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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE 2012-12-13
10:25
東京 機械振興会館 GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化
進藤隆彦二見充輝土居恭平雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大LQE2012-123
LSIの微細化・高速化に伴い、素子間の配線におけるRC遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念さ... [more] LQE2012-123
pp.9-14
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