法による横方向組成傾斜型Ge系ヘテロ構造の形成
松村 亮佐道泰造宮尾正信九大SDM2013-5 OME2013-5
 [more] SDM2013-5 OME2013-5
pp.17-23
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
18:15
沖縄 沖縄県青年会館 Multi-Layered SiGe-on-Insulator Structures by Rapid-Melting-Growth
Yuki TojoRyo MatsumuraHiroyuki YokoyamaMasashi KurosawaKaoru TokoTaizoh SadohMasanobu MiyaoKyushu Univ.
 [more]
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
18:30
沖縄 沖縄県青年会館 Formation of (111)-oriented large-grain Ge crystal on insulator at low-temperature by gold-induced crystallization technique
Jonghyeok ParkTsuneharu SuzukiMasanobu MiyaoTaizoh SadohKyushu Univ.
 [more]
SDM, OME
(共催)
2012-04-28
10:00
沖縄 沖縄県青年会館 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 ~ Si偏析効果による大粒径化 ~
加藤立奨黒澤昌志横山裕之佐道泰造宮尾正信九大SDM2012-13 OME2012-13
 [more] SDM2012-13 OME2012-13
pp.61-62
SDM, OME
(共催)
2012-04-28
11:10
沖縄 沖縄県青年会館 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 ~ 界面酸化膜厚依存性 ~
鈴木恒晴パク ジョンヒョク黒澤昌志宮尾正信佐道泰造九大SDM2012-16 OME2012-16
フレキシブルな高速薄膜トランジスタの実現には,高キャリヤ移動度を有する半導体(Ge)薄膜をプラスチィックなどの絶縁基板上... [more] SDM2012-16 OME2012-16
pp.71-73
SDM 2011-12-16
16:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発
部家 彰野々村勇希木野翔太松尾直人天野 壮宮本修治神田一浩望月孝晏兵庫県立大)・都甲 薫佐道泰造宮尾正信九大SDM2011-145
結晶化が起こるには、結晶核形成と結晶粒成長の2つのプロセスを経る必要があるが、一般に結晶核形成には多くのエネルギーを必要... [more] SDM2011-145
pp.71-76
OME, SDM
(共催)
2011-04-15
11:05
佐賀 産総研九州センター Role of vacancy annihilation in electrical activation of P implanted in Ge
Mohammad AnisuzzamanTaizoh SadohKyushu Univ.SDM2011-4 OME2011-4
Due to the scaling limit faced by Si CMOS technology, much i... [more] SDM2011-4 OME2011-4
pp.13-16
SDM, OME
(共催)
2010-04-23
11:20
沖縄 沖縄県青年会館 ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム
川畑直之九大)・黒澤昌志九大/学振)・佐道泰造宮尾正信九大SDM2010-4 OME2010-4
次世代高速薄膜トランジスタ及び高効率薄膜太陽電池の実現には,高移動度や高い光吸収係数を有する新半導体材料(SiGe)薄膜... [more] SDM2010-4 OME2010-4
pp.13-17
SDM, OME
(共催)
2010-04-23
15:00
沖縄 沖縄県青年会館 SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)の形成のシード基板面方位・成長方向依存性
大田康晴田中貴規佐道泰造宮尾正信九大SDM2010-11 OME2010-11
我々は、SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI (Ge on Insulator) 形成を提案し、GOI (100)... [more] SDM2010-11 OME2010-11
pp.49-52
SDM, OME
(共催)
2010-04-23
15:20
沖縄 沖縄県青年会館 インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成
坂根 尭都甲 薫田中貴規佐道泰造宮尾正信九大SDM2010-12 OME2010-12
インプリント誘起Si(111)マイクロ結晶(~1 μmφ)を結晶成長シードとしたGeの溶融エピタキシャル成長法を考案し、... [more] SDM2010-12 OME2010-12
pp.53-57
SDM, ED
(共催)
2009-06-26
09:00
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [招待講演]Lateral liquid-phase epitaxy of Ge on insulator using Si seed for ultrahigh speed transistor
Taizoh SadohTakanori TanakaYasuharu OhtaKaoru TokoMasanobu MiyaoKyushu Univ.ED2009-91 SDM2009-86
Lateral liquid-phase epitaxy of Ge-on-insulator (GOI) using ... [more] ED2009-91 SDM2009-86
pp.177-180
OME, SDM
(共催)
2009-04-24
16:15
佐賀 産総研九州センター大会議室 アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長
黒澤昌志川畑直之佐道泰造宮尾正信九大SDM2009-5 OME2009-5
次世代の高速薄膜トランジスタや高効率薄膜太陽電池の実現には,高キャリア移動度や高吸収係数を有する半導体薄膜をガラス上に形... [more] SDM2009-5 OME2009-5
pp.19-23
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