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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
11:10
北海道 函館国際ホテル Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善
門島 勝小川有人高橋正志MIRAI-ASET)・太田裕之MIRAI-ASRC)・三瀬信行岩本邦彦MIRAI-ASET)・右田真司MIRAI-ASRC)・藤原英明佐竹秀喜生田目俊秀MIRAI-ASET)・鳥海 明MIRAI-ASRC/東大
Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のCMOSFETへ適用が期待されているが、n-及びp-MOSFETの閾値が非対称になることが問... [more] SDM2005-148 ICD2005-87
pp.31-36
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