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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2015-06-19
10:50
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討
野口宗隆岩松俊明三浦成久中田修平山川 聡三菱電機SDM2015-41
SiC には異なるバンドギャップを持つ、様々なポリタイプが存在し、異種ポリタイプ接合を用いたSiCデバイスの可能性が考え... [more] SDM2015-41
pp.17-20
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
09:00
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]A Perpetuum Mobile 32bit CPU with 13.4pJ/cycle, 0.14μA Sleep Current using Reverse-Body-Bias Assisted 65nm SOTB CMOS Technology
Koichiro IshibashiUEC)・Nobuyuki SugiiLEAP)・Kimiyoshi UsamiSIT)・Hideharu AmanoKU)・Kazutoshi KobayashiKIT)・Cong-Kha PhamUEC)・Hideki MakiyamaYoshiki YamamotoHirofumi ShinoharaToshiaki IwamatsuYasuo YamaguchiHidekazu OdaTakumi HasegawaShinobu OkanishiHiroshi YanagitaLEAPSDM2014-62 ICD2014-31
 [more] SDM2014-62 ICD2014-31
pp.1-4
SDM 2014-01-29
14:40
東京 機械振興会館 [招待講演]P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制
槇山秀樹山本芳樹篠原博文岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大)・山口泰男超低電圧デバイス技研組合SDM2013-143
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧低減に有効である。しかし、超低電圧領域で... [more] SDM2013-143
pp.35-38
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
09:25
石川 金沢大学 角間キャンパス 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減
水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹篠原博文岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎東大SDM2013-75 ICD2013-57
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルのセル電流ばらつきを評... [more] SDM2013-75 ICD2013-57
pp.47-52
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
13:00
北海道 札幌市男女共同参画センター [依頼講演]超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2012-68 ICD2012-36
CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい.消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば... [more] SDM2012-68 ICD2012-36
pp.29-32
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
13:25
北海道 札幌市男女共同参画センター 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき
水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹角村貴昭岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎東大SDM2012-69 ICD2012-37
65nm技術で作製した薄膜BOX-SOI(SOTB)トランジスタのドレイン電流ばらつきを評価し,バルクMOSトランジスタ... [more] SDM2012-69 ICD2012-37
pp.33-36
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
09:45
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]超低電力応用に向けた薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大
低電力CMOSデバイスへの要求は今でも高い。消費電力効率の高い超低電圧動作CMOSが実現すると、ユビキタスセンサネットワ... [more]
ICD 2010-04-22
09:50
神奈川 湘南工大 [招待講演]回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 ~ 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発 ~
新居浩二薮内 誠塚本康正平野有一岩松俊明木原雄治ルネサス エレクトロニクスICD2010-2
回路及びデバイス工夫により、0.5V極低電圧で動作可能なSRAMを開発した。微細化と共にSRAMの動作下限電圧(VCCm... [more] ICD2010-2
pp.7-12
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
15:05
東京 機械振興会館 ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現
亀代典史渡部隆夫石井智之峰 利之日立)・佐野聡明ルネサス北日本セミコンダクタ)・伊部英史秋山 悟日立)・柳沢一正一法師隆志岩松俊明高橋保彦ルネサステクノロジSDM2008-136 ICD2008-46
SESO (Single Electron Shut-off)トランジスタのプロセスを見直し、ロジックプロセス互換性を実... [more] SDM2008-136 ICD2008-46
pp.47-52
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