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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-11-30
13:55
静岡 アクトシティ浜松 ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対するゲートリセスエッチング後表面処理の効果
久保俊晴江川孝志名工大ED2023-16 CPM2023-58 LQE2023-56
ALD-SiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたゲートリセス構造を有するノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HFE... [more] ED2023-16 CPM2023-58 LQE2023-56
pp.11-14
CPM, ED, SDM
(共催)
2023-05-19
15:40
愛知 名古屋工大
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価
加藤一朗久保俊晴三好実人江川孝志名工大ED2023-5 CPM2023-5 SDM2023-22
グラフェンをFETとして用いるには絶縁基板への転写が必要であり、その過程でグラフェンに欠陥が導入されてしまう可能性がある... [more] ED2023-5 CPM2023-5 SDM2023-22
pp.20-23
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
15:45
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
リセス構造形成後表面処理を施したAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
戸田圭太郎久保俊晴江川孝志名工大ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70
ALD-SiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたゲートリセス構造を有するノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HEM... [more] ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70
pp.61-64
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
16:05
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
高抵抗歪超格子層を用いたSi基板上のAlGaN/GaN縦型デバイス
小池貴也林 航希早藤綾佑久保俊晴江川孝志名工大ED2022-38 CPM2022-63 LQE2022-71
 [more] ED2022-38 CPM2022-63 LQE2022-71
pp.65-68
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
14:30
ONLINE オンライン開催 ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
戸田圭太郎久保俊晴江川孝志名工大ED2021-31 CPM2021-65 LQE2021-43
 [more] ED2021-31 CPM2021-65 LQE2021-43
pp.75-78
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
13:50
ONLINE オンライン開催 ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
横井駿一久保俊晴江川孝志名工大ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59
SiO2はバンドギャップが約9eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成する... [more] ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59
pp.29-32
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
13:55
静岡 静岡大学(浜松) ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価
横井駿一古岡啓太久保俊晴江川孝志名工大ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84
SiO2はバンドギャップが約9 eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成す... [more] ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84
pp.37-40
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
09:00
愛知 名古屋工業大学 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
細見大樹古岡啓太陳 珩斉藤早紀久保俊晴江川孝志三好実人名工大ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95
新規AlGaNチャネルHFET構造として,バリア層に四元混晶AlGaInNを採用したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造... [more] ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95
pp.41-44
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
09:25
愛知 名古屋工業大学 ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果
古岡啓太久保俊晴三好実人江川孝志名工大ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96
AlGaN/GaN HEMT構造表面に界面準位等の電子捕獲準位の少ない絶縁膜を成膜することは難しく、ゲートリーク電流や閾... [more] ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96
pp.45-48
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
13:45
愛知 名古屋工業大学 XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価
久保俊晴三好実人江川孝志名工大ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77
GaN系パワーデバイスのMIS構造に用いる絶縁膜として, ALDで成膜したAl2O3が多く用いられており, 成膜後熱処理... [more] ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77
pp.73-76
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
11:15
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 ALDにより成膜したHfO2を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの界面準位とデバイス特性
西野剛介久保俊晴江川孝志名工大ED2015-82 CPM2015-117 LQE2015-114
AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク電流を抑えるためには、ゲート部分を金属/絶縁膜/半導体(MIS)とした構造が有... [more] ED2015-82 CPM2015-117 LQE2015-114
pp.73-76
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
14:45
大阪 大阪市立大学 GaN上にALD成膜したAl2O3を用いたMISダイオードの電気的特性
岩田康宏久保俊晴江川孝志名工大ED2012-73 CPM2012-130 LQE2012-101
MIS構造に用いる絶縁体としてAl2O3に着目し、GaN上にALDで成膜したAl2O3を用いたMISダイオードを作製して... [more] ED2012-73 CPM2012-130 LQE2012-101
pp.33-36
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
14:10
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価
岩田康宏久保俊晴江川孝志名工大ED2011-80 CPM2011-129 LQE2011-103
 [more] ED2011-80 CPM2011-129 LQE2011-103
pp.35-38
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-20
11:45
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位
菅原克也久保俊晴北大)・武富浩幸三宅秀人平松和政三重大)・橋詰 保北大ED2009-152 CPM2009-126 LQE2009-131
 [more] ED2009-152 CPM2009-126 LQE2009-131
pp.115-118
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