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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2014-06-19
14:05
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー ナノ構造中における電子輸送の理論的研究
藤田弦暉塩川太郎筑波大)・高田幸宏東京理科大)・小鍋 哲筑波大)・村口正和東北大)・山本貴博東京理科大)・遠藤哲郎東北大)・初貝安弘筑波大)・白石賢二名大SDM2014-53
ナノスケールチャネル中における電子輸送について長距離電子間相互作用を考慮した計算を行った。 [more] SDM2014-53
pp.55-58
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
16:15
東京 東工大 大岡山キャンパス Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor
Masakazu MuraguchiTohoku Univ.)・Yoko SakuraiYukihiro TakadaShintaro NomuraKenji ShiraishiUniv. of Tsukuba.)・Mitsuhisa IkedaKatsunori MakiharaSeiichi MiyazakiHiroshima Univ.)・Yasuteru ShigetaUniv. of Hyogo)・Tetsuo EndohTohoku Univ.ED2010-122 SDM2010-123
The efficiency and stability of electron injection from the ... [more] ED2010-122 SDM2010-123
pp.319-324
SDM, ED
(共催)
2009-06-26
11:45
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Importance of the Eelectronic State on the Electrode in Electron Tunneling Processes between the Electrode and the Quantum Dot
Masakazu MuraguchiTohoku Univ.)・Yukihiro TakadaShintaro NomuraUniv. of Tsukuba.)・Tetsuo EndohTohoku Univ.)・Kenji ShiraishiUniv. of Tsukuba.ED2009-93 SDM2009-88
We have revealed that the electronic states in the electrode... [more] ED2009-93 SDM2009-88
pp.185-188
SDM 2007-06-07
15:30
広島 広島大学(学士会館) SiO2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案
高田幸宏村口正和白石賢二筑波大SDM2007-35
SiO2中に埋め込まれたマルチ量子ドットから構成されるフローティングゲートへの多電子の同時注入が実験によって報告されてい... [more] SDM2007-35
pp.23-26
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