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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
13:30
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性
西田将太梁 剣波森本雅史重川直輝阪市大)・新井 学新日本無線ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103
表面活性化ボンディング法(SAB法)により形成されたp+-Si/n-4H-SiCヘテロ接合(アニール処理なし、アニール処... [more] ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103
pp.21-25
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