| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2022-10-19 17:20 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大）  SDM2022-63 |
強誘電性HfO2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタへ(... [more] | SDM2022-63 pp.38-42 |
| SDM | 2018-10-18 14:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析 ○市野真也・寺本章伸・黒田理人・間脇武蔵・諏訪智之・須川成利（東北大） SDM2018-62 |
高精度アナログデバイス回路の実現に支障をきたす，しきい値電圧ばらつきやランダムテレグラフノイズ（RTN）といったMOSト... [more] | SDM2018-62 pp.51-56 |
| RECONF, CPSY, VLD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2015-01-29 17:40 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | 電源電圧としきい値電圧の同時最適化が集積回路の消費エネルギーに与える影響の解析 ○竹下俊宏・西澤真一・Islam AKM Mahfuzul・石原 亨・小野寺秀俊（京大） VLD2014-129 CPSY2014-138 RECONF2014-62 |
トランジスタの電源電圧としきい値電圧をアプリケーションやチップの動作状況に応じて適切に設定することにより，集積回路の消費... [more] | VLD2014-129 CPSY2014-138 RECONF2014-62 pp.111-116 |
| SDM | 2015-01-27 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測 ○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・柳 永勛・松川 貴・石川由紀・遠藤和彦・大内真一・塚田順一・山内洋美・森田行則・右田真司・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2014-143 |
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs（TFETs）のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] | SDM2014-143 pp.33-36 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 14:55 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | 65nmSOTBプロセスで試作したリングオシレータを用いたアンテナダメージによる初期発振周波数劣化の測定と評価 ○大島 梓・岸田 亮・籔内美智太郎・小林和淑（京都工繊大） SDM2014-79 ICD2014-48 |
近年の集積回路の微細化に伴い, BTIやアンテナダメージの影響が深刻化してい る。本研究では, 65nm バルク・S... [more] |
SDM2014-79 ICD2014-48 pp.93-98 |
| SDM | 2014-01-29 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］110 億トランジスタの特性分布における±5.4σより外れたトランジスタの解析 ○水谷朋子・クマール アニール・平本俊郎（東大） SDM2013-142 |
110億個のトランジスタの特性分布のテール部分にあるトランジスタの特性を詳細に解析した．その結果，定電流法で定義された ... [more] | SDM2013-142 pp.31-34 |
| SDM | 2013-12-13 17:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察 ○金藤夏子・矢野裕司・大澤 愛・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-132 |
シリコンカーバイド(SiC)製MOSFETは高耐圧でも低損失な新しいパワーデバイスとして期待されているが，しきい値電圧の... [more] | SDM2013-132 pp.97-100 |
| VLD, IPSJ-SLDM (連催) |
2013-05-16 09:00 |
福岡 | 北九州国際会議場 | レイアウト依存効果を考慮したパラメータ化セルによる性能駆動SRAMマクロ設計手法 ○張 宇・中武繁寿（北九州市大） VLD2013-1 |
ナノスケール·プロセスでは、 Shallow Trench Isolation(STI)ストレスとウェル... [more] |
VLD2013-1 pp.1-6 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 10:00 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術 ○クマール アニール・更屋拓哉（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・平本俊郎（東大） SDM2012-65 ICD2012-33 |
電源電圧線(VDD)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより，SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのS... [more] | SDM2012-65 ICD2012-33 pp.13-16 |
| SDM | 2011-10-21 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル ○江利口浩二・中久保義則・松田朝彦・鷹尾祥典・斧 高一（京大） SDM2011-110 |
プロセスプラズマからのイオン衝撃による物理的プラズマダメージが，デバイス特性に及ぼす影響について詳細に考察した．イオンの... [more] | SDM2011-110 pp.73-78 |
| SDM | 2010-12-17 10:00 |
京都 | 京都大学(桂) | MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めた<100>Siナノワイヤのバンドギャップ ○吉岡裕典・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大） SDM2010-185 |
18 nmから4 nmの断面サイズ（断面積の平方根）の<100>SiナノワイヤMOSFETを作製し、電気的特性を評価した... [more] | SDM2010-185 pp.1-6 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 16:00 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析 ○水谷朋子（東大）・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Anil Kumar（東大）・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗（MIRAI-Selete）・寺田和夫（広島市大）・最上 徹（MIRAI-Selete）・平本俊郎（東大/MIRAI-Selete） SDM2010-150 ICD2010-65 |
大規模DMA-TEGにより65nm技術で作製したMOSトランジスタの電流ばらつきを測定し、電流ばらつきがしきい値電圧ばら... [more] | SDM2010-150 ICD2010-65 pp.143-148 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 16:25 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価 ○柳 永勲・遠藤和彦・大内真一（産総研）・亀井貴弘（明大）・塚田順一・山内洋美・石川由紀（産総研）・林田哲郎（明大）・坂本邦博・松川 貴（産総研）・小椋厚志（明大）・昌原明植（産総研） SDM2010-151 ICD2010-66 |
ゲート長を20 nmまでスケーリングした微細FinFETにおけるしきい値電圧(Vt)のばらつきを系統的に評価し，結晶異方... [more] | SDM2010-151 ICD2010-66 pp.149-154 |
| VLD | 2009-03-13 14:50 |
沖縄 | 沖縄県男女共同参画センター | サブスレッショルド領域で動作するDTMOS動作方式を用いた低電力システムLSIの検討 ○鶴窪 淳・渡辺重佳（湘南工科大） VLD2008-166 |
本論文では、サブスレッショルド領域で動作するDTMOS型のインバータの動作速度と消費電力をしきい値電圧が一定の通常動作と... [more] | VLD2008-166 pp.237-241 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別講演］微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向 ○平本俊郎（東大/MIRAI-Selete）・竹内 潔・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Arifin T.P.（東大）・西田彰男・蒲原史朗（MIRAI-Selete） SDM2008-135 ICD2008-45 |
微細トランジスタの特性ばらつきは，半導体技術のおける最大の問題の一つである．最先端の65nm技術におけるトランジスタの特... [more] | SDM2008-135 ICD2008-45 pp.41-46 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 14:05 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Ga2o3-In2O3-Zno(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化 ○藤井茉美・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）・Ji Sim Jung・Jang Yeon Kwon（サムスン総合技術院） SDM2008-10 OME2008-10 |
我々は、DCストレス下におけるGa2O3-In2O3-ZnO（GIZO）薄膜トランジスタの劣化について調査した。正のゲー... [more] | SDM2008-10 OME2008-10 pp.47-50 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価 ○田村隆博・小谷淳二・葛西誠也・橋詰 保（北大） |
AlGaN/GaN HEMT構造をメサ形状に加工してショットキーラップゲート(WPG)を形成したナノ細線FETを作製し、... [more] | ED2006-232 MW2006-185 pp.179-182 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング ○園田賢一郎・石川清志・栄森貴尚・土屋 修（ルネサステクノロジ） |
離散不純物効果がランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による MOSFET のしきい値電圧変動量に与える影響を議論... [more] | VLD2006-42 SDM2006-163 pp.19-24 |
| RECONF | 2006-05-18 14:15 |
宮城 | 東北大学 | Flex Power FPGAにおける最適ボディバイアス電圧値組み合わせの詳細な分析 ○河並 崇・日置雅和・松本洋平（産総研）・堤 利幸（産総研/明大）・中川 格・関川敏弘・小池汎平（産総研） |
Flex Power FPGAはトランジスタのしきい値電圧を電気的に制御することにより，高速化と低消費電力化を可能とした... [more] | RECONF2006-4 pp.19-24 |
| ICD | 2006-04-14 13:00 |
大分 | 大分大学 | ［特別招待講演］バッテリ機器向け低電力・低電圧SRAM回路技術 ○山岡雅直（日立） |
携帯機器向けのプロセッサでは、混載SRAMの電力がプロセッサ全体の電力に与える影響が大きく、低電力混載SRAM回路技術が... [more] | ICD2006-17 pp.91-96 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]