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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
R 2009-11-20
14:45
大阪 大阪:中央電気倶楽部 高速InP HBTにおけるエミッタ電極の長期通電での劣化現象と高耐熱金属導入による高信頼化
深井佳乃栗島賢二柏尾典秀井田 実山幡章司榎木孝知NTTR2009-43
 [more] R2009-43
pp.11-16
ED 2009-06-11
16:25
東京 東京工業大学 MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化
前田就彦廣木正伸榎木孝知NTT)・小林 隆NTT-ATED2009-42
MIS構造AlGaN/GaNヘテロ構造FET(HFET)の高性能化への指針を得るため、絶縁膜とAlGaN障壁層とを一体の... [more] ED2009-42
pp.31-36
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
09:50
北海道 かでる2・7(札幌) [招待講演]F帯アプリケーションへ向けた集積回路技術
小杉敏彦枚田明彦村田浩一榎木考知NTTED2008-77 SDM2008-96
広帯域無線データ通信とミリ波イメージングへ向けて試作したFバンド(90-140GHz)のICについて報告する。IC設計に... [more] ED2008-77 SDM2008-96
pp.199-204
ED 2007-06-15
16:15
富山 富山大学 MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード
杉山弘樹松崎秀昭小田康裕横山春喜榎木孝知小林 隆NTTED2007-38
MOVPE法を用いてIn0.8Ga0.2As井戸層とAlAs障壁層を有するInP系共鳴トンネルダイオード(RTD)を作製... [more] ED2007-38
pp.39-43
MW, ED
(共催)
2007-01-19
11:35
東京 機械振興会館 InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC
上綱秀樹NTT)・山根康郎NEL)・徳光雅美NTT)・菅原裕彦NTT-AT)・榎木孝知NTT
Cold FETとしてInP HEMTを使用したSP8Tスイッチと三層配線プロセスで構成した伝送線路を組み合わせた8x8... [more] ED2006-230 MW2006-183
pp.167-171
ED 2006-12-08
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用
小杉敏彦徳光雅美村田浩一榎木孝知永妻忠夫NTT
 [more]
OPE, LQE, OCS
(共催)
2006-10-13
16:10
福岡 九大 筑紫キャンパス InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用
小林昇代村田博司阪大)・小杉敏彦榎木孝知NTT)・岡村康行阪大OCS2006-60 OPE2006-113 LQE2006-102
ミリ波帯で優れた特性を持つInP HEMT(High Electron Mobility Transistor, fT=... [more] OCS2006-60 OPE2006-113 LQE2006-102
pp.103-108
RCS, AP, WBS, SR, MW, MoNA
(併催)
2006-03-03
13:00
神奈川 YRP 60GHz帯0.4V,5.6mW InP HEMT低雑音増幅器MMIC
西川健二郎榎木孝知杉谷末広・○豊田一彦NTT
本稿では低消費電力な60GHz帯低雑音増幅器(LNA)について報告する.本LNAに用いたデバイスは光通信向け高速ディジタ... [more] MW2005-180
pp.13-18
ED, MW
(共催)
2006-01-18
14:20
東京 機械振興会館 80Gbit/s動作 InP HBT 1:4デマルチプレクサIC
佐野公一福山裕之村田浩一栗島賢二柏尾典秀榎木孝知菅原裕彦NTT
 [more] ED2005-194 MW2005-148
pp.13-18
R, ED, SDM
(共催)
2005-11-25
14:25
大阪 中央電気倶楽部 動作電流密度2mA/um2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT
深井佳乃栗島賢二井田 実山幡章司榎木孝知NTT
 [more] R2005-43 ED2005-178 SDM2005-197
pp.31-35
OCS, OPE, LQE
(共催)
2005-11-03
17:25
福岡 九州工業大学 InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC
柏尾典秀栗島賢ニ佐野公一井田 実渡邉則之福山裕之菅原裕彦徳光雅美榎木孝知NTT
InPヘテロ接合バイポーラトランジスタ(InP HBT)の全面再成長法により、InP HBTと単一走行キャリアフォトダイ... [more] OCS2005-56 OPE2005-86 LQE2005-94
pp.43-46
MW, ED
(共催)
2005-01-18
09:45
東京 機械振興会館 選択再成長オーミックス構造を有するAl2O3/Si3N4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET
前田就彦王 成新牧村隆司廣木正伸牧本俊樹小林 隆榎木孝知NTT
 [more] ED2004-213 MW2004-220
pp.7-12
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