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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-12-01
15:50
静岡 アクトシティ浜松 MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響と高温アニール
大石悠翔肖 世玉上杉謙次郎秋山 亨玉野智弘三宅秀人三重大ED2023-35 CPM2023-77 LQE2023-75
 [more] ED2023-35 CPM2023-77 LQE2023-75
pp.94-97
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
16:05
ONLINE オンライン開催 r面サファイア基板上への高温アニールa面AlN膜作製における基板オフ角依存性
渋谷康太上杉謙次郎肖 世玉正直花奈子窪谷茂幸秋山 亨三宅秀人三重大ED2021-25 CPM2021-59 LQE2021-37
 [more] ED2021-25 CPM2021-59 LQE2021-37
pp.51-54
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
15:10
愛知 名古屋工業大学 Face to Face法アニールによる AlN極性反転構造の作製と疑似位相整合 SHGへの応用
林 侑介三宅秀人平松和政秋山 亨伊藤智徳三重大)・片山竜二阪大ED2017-67 CPM2017-110 LQE2017-80
 [more] ED2017-67 CPM2017-110 LQE2017-80
pp.87-90
US 2016-07-29
13:30
福岡 九州大学 筑紫キャンパス ナノシリカ焼結を利用したメソポーラスシリカの開発
池田 弘九州歯科大)・秋山 悟藤野 茂九大US2016-30
 [more] US2016-30
pp.1-2
ICD 2010-04-22
12:05
神奈川 湘南工大 0.5 V DRAMアレイ向け低しきい値CMOSプリアンプ
小田部 晃柳川善光秋山 悟関口知紀日立ICD2010-6
低電力かつ高速な大容量DRAMアレイの実現に向け,低しきい値CMOSプリアンプを開発した。低しきい値CMOSプリアンプを... [more] ICD2010-6
pp.29-33
SDM 2009-06-19
10:20
東京 東京大学(生産研An棟) Si酸化における界面反応の第一原理計算
秋山 亨三重大)・影島博之NTT)・植松真司慶大)・伊藤智徳三重大SDM2009-28
Si酸化における界面反応過程の詳細を第一原理計算に基づき解明した。ドライ酸化を想定したO$_2$分子での界面反応では、O... [more] SDM2009-28
pp.9-13
ICD 2009-04-13
13:30
宮城 大観荘(宮城県松島町) [招待講演]大容量DRAMの技術動向とサブ1V-DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式
秋山 悟関口知紀竹村理一郎小田部 晃伊藤清男日立ICD2009-2
 [more] ICD2009-2
pp.7-12
ICD 2009-04-13
15:40
宮城 大観荘(宮城県松島町) [パネル討論]低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か?
日高秀人ルネサステクノロジ)・山岡雅直日立)・宮野信冶東芝)・秋山 悟日立)・杉林直彦NEC)・川嶋将一郎富士通マイクロエレクトロニクス)・尾坂匡隆パナソニックICD2009-4
SOC向けの低電圧メモリは混載SRAMが主流であるが、微細化に伴い、ロジックコア電圧に追随した低電圧化の困難化、待機電力... [more] ICD2009-4
p.19
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
15:05
東京 機械振興会館 ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現
亀代典史渡部隆夫石井智之峰 利之日立)・佐野聡明ルネサス北日本セミコンダクタ)・伊部英史秋山 悟日立)・柳沢一正一法師隆志岩松俊明高橋保彦ルネサステクノロジSDM2008-136 ICD2008-46
SESO (Single Electron Shut-off)トランジスタのプロセスを見直し、ロジックプロセス互換性を実... [more] SDM2008-136 ICD2008-46
pp.47-52
SIP, ICD, IE, IPSJ-SLDM
(共催)
2005-10-20
15:30
宮城 作並温泉一の坊 キャッシュ内蔵SDRAMのレイテンシを短縮できるメモリコントローラの提案
三浦誓士秋山 悟日立
キャッシュ内蔵SDRAMのレイテンシを短縮するメモリコントローラを提案した。本コントローラはアドレスアライメント制御ブロ... [more] SIP2005-110 ICD2005-129 IE2005-74
pp.89-93
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
13:50
北海道 函館国際ホテル 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F2ツインセルDRAMアレー
竹村理一郎伊藤清男関口知紀秋山 悟半澤 悟日立)・梶谷一彦エルピーダメモリ)・河原尊之日立
セル面積が12F 2のツインセルアレーについて、低電圧での高速書込み動作、長リテンション時間の可能性について検討した。同... [more] SDM2005-152 ICD2005-91
pp.55-60
ICD 2005-04-14
14:30
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター [招待講演]ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案
関口知紀秋山 悟日立)・梶谷一彦エルピーダメモリ)・半澤 悟竹村理一郎河原尊之日立
今回提案するメモリーアレー協調設計手法では、複数のデバイスばらつきによる信号劣化を統計的に考慮してDRAMアレーのS/N... [more] ICD2005-8
pp.37-42
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