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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2022-10-19
17:20
ONLINE オンライン開催に変更 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討
田沼将一Joong-Won Shin大見俊一郎東工大SDM2022-63
強誘電性HfO2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタへ(... [more] SDM2022-63
pp.38-42
SDM 2018-10-18
14:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析
市野真也寺本章伸黒田理人間脇武蔵諏訪智之須川成利東北大SDM2018-62
高精度アナログデバイス回路の実現に支障をきたす,しきい値電圧ばらつきやランダムテレグラフノイズ(RTN)といったMOSト... [more] SDM2018-62
pp.51-56
RECONF, CPSY, VLD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2015-01-29
17:40
神奈川 慶應義塾大学 日吉キャンパス 電源電圧としきい値電圧の同時最適化が集積回路の消費エネルギーに与える影響の解析
竹下俊宏西澤真一Islam AKM Mahfuzul石原 亨小野寺秀俊京大VLD2014-129 CPSY2014-138 RECONF2014-62
トランジスタの電源電圧としきい値電圧をアプリケーションやチップの動作状況に応じて適切に設定することにより,集積回路の消費... [more] VLD2014-129 CPSY2014-138 RECONF2014-62
pp.111-116
SDM 2015-01-27
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測
水林 亘森 貴洋福田浩一柳 永勛松川 貴石川由紀遠藤和彦大内真一塚田順一山内洋美森田行則右田真司太田裕之昌原明植産総研SDM2014-143
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs(TFETs)のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] SDM2014-143
pp.33-36
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
14:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 65nmSOTBプロセスで試作したリングオシレータを用いたアンテナダメージによる初期発振周波数劣化の測定と評価
大島 梓岸田 亮籔内美智太郎小林和淑京都工繊大SDM2014-79 ICD2014-48
近年の集積回路の微細化に伴い, BTIやアンテナダメージの影響が深刻化してい
る。本研究では, 65nm バルク・S... [more]
SDM2014-79 ICD2014-48
pp.93-98
SDM 2014-01-29
13:55
東京 機械振興会館 [招待講演]110 億トランジスタの特性分布における±5.4σより外れたトランジスタの解析
水谷朋子クマール アニール平本俊郎東大SDM2013-142
110億個のトランジスタの特性分布のテール部分にあるトランジスタの特性を詳細に解析した.その結果,定電流法で定義された ... [more] SDM2013-142
pp.31-34
SDM 2013-12-13
17:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察
金藤夏子矢野裕司大澤 愛畑山智亮冬木 隆奈良先端大SDM2013-132
シリコンカーバイド(SiC)製MOSFETは高耐圧でも低損失な新しいパワーデバイスとして期待されているが,しきい値電圧の... [more] SDM2013-132
pp.97-100
VLD, IPSJ-SLDM
(連催)
2013-05-16
09:00
福岡 北九州国際会議場 レイアウト依存効果を考慮したパラメータ化セルによる性能駆動SRAMマクロ設計手法
張 宇中武繁寿北九州市大VLD2013-1
ナノスケール·プロセスでは、
Shallow Trench Isolation(STI)ストレスとウェル... [more]
VLD2013-1
pp.1-6
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
10:00
北海道 札幌市男女共同参画センター SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術
クマール アニール更屋拓哉東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・平本俊郎東大SDM2012-65 ICD2012-33
電源電圧線(VDD)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより,SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのS... [more] SDM2012-65 ICD2012-33
pp.13-16
SDM 2011-10-21
14:00
宮城 東北大学未来研 [招待講演]物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル
江利口浩二中久保義則松田朝彦鷹尾祥典斧 高一京大SDM2011-110
プロセスプラズマからのイオン衝撃による物理的プラズマダメージが,デバイス特性に及ぼす影響について詳細に考察した.イオンの... [more] SDM2011-110
pp.73-78
SDM 2010-12-17
10:00
京都 京都大学(桂) MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めた<100>Siナノワイヤのバンドギャップ
吉岡裕典森岡直也須田 淳木本恒暢京大SDM2010-185
18 nmから4 nmの断面サイズ(断面積の平方根)の<100>SiナノワイヤMOSFETを作製し、電気的特性を評価した... [more] SDM2010-185
pp.1-6
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
16:00
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析
水谷朋子東大)・角村貴昭MIRAI-Selete)・Anil Kumar東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-SeleteSDM2010-150 ICD2010-65
大規模DMA-TEGにより65nm技術で作製したMOSトランジスタの電流ばらつきを測定し、電流ばらつきがしきい値電圧ばら... [more] SDM2010-150 ICD2010-65
pp.143-148
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
16:25
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価
柳 永勲遠藤和彦大内真一産総研)・亀井貴弘明大)・塚田順一山内洋美石川由紀産総研)・林田哲郎明大)・坂本邦博松川 貴産総研)・小椋厚志明大)・昌原明植産総研SDM2010-151 ICD2010-66
ゲート長を20 nmまでスケーリングした微細FinFETにおけるしきい値電圧(Vt)のばらつきを系統的に評価し,結晶異方... [more] SDM2010-151 ICD2010-66
pp.149-154
VLD 2009-03-13
14:50
沖縄 沖縄県男女共同参画センター サブスレッショルド領域で動作するDTMOS動作方式を用いた低電力システムLSIの検討
鶴窪 淳渡辺重佳湘南工科大VLD2008-166
本論文では、サブスレッショルド領域で動作するDTMOS型のインバータの動作速度と消費電力をしきい値電圧が一定の通常動作と... [more] VLD2008-166
pp.237-241
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
14:00
東京 機械振興会館 [特別講演]微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向
平本俊郎東大/MIRAI-Selete)・竹内 潔角村貴昭MIRAI-Selete)・Arifin T.P.東大)・西田彰男蒲原史朗MIRAI-SeleteSDM2008-135 ICD2008-45
微細トランジスタの特性ばらつきは,半導体技術のおける最大の問題の一つである.最先端の65nm技術におけるトランジスタの特... [more] SDM2008-135 ICD2008-45
pp.41-46
SDM, OME
(共催)
2008-04-11
14:05
沖縄 沖縄県青年会館 Ga2o3-In2O3-Zno(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化
藤井茉美矢野裕司畑山智亮浦岡行治冬木 隆奈良先端大)・Ji Sim JungJang Yeon Kwonサムスン総合技術院SDM2008-10 OME2008-10
我々は、DCストレス下におけるGa2O3-In2O3-ZnO(GIZO)薄膜トランジスタの劣化について調査した。正のゲー... [more] SDM2008-10 OME2008-10
pp.47-50
MW, ED
(共催)
2007-01-19
13:25
東京 機械振興会館 ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価
田村隆博小谷淳二葛西誠也橋詰 保北大
AlGaN/GaN HEMT構造をメサ形状に加工してショットキーラップゲート(WPG)を形成したナノ細線FETを作製し、... [more] ED2006-232 MW2006-185
pp.179-182
SDM, VLD
(共催)
2006-09-26
11:15
東京 機械振興会館 ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング
園田賢一郎石川清志栄森貴尚土屋 修ルネサステクノロジ
離散不純物効果がランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による MOSFET のしきい値電圧変動量に与える影響を議論... [more] VLD2006-42 SDM2006-163
pp.19-24
RECONF 2006-05-18
14:15
宮城 東北大学 Flex Power FPGAにおける最適ボディバイアス電圧値組み合わせの詳細な分析
河並 崇日置雅和松本洋平産総研)・堤 利幸産総研/明大)・中川 格関川敏弘小池汎平産総研
Flex Power FPGAはトランジスタのしきい値電圧を電気的に制御することにより,高速化と低消費電力化を可能とした... [more] RECONF2006-4
pp.19-24
ICD 2006-04-14
13:00
大分 大分大学 [特別招待講演]バッテリ機器向け低電力・低電圧SRAM回路技術
山岡雅直日立
携帯機器向けのプロセッサでは、混載SRAMの電力がプロセッサ全体の電力に与える影響が大きく、低電力混載SRAM回路技術が... [more] ICD2006-17
pp.91-96
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