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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, LSJ (共催) |
2016-05-19 14:15 |
福井 | 福井市地域交流プラザ | 有機薄膜光集積回路 ○雨宮智宏・金澤 徹・平谷拓生・Zhichen Gu・北條直也（東工大）・浦上達宣（三井化学）・荒井滋久（東工大）  LQE2016-2 |
本稿では，有機薄膜光集積回路の提案、および各素子の実現手法、モノリシック集積について述べる。 [more] | LQE2016-2 pp.5-10 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-20 10:20 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | Evaluation of electrical properties of HfS2 thin flakes obtained by mechanical exfoliation ○Vikrant Upadhyaya・Toru Kanazawa・Yasuyuki Miyamoto（TokyoTech） ED2016-23 CPM2016-11 SDM2016-28 |
[more] | ED2016-23 CPM2016-11 SDM2016-28 pp.47-50 |
| ED | 2015-07-25 10:40 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | 再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス ○木下治紀・祢津誠晃・三嶋裕一・金澤 徹・宮本恭幸（東工大） ED2015-44 |
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。さらなる性能向上を目指して、マル... [more] | ED2015-44 pp.39-44 |
| ED | 2014-08-01 13:30 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | ［招待講演］低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造 ○宮本恭幸・金澤 徹・米内義晴・加藤 淳・藤松基彦・柏野壮志・大澤一斗・大橋一水（東工大） ED2014-56 |
高いオン電流($I_{on}$)と低いオフ電流 ($I_{off}$) を低電源電圧で実現することは、論理回路応用の為に... [more] | ED2014-56 pp.19-24 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET ○金澤 徹・三嶋裕一・木下治紀・上原英治・宮本恭幸（東工大） ED2013-115 MW2013-180 |
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。そのさらなる性能向上を目指して、... [more] | ED2013-115 MW2013-180 pp.29-33 |
| OPE | 2013-12-20 16:55 |
東京 | 機械振興会館 | メタマテリアルを用いたInP系プラットフォームにおける透磁率制御 ○雨宮智宏・金澤 徹（東工大）・石川 篤（理研）・カン ジュンヒョン・西山伸彦・宮本恭幸（東工大）・田中拓男（理研）・荒井滋久（東工大） OPE2013-146 |
[more] | OPE2013-146 pp.45-50 |
| ED | 2011-12-14 13:00 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | ［招待講演］InGaAs MOSFETの高電流密度化 ○宮本恭幸・米内義晴・金澤 徹（東工大） ED2011-100 |
ITRS の予測では、将来のMOSFETにおいて、電源電圧=0.6V で2A/mmを超える高い電流駆動能力が求められてい... [more] | ED2011-100 pp.1-6 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET ○金澤 徹・寺尾良輔・山口裕太郎・池田俊介・米内義晴・加藤 淳・宮本恭幸（東工大） ED2010-188 MW2010-148 |
2020年以降の高速CMOS回路応用へ向けた高駆動能力トランジスタとして、高い電子移動度を有するIII-V族化合物半導体... [more] | ED2010-188 MW2010-148 pp.69-73 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET ○金澤 徹・若林和也・齋藤尚史・寺尾良輔・田島智宣・池田俊介・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-181 MW2009-164 |
2016年以降の高速CMOS回路応用へ向けたトランジスタとして、高移動度チャネル材料としてIII-V族化合物半導体を用い... [more] | ED2009-181 MW2009-164 pp.39-42 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 09:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source ○Yasuyuki Miyamoto・Toru Kanazawa・Hisashi Saito・Kazuhito Furuya（Tokyo Inst. of Tech.） ED2009-72 SDM2009-67 |
Recently, III-V thin films have been identified as potential... [more] | ED2009-72 SDM2009-67 pp.99-103 |
| ED, SDM (共催) |
2006-01-27 09:50 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 大会議室 | ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード ○金澤 徹・諸澤篤史・藤井 諒・和田宇史（東工大）・渡辺正裕（東工大/JST）・浅田雅洋（東工大） |
[more] | ED2005-233 SDM2005-245 pp.11-14 |
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