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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-11-07 14:00 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］パワーデバイスにおけるモールドエポキシ樹脂のTCADシミュレーションモデリング ○玉城朋宏・海老原洪平・小西和也・岸本幸樹・曽根田真也・高橋徹雄・新田哲也・綿引達郎（三菱電機）・李 根三（日本シノプシス）  SDM2024-57 |
パワーデバイス製品において、高電圧に対する長期信頼性は重要な要件の一つである。本研究では、この長期信頼性にモールド樹脂封... [more] | SDM2024-57 pp.10-15 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 13:40 |
東京 | 機械振興会館 (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証 ○南條拓真・品川友宏・綿引達郎・三浦成久・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大） ED2022-93 MW2022-152 |
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor（HEMT）は，通信用の高周波高出... [more] | ED2022-93 MW2022-152 pp.36-39 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 16:50 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | 完全空乏したAlGaN/GaNエピタキシャル層を用いたプレーナ型EID-MOS-HEMTのノーマリオフ動作実証 ○南條拓真・今澤貴史・清井 明・林田哲郎・綿引達郎・三浦成久（三菱電機） ED2021-36 CPM2021-70 LQE2021-48 |
[more] | ED2021-36 CPM2021-70 LQE2021-48 pp.95-98 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-17 15:25 |
東京 | 日立中研 (東京都) | ノーマリオフ型GaN MOS-HFETにおけるバイアスアニールの効果 ○南條拓真・小山英寿・今井章文・綿引達郎・山向幹雄（三菱電機） ED2018-78 MW2018-145 |
GaN系半導体は、高周波デバイスだけではなく、高出力スイッチングデバイスに用いる半導体材料として近年注目を集めており、ノ... [more] | ED2018-78 MW2018-145 pp.55-58 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-17 15:50 |
東京 | 日立中研 (東京都) | GaN-on-GaN構造の採用による転位密度低減に伴う高電界ストレスに対する電流コラプス特性の改善効果 ○今井章文・吉嗣晃治・南條拓真・綿引達郎・山向幹雄（三菱電機） ED2018-79 MW2018-146 |
[more] | ED2018-79 MW2018-146 pp.59-62 |
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