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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EA, US (併催) |
2023-12-22 13:00 |
福岡 | 九州大学 大橋キャンパス デザインコモン 2階 | ［ポスター講演］エピタキシャルZnO犠牲層を用いたc軸傾斜エピタキシャルScAlN自立薄膜共振子 ○小林 栞・柳谷隆彦（早大）  US2023-59 |
液体中で使用する薄膜共振子型センサやSH-SAWセンサのS/N比を向上するには高い擬似すべりモードの電気機械結合係数k´... [more] | US2023-59 pp.18-23 |
| EA, US (併催) |
2023-12-22 13:00 |
福岡 | 九州大学 大橋キャンパス デザインコモン 2階 | ［ポスター講演］エピ犠牲層エッチングを用いたエピ圧電層/音響ブラッグ反射器構造の作製 ○渡海 智・柳谷隆彦（早大） US2023-60 |
B AW (Bulk Acoustic 共振子の圧電層に単結晶薄膜を用いることで、Q 値や耐電力性が向上することが期待で... [more] | US2023-60 pp.24-29 |
| US | 2023-11-27 16:35 |
静岡 | 静岡大学 | エピScAlN圧電薄膜／エピ音響ブラッグ反射器構造のSMR ○渡海 智・柳谷隆彦（早大） US2023-55 |
単結晶圧電薄膜は、多結晶の場合に比べ耐電力性やQ値が高いという特徴を持つ。しかし、SMR (Solidly Mounte... [more] | US2023-55 pp.67-72 |
| MIKA (第三種研究会) |
2023-10-10 15:35 |
沖縄 | 沖縄県市町村自治会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［ポスター講演］RFフィルタ向けエピタキシャル圧電薄膜多層構造 ○渡海 智・柳谷隆彦（早大） |
スマートフォンに代表される無線通信デバイスには、複数の無線周波数から所望の周波数のみを選択し送受信するための周波数フィル... [more] | |
| EA, US (併催) |
2022-12-22 16:50 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | ［ポスター講演］c軸20º傾斜配向MgZnOエピタキシャル薄膜の擬似横波励振特性 ○岸 大貴（早大）・柳谷隆彦（早大/JST） US2022-62 |
高い擬似すべりモードの電気機械結合係数k´35を持つ圧電薄膜は、液体中で使用する薄膜共振子型センサや表面波センサへの応用... [more] | US2022-62 pp.62-67 |
| EA, US (併催) |
2022-12-22 16:50 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | ［ポスター講演］YbGaNおよびYbAlNエピタキシャル薄膜共振子の特性 ○李 嵩・賈 軍軍・柳谷隆彦（早大） US2022-64 |
AlNやGaN圧電薄膜を用いたバルク弾性波（BAW）共振子は、高い音速と低い機械的損失を持つため、マイクロ波通信用のGH... [more] | US2022-64 pp.74-79 |
| EA, US (併催) |
2022-12-22 16:50 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | ［ポスター講演］LiNbO3スパッタエピ薄膜のGHz帯励振特性 ○工藤慎也・柳谷隆彦（早大） US2022-66 |
LiNbO3は、Q値とk2値が高いため、SAWフィルタに使用されている。しかし、通常のスパッタリング法で成長できるc軸配... [more] | US2022-66 pp.86-91 |
| MRIS, IEE-MAG (連催) |
2022-03-04 13:00 |
愛知 | 名古屋大学+オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
エピタキシャルMn-Al合金薄膜の構造と磁気特性 ○野呂翔太・大竹 充（横浜国大）・磯上慎二（物質・材料研究機構）・二本正昭・川井哲郎（横浜国大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大） MRIS2021-16 |
Mn-Al合金膜を，Mn組成を50から72 at. %まで，成長温度を室温から500 °Cまで，膜厚を10から100 n... [more] | MRIS2021-16 pp.1-6 |
| US | 2021-11-26 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | PbTiO3エピ圧電薄膜を用いた基板裏面におけるGHz超音波の指紋イメージング ○佐藤裕友・柳谷隆彦（早大） US2021-42 |
PZT薄膜やScAlN薄膜を用いたpMUTによるイメージングデバイスが多数報告されている。しかしpMUTは屈曲振動がゆえ... [more] | US2021-42 pp.13-18 |
| US | 2021-11-26 14:15 |
ONLINE | オンライン開催 | スパッタ法により作製した0.3mmの10MHz帯ScAlN薄板トランスデューサ ○岩田直也・柳谷隆彦（早大） US2021-43 |
医療用超音波診断装置には電気機械結合係数 k33 2 が大きい PZT (Pb(Zr, Ti)O3)セラミックや PM... [more] |
US2021-43 pp.19-24 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2021-06-11 10:00 |
宮城 | 東北大通研 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
NiOおよびCu2O下地膜上に成膜したコバルトフェライト薄膜の磁気特性 ○岩動大樹（東北大）・神島謙二・柿崎浩一（埼玉大） MRIS2021-4 |
コバルトフェライト(CFO)に垂直磁気異方性を発現させることを目的として、配向制御用下地膜上にCFOを積層し、その結晶構... [more] | MRIS2021-4 pp.18-21 |
| CPM | 2021-03-03 11:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 乱数生成器に向けたLPEガーネット膜の探索 ○山田海衆・水戸慎一郎（東京高専） CPM2020-62 |
垂直磁気異方性をもつ磁性ガーネット単結晶膜は迷路状の磁区模様を持ち、先行研究より乱数生成に用いることができると知られてい... [more] | CPM2020-62 pp.26-29 |
| SDM | 2020-11-19 13:10 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］大規模第一原理計算とデバイス・プロセスシミュレータ統合に向けて ○押山 淳（名大） SDM2020-24 |
GaNエピタキシャル成長の素過程に関する第一原理計算を報告する．Gaリッチな成長表面ではGa-Gaボンドがユビキタスに存... [more] | SDM2020-24 pp.11-14 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-16 13:25 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | Si上Ge層を用いた近赤外pin受光器の暗電流特性 ○橘 茉優・園井柊平・石川靖彦（豊橋技科大） ED2019-11 CPM2019-2 SDM2019-9 |
超高真空化学気相堆積法によりSi上へエピタキシャル成長したGe層を用い、シリコンフォトニクス用近赤外pin受光器を作製し... [more] | ED2019-11 CPM2019-2 SDM2019-9 pp.5-8 |
| CPM | 2018-10-03 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | 磁性ガーネット単結晶膜の組成探査へ向けた液相エピタキシー装置の開発 ○志村 開・水戸慎一郎（東京高専） CPM2018-40 |
磁性ガーネット単結晶は，半導体レーザを用いた光通信や光応用機器などに必須なファラデー素子として重要であり，特に近年ではス... [more] | CPM2018-40 pp.17-20 |
| US | 2018-05-21 15:45 |
東京 | 機械振興会館 | 周波数スイッチナブルフィルタを目指した常誘電相PMN-PT/強誘電相PZT分極反転エピ膜音響共振子 ○清水貴博・柳谷隆彦（早大） US2018-16 |
近年，移動体通信機器の周波数バンド数の増加に伴って，フィルタ搭載数が増加している．その解決策の1つとして，1つのフィルタ... [more] | US2018-16 pp.29-34 |
| CPM, ED, EID, SDM, ICD, MRIS, SCE, OME, EMD (共催) QIT (併催) [詳細] |
2018-03-08 16:40 |
静岡 | 東レ総合研修センター | ［招待講演］FePt合金系エピタキシャル薄膜の結晶配向と表面平坦性の制御 ○二本正昭・大竹 充（中大） EMD2017-78 MR2017-49 SCE2017-49 EID2017-51 ED2017-123 CPM2017-143 SDM2017-123 ICD2017-128 OME2017-72 |
高い磁気異方性(Ku)を持つL10-FePt系合金薄膜は、高密度磁気記録媒体への応用に向けて積極的な研究開発が行われてい... [more] | EMD2017-78 MR2017-49 SCE2017-49 EID2017-51 ED2017-123 CPM2017-143 SDM2017-123 ICD2017-128 OME2017-72 pp.31-36 |
| LQE | 2018-02-23 10:35 |
神奈川 | 古河電工横浜事業所 | ［特別招待講演］Si上へのGeのエピタキシャル成長と受光素子応用 ○石川靖彦（豊橋技科大） LQE2017-152 |
Si上へのGe層のエピタキシャル成長および光通信波長域（1.3–1.6 µm）の受光素子への応用について紹介する。Siと... [more] | LQE2017-152 pp.7-10 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 15:50 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］GaN電子デバイス用エピウエハの現状と課題 ○乙木洋平（SCIOCS） ED2016-100 MW2016-176 |
GaN電子デバイスは高周波用途を中心に実用化がすすんでいる。エピタキシャル成長においては、GaAs系にくらべ、成長条件の... [more] | ED2016-100 MW2016-176 pp.19-22 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-12-09 10:55 |
愛媛 | 愛媛大学 | Fe-Co-B合金薄膜の構造と磁気特性に及ぼすB組成と膜形成温度の影響 ○芹澤伽那・落合亮真・中村将大（中大）・大竹 充（工学院大/中大）・二本正昭（中大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大） MR2016-39 |
40 nm厚の(Fe0.7Co0.3)100–xBx（x = 5, 10, 15 at. %）合金膜を基板温... [more] | MR2016-39 pp.57-62 |
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