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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2023-10-13
16:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 強度分布を有するエキシマレーザーアニールによる結晶粒径制御と低温ポリシリコン薄膜トランジスタ特性
西田 脩片山慶太中村大輔九大)・後藤哲也東北大)・池上 浩高知工科大SDM2023-58
エキシマレーザーアニール(ELA)法で結晶化した低温ポリシリコン(LTPS)薄膜トランジスタ(TFT)は、アモルファスシ... [more] SDM2023-58
pp.27-33
SDM, OME
(共催)
2023-04-22
13:35
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]エキシマレーザアニールによるSi薄膜の結晶化技術 ~ 温故知新になる事を期待して ~
栗山博之高砂熱学SDM2023-13 OME2023-13
エキシマレーザによるSi薄膜の結晶化技術はスマートフォン等に用いられている低温ポリシリコン(LTPS)液晶ディスプレイの... [more] SDM2023-13 OME2023-13
pp.48-51
SDM, OME
(共催)
2021-04-23
14:20
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
絶縁基板上Si薄膜の結晶化における課題
野口 隆岡田竜弥琉球大SDM2021-3 OME2021-3
概要

現在、ポリSi TFTは、LTPS(低温ポリSi)TFTともよばれ、その優れた素子特性により、携帯電話、スマ... [more]
SDM2021-3 OME2021-3
pp.13-14
SDM 2018-10-17
15:20
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating
Kaname ImokawaKyushu Univ)・Nozomu TanakaKyushu Univ.)・Akira SuwaKyushu Univ)・Daisuke NakamuraTaizoh SadohKyushu Univ.)・Tetsuya GotoNew Industry Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.)・Hiroshi IkenoueKyushu UnivSDM2018-54
Si TFTのコンタクト抵抗形成には、イオン注入やCVDなどの真空、高温(~500度)のプロセスが必要とされ,プリンタブ... [more] SDM2018-54
pp.11-14
SDM, OME
(共催)
2008-04-11
10:35
沖縄 沖縄県青年会館 ガラス基板上の不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化
野口 隆宮平知幸川井健司琉球大)・鈴木俊治佐藤正輝SENSDM2008-4 OME2008-4
高濃度にホウ素やリンをドープしたSi薄膜に対して、紫外光でパルスであるエキシマレーザアニール(ELA)が施され、その導電... [more] SDM2008-4 OME2008-4
pp.17-22
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
17:10
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 Efficient Activation of Dopant in Poly-Si film using Excimer Laser Annealing
Takashi NoguchiUniversity of the Ryukyus
微細な高性MOS FETの場合と同様に、ガラス、プラスチック基板上などにつくる高性能Si TFTの実現において、不純物ド... [more]
CPM 2005-11-12
09:50
福井 福井大学 ArFレーザ援用MOCVD法で作製したInN1-xOx薄膜によるH2Sの光触媒分解効果
宮西正芳福井大)・高橋尚也福井高専)・小林隆弘福井大)・高山勝己福井高専)・南保幸男日華化学)・橋本明弘山本あきお福井大
ArFエキシマレーザ援用MOCVD法(La-MOCVD法)により低温(500℃以下)で形成したInN膜には酸素が混入し易... [more] CPM2005-163
pp.9-12
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