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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2021-01-28
15:35
ONLINE オンライン開催 [招待講演]プラズマ曝露中に確率的ラテラル散乱によって導入されるシリコン中の欠陥が超低リーク電流デバイスに与える影響の評価
佐藤好弘山田隆善西村佳壽子山崎雅之村上雅史パナソニック)・占部継一郎江利口浩二京大SDM2020-53
イメージセンサに代表される超低リーク電流デバイスを設計する上で,極微少量欠陥の存在および分布がデバイス特性に及ぼす影響を... [more] SDM2020-53
pp.17-20
ITS, IE
(共催)
ITE-AIT, ITE-HI, ITE-ME
(共催)
(連催) [詳細]
2013-02-19
12:00
北海道 北海道大学 車載レンジセンサによる高速道路の長大トンネルの三次元モデリングと評価 ~ 高密度計測と絶対位置合わせ ~
小野晋太郎薛 亮阪野貴彦大石岳史佐藤啓宏池内克史東大ITS2012-51 IE2012-131
道路構造の精緻な三次元形状モデルは,安全対策や運転シミュレーション,自動運転の参照用データなどあらゆる用途に対して基本と... [more] ITS2012-51 IE2012-131
pp.299-304
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-20
14:25
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 大電流動作GaN MOSFET
野村剛彦神林 宏佐藤義浩新山勇樹加藤禎宏次世代パワーデバイス技研組合ED2009-156 CPM2009-130 LQE2009-135
Si基板上に形成した、AlGaN/GaNヘテロ接合をゲート・ドレイン間に用いたGaN系MOSFETの大電流動作について報... [more] ED2009-156 CPM2009-130 LQE2009-135
pp.133-137
ED 2008-10-23
13:50
福岡 九州工業大学 4インチSi基板上高出力AlGaN/GaN HFETの開発
池田成明賀屋秀介李 江古川拓也佐藤義浩加藤禎宏古河電工ED2008-148
 [more] ED2008-148
pp.139-142
SDM 2007-03-15
13:30
東京 機械振興会館 抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討
佐藤嘉洋木下健太郎能代英之青木正樹杉山芳弘富士通研
あらまし 我々は二元系金属酸化物 (BMO) 素子からなる抵抗変化メモリ(ReRAM)のセルにパルス電圧を印加する評価を... [more] SDM2006-255
pp.7-10
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
13:00
北海道 函館国際ホテル MTJ抵抗比による電圧センス型1T2MTJ MRAM
青木正樹岩佐 拓佐藤嘉洋富士通研
我々は、1つのトランジスタと2つのMTJ素子(1T2MTJ)を組み合わせて1つのメモリセルとするMRAMの新しい回路方式... [more] SDM2005-150 ICD2005-89
pp.43-48
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