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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価 ○越智亮太（北大）・前田瑛里香（芝浦工大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司（名大）・橋詰 保（北大/名大）  ED2020-31 MW2020-84 |
GaN系HEMTは5G基地局用RF増幅器として期待されている。大振幅動作時のゲート漏れ電流制御や経時劣化性の観点から絶縁... [more] | ED2020-31 MW2020-84 pp.22-25 |
| ED, MW (共催) |
2018-01-25 16:10 |
東京 | 機械振興会館地下3階研修2号室 | 絶縁ゲートAlGaN/GaN HEMTにおける電流線形性の向上 ○金木奨太・西口賢弥（北大）・尾崎史郎（富士通研）・橋詰 保（北大） ED2017-95 MW2017-164 |
[more] | ED2017-95 MW2017-164 pp.11-14 |
| SDM | 2017-11-09 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション ○福田浩一・浅井栄大・服部淳一・清水三聡（産総研）・橋詰 保（北大） SDM2017-66 |
深いトラップ準位を含むGaN MOSキャパシタの容量をtransientモードで解析する手法を検証し，周波数分散など各非... [more] | SDM2017-66 pp.27-32 |
| SDM | 2015-06-19 09:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価 ○谷田部然治・橋詰 保（北大） SDM2015-38 |
ドライエッチングをしたAlGaN上にAl2O3絶縁ゲート構造を作製し、絶縁膜/半導体界面の特性評価を行なった．評価には室... [more] | SDM2015-38 pp.1-4 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 14:05 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | AlGaN/GaN HEMTにおけるオフストレス後の表面帯電の影響 ○西口賢弥・橋詰 保（北大） ED2014-92 CPM2014-149 LQE2014-120 |
[more] | ED2014-92 CPM2014-149 LQE2014-120 pp.91-95 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 16:00 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果 ○岡田俊祐・三宅秀人・平松和政（三重大）・宮川鈴衣奈・江龍 修（名工大）・橋詰 保（北大） ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124 |
極性面である(0001)面及び非極性面である(10-10)面や(20-21)面，(20-2-1)面を主面とするGaN自立... [more] | ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124 pp.111-115 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 15:25 |
大阪 | 大阪市立大学 | プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響 ○堀 祐臣・谷田部然治・馬 万程・橋詰 保（北大） ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102 |
原子層堆積法で形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜としてAl2O3/AlGaN/GaNヘテロMOS構造を作製し、形成プロセ... [more] | ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102 pp.37-40 |
| ED | 2012-07-26 15:00 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | AlInN/GaN系へテロ構造の表面・界面評価 ○橋詰 保・堀 祐臣・赤澤正道（北大） ED2012-44 |
[more] | ED2012-44 pp.17-20 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 11:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Improved current stability in multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs ○Kota Ohi・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ.） |
We have proposed and characterized a multi-mesa-channel (MMC... [more] | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 09:25 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ドライエッチ面を含むAl2O3/AlGaN/GaN構造の界面評価 ○谷田部然治・堀 祐臣・金 聖植・橋詰 保（北大） ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29 |
ドライエッチングしたAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った．ドライエッチングには、Cl2/BCl3ガスによるI... [more] | ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29 pp.49-52 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 14:05 |
東京 | 機械振興会館 | GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響 ○堀 祐臣・金 聖植（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2011-136 MW2011-159 |
[more] | ED2011-136 MW2011-159 pp.97-100 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 13:20 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価 ○金 聖植・堀 祐臣・谷田部然治・橋詰 保（北大） ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101 |
ドライエッチングしたGaNおよびAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った。ドライエッチングには、CH4/H2/N... [more] | ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101 pp.25-28 |
| ED | 2011-07-29 14:45 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価 ○橋詰 保・水江千帆子・掘 祐臣・田島正文・大井幸多（北大） ED2011-40 |
[more] | ED2011-40 pp.17-20 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 ○田島正文・橋詰 保（北大） ED2010-182 MW2010-142 |
我々はデュアルゲート構造を用いてゲートストレス位置がAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）の電流コラプス... [more] | ED2010-182 MW2010-142 pp.41-44 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 16:25 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性 ○大井幸多（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108 |
ゲート電極直下のみに周期的トレンチ構造を形成した多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTを作製し，評価を... [more] | ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108 pp.47-50 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-12 10:00 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価 ○堀 祐臣・原田脩央・水江千帆子（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 |
GaNおよびAlGaN/GaN構造に対し、原子層堆積法で形成したAl2O3膜、および電気化学酸化法で形成した酸化膜による... [more] | ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 pp.55-58 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 16:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Electrochemical formation of InP porous structures for their application to photoelectric conversion devices ○Hiroyuki Okazaki・Taketomo Sato・Naoki Yoshizawa・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ） ED2010-71 SDM2010-72 |
[more] | ED2010-71 SDM2010-72 pp.85-89 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 10:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Characterization of deep electron levels of AlGaN grown by MOVPE ○Kimihito Ooyama（Hokkaido Univ./SMM）・Katsuya Sugawara（Hokkaido Univ.）・Hiroyuki Taketomi・Hideto Miyake・Kazumasa Hiramatsu（Mie Univ.）・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ./JST） ED2010-107 SDM2010-108 |
[more] | ED2010-107 SDM2010-108 pp.249-252 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 11:05 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Characteristics of GaN p-n diode with damage layer induced by ICP plasma process ○Tsutomu Uesugi・Tetsu Kachi（Toyota Central R&D Labs.）・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ.） ED2010-108 SDM2010-109 |
[more] | ED2010-108 SDM2010-109 pp.253-256 |
| ED | 2010-06-17 13:50 |
石川 | 北陸先端大 | 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用 ○佐藤威友・吉澤直樹・岡崎拓行・橋詰 保（北大） ED2010-35 |
電気化学的手法により自己組織化形成されるn-InP多孔質構造の形成条件を最適化し、孔径約100nmで深さ10ミクロン以上... [more] | ED2010-35 pp.11-15 |
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