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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2016-01-20
11:20
東京 機械振興会館 [依頼講演]酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術
東脇正高ワン マンホイ小西敬太NICT)・佐々木公平タムラ/NICT)・後藤 健タムラ/東京農工大)・野村一城ティユ クァン トゥ富樫理恵村上 尚熊谷義直Bo Monemar纐纈明伯東京農工大)・倉又朗人増井建和山腰茂伸タムラED2015-114
酸化ガリウム (Ga{$_{2}$}O{$_{3}$}) は,パワーデバイス用途に適した優れた物性を有する酸化物半導体で... [more] ED2015-114
pp.13-18
ED 2014-08-01
15:50
東京 機械振興会館B3-1室 Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット
上村崇史NICT)・佐々木公平タムラ)・黄 文海ダイワシガマニ キルシナムルティNICT)・倉又朗人タムラ)・増井建和光波)・山越茂伸タムラ)・東脇正高NICTED2014-60
Al2O3/n-Ga2O3 (010) ヘテロ接合のバンド配置をx線光電子分光法 (XPS) により調べることにより、A... [more] ED2014-60
pp.41-46
ED, MW
(共催)
2014-01-16
11:45
東京 機械振興会館 Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET
東脇正高NICT)・佐々木公平タムラ製作所/NICT)・ワン マンホイ上村崇史ダイワシガマニ キルシナムルティNICT)・倉又朗人タムラ製作所)・増井建和光波)・山腰茂伸タムラED2013-116 MW2013-181
我々は,新たに開発したSiイオン注入技術を用いてディプレッション型Ga2O3 MOSFETを作製した.今回作製したデバイ... [more] ED2013-116 MW2013-181
pp.35-39
ED 2013-08-08
17:10
富山 富山大学工学部 大会議室 Al2O3/ n-Ga2O3 MOS ダイオード特性評価
上村崇史ワン マンホイNICT)・佐々木公平タムラ製作所)・ダイワシガマニ キルシナムルティNICT)・倉又朗人タムラ製作所)・増井建和光波)・山腰茂伸タムラ製作所)・東脇正高NICTED2013-43
 [more] ED2013-43
pp.29-32
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
13:55
大阪 大阪市立大学 単結晶β-Ga2O3基板を用いたPt/β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード
佐々木公平タムラ製作所/NICT)・東脇正高NICT/JST)・倉又朗人タムラ製作所)・増井建和光波)・山腰茂伸タムラ製作所ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99
単結晶$Ga_2O_3$(010)基板を用いてショットキーバリアダイオードを作製した.フローティングゾーンで作製した単結... [more] ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99
pp.25-28
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
09:15
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]New widegap semiconductor Ga2O3 MESFETs and Schottky barrier diodes
Masataka HigashiwakiNICT/JST)・Kohei SasakiTamura Corp./NICT)・Akito KuramataTamura Corp.)・Takekazu MasuiKoha Co., Ltd.)・Shigenobu YamakoshiTamura Corp.
 [more]
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