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 62件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2023-08-02
13:15
北海道 北海道大学 情報教育館 3F
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]原子層堆積法によるInGaOチャネルとInSnO電極によるナノシート酸化物半導体トランジスタ
小林正治日掛凱斗李 卓ハオ ジュンシャンパンディ チトラ更屋拓哉平本俊郎東大)・高橋崇典上沼睦典浦岡行治奈良先端大SDM2023-45 ICD2023-24
半導体デバイスの大規模集積化においては,デバイスの二次元的な微細化に加えて三次元集積化によりデバイスの高密度化と高機能化... [more] SDM2023-45 ICD2023-24
pp.45-49
SDM 2021-11-11
10:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]シリコンIGBTの新展開 ~ スケーリングIGBTと両面ゲートIGBT ~
平本俊郎更屋拓哉東大SDM2021-53
パワーエレクトロニクス分野では,シリコンIGBT (insulated gate bipolar transistors... [more] SDM2021-53
pp.1-6
SDM 2021-11-11
14:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]三次元積層構造に向けた強誘電体HfO2 FeFETの消去動作の効率化に関する研究
小林正治Mo, FeiXiang, JiawenMei, Xiaoran沢辺慶起更屋拓哉平本俊郎東大)・Su, Chun-JungTSRI)・Hu, Vita Pi-HoNTUSDM2021-56
ビッグデータの利活用のためにはIoTエッジデバイスにおけるストレージメモリの大容量化が欠かせない.特に消費電力性能が重要... [more] SDM2021-56
pp.19-22
SDM 2021-11-11
16:15
ONLINE オンライン開催 標準化された電荷密度対電圧特性に基づく新しいしきい値定義の提案
竹内 潔水谷朋子更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2021-58
基板でのフェルミレベルと真性レベルの差の2倍だけバンドが曲がった状態をMOSFETのしきい状態とするしきい値の定義方法が... [more] SDM2021-58
pp.29-32
SDM 2020-11-20
11:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]Si IGBTの3次元デバイス・シミュレーション ~ 物理モデルの検討と実測結果との比較 ~
執行直之渡辺正裕角嶋邦之星井拓也古川和由東工大)・中島 昭産総研)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝)・更屋拓哉高倉俊彦伊藤一夫福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・若林 整宗田伊里也東工大)・西澤伸一九大)・筒井一生東工大)・平本俊郎東大)・大橋弘通岩井 洋東工大SDM2020-30
 [more] SDM2020-30
pp.36-40
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2020-08-07
11:25
ONLINE オンライン開催 Gate-all-around p-type poly-Si junctionless nanowire transistor with steep subthreshold slope
Min-Ju AhnTakuya SarayaMasaharu KobayashiToshiro HiramotoIIS, Tokyo Univ.SDM2020-9 ICD2020-9
In this work, GAA p-type junctionless nanowire transistor wi... [more] SDM2020-9 ICD2020-9
pp.41-46
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-15
14:15
愛媛 愛媛県男女共同参画センター SOIウェハの直接接合を用いた3層構造リングオシレータとイメージセンサの試作
後藤正英NHK)・本田悠葵NHKエンジニアリングシステム)・渡部俊久萩原 啓難波正和井口義則NHK)・更屋拓哉小林正治東大)・日暮栄治産総研)・年吉 洋平本俊郎東大ICD2019-38 IE2019-44
超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して,画素並列信号処理を行う3次元構造イメージセンサの... [more] ICD2019-38 IE2019-44
pp.45-49
SDM 2019-11-07
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体HfO2トンネル接合メモリのスケーラビリティに関する検討
小林正治莫 非多川友作更屋拓哉平本俊郎東大SDM2019-69
 [more] SDM2019-69
pp.5-8
SDM 2019-11-08
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション
渡辺正裕執行直之星井拓也古川和由角嶋邦之東工大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・更屋拓哉高倉俊彦伊藤一夫福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・宗田伊里也若林 整東工大)・中島 昭産総研)・西澤伸一九大)・筒井一生東工大)・平本俊郎東大)・大橋弘通岩井 洋東工大SDM2019-77
トレンチゲート型シリコンIGBT(insulated gate bipolar transistor)の3次元TCADシ... [more] SDM2019-77
pp.45-48
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
10:00
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 極値理論を利用した最大SRAMデータ保持電圧の統計解析
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2019-41 ICD2019-6
最大SRAMデータ保持電圧 (DRV) の推定に極値理論を応用した.65nm技術で作製したバルク6T-SRAM デバイス... [more] SDM2019-41 ICD2019-6
pp.27-30
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
10:25
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [依頼講演]5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作
平本俊郎更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・齋藤 渉九大)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之若林 整筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大SDM2019-42 ICD2019-7
 [more] SDM2019-42 ICD2019-7
pp.31-34
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
09:30
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]極薄IGZOチャネルを有する強誘電体トランジスタメモリの検討
小林正治莫 非多川友作金 成吉安 珉柱更屋拓哉平本俊郎東大SDM2019-45 ICD2019-10
強誘電体HfO2の発見によりCMOSプロセスとの整合性の高さが注目され強誘電体メモリが低消費電力メモリとして再び注目を集... [more] SDM2019-45 ICD2019-10
pp.59-62
SDM 2019-01-29
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]The Relationship between Polarization Switching and Subthreshold Behavior in HfO2-based Ferroelectric and Anti-ferroelectric FET: An Experimental Study
Chengji JinKyungmin JangTakuya SarayaToshiro HiramotoMasaharu KobayashiUniv. of TokyoSDM2018-84
We have experimentally studied and revealed the direct relat... [more] SDM2018-84
pp.13-16
SDM 2019-01-29
11:25
東京 機械振興会館 [招待講演]Simulation study on Ferroelectric-HfO2 Tunnel Junction Memory Based on Non-equilibrium Green Function Method with Self-consistent Potential
Fei MoYusaku TagawaTakuya SarayaToshiro HiramotoMasaharu KobayashiUniv. of TokyoSDM2018-85
 [more] SDM2018-85
pp.17-20
SDM 2019-01-29
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減
更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子齋藤 渉東芝)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大)・平本俊郎東大SDM2018-90
スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipola... [more] SDM2018-90
pp.39-44
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2018-12-07
15:15
広島 サテライトキャンパスひろしま 画素単位の3次元集積化技術を用いたリニア広ダイナミックレンジ出力QVGAイメージセンサ
後藤正英本田悠葵渡部俊久萩原 啓難波正和井口義則NHK)・更屋拓哉小林正治日暮栄治年吉 洋平本俊郎東大CPM2018-97 ICD2018-58 IE2018-76
超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して,画素並列信号処理を行う3次元構造CMOSイメージ... [more] CPM2018-97 ICD2018-58 IE2018-76
pp.43-48
QIT
(第二種研究会)
2018-11-26
13:30
東京 東京大学 [ポスター講演]多量子ビット化実現に向けたスケーラブルな積層構造型シリコン量子ビットの提案
伊藤優希小林正治平本俊郎東大
シリコン量子ビットの多量子ビット化に向けて積層構造型シリコン量子ビットを提案する。提案するシリコン量子ビットは量子ビット... [more]
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-08
09:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 Understanding Temperature Effect on Subthreshold Slope Variability in Bulk and SOTB MOSFETs
Shuang GaoTomoko MizutaniKiyoshi TakeuchiMasaharu KobayashiToshiro HiramotoUniv. TokyoSDM2018-37 ICD2018-24
We present a new finding that subthreshold slope (SS) variab... [more] SDM2018-37 ICD2018-24
pp.65-70
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
13:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2018-49 ICD2018-36
ランダムしきい値電圧 (VTH) ばらつきにより劣化したSRAMセルの安定性を向上させる「安定性自己修復技術」において,... [more] SDM2018-49 ICD2018-36
pp.121-126
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
14:10
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 強誘電体HfO2 FTJの高TER化と多値化のためのデバイスおよびプロセス設計
小林正治多川友作バク ヒ平本俊郎東大SDM2018-50 ICD2018-37
 [more] SDM2018-50 ICD2018-37
pp.127-130
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