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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2023-10-13
16:40
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 界面酸化を抑制したGaN MOS界面形成プロセス
近藤 剣上野勝典田中 亮高島信也江戸雅晴富士電機)・諏訪智之東北大SDM2023-60
本稿ではGaN MOSFETのMOS界面酸化が電気的特性に及ぼす影響とともに, 低酸化なGaN/SiO2 MOS界面形成... [more] SDM2023-60
pp.40-45
SDM 2019-01-29
13:45
東京 機械振興会館 [招待講演]HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作
宮田典幸産総研)・奈良 純山崎隆浩物質・材料研究機構)・住田杏子産総研)・佐野良介野平博司東京都市大SDM2018-87
1分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole ... [more] SDM2018-87
pp.27-30
SDM 2018-06-25
11:40
愛知 名古屋大学 VBL3F 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御
細井卓治山田高寛野崎幹人阪大)・高橋言諸山田 永清水三聡産総研)・吉越章隆原子力機構)・志村考功渡部平司阪大SDM2018-18
GaN MOSFETは高耐圧・低損失スイッチング素子として期待されているが、その実現には良質な絶縁膜および絶縁膜/GaN... [more] SDM2018-18
pp.11-14
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2018-01-25
14:30
静岡 静岡大学 浜松キャンパス 分子配向性絶縁膜上の有機半導体薄膜作製とそのTFT特性への影響に関する研究
沖元 慈飯村靖文東京農工大)・大野龍蔵JSREID2017-36
有機TFTの電気的特性の向上を目指すために、有機材料の分子配向異方性に注目した。通常絶縁の役割しか果たさないOTFTのゲ... [more] EID2017-36
pp.25-28
SDM 2017-11-09
13:05
東京 機械振興会館 p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討
酒井 敦永久克己ルネサス エレクトロニクス)・藤井宏基森 隆弘ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング)・秋山 豊山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2017-63
BiCDプロセスで用いられるp-LDMOSFETではホットキャリアストレスによってゲート酸化膜の絶縁破壊が起こるため,信... [more] SDM2017-63
pp.11-14
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-27
10:35
青森 青森県観光物産館アスパム イオン液体をゲート絶縁膜として用いた高信頼性IGZO-TFTの開発
岡田広美藤井茉美石河泰明奈良先端大)・三輪一元電中研)・浦岡行治奈良先端大)・小野新平電中研R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31
非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)は,優れた電気特性,低温作製可能,ワイドバンドギャップとい... [more] R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31
pp.5-8
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-27
11:00
青森 青森県観光物産館アスパム ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現
山﨑はるか石河泰明藤井茉美ジョアン パウロ ベルムンド奈良先端大)・高橋英治安東靖典日新電機)・浦岡行治奈良先端大R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32
近年、透明アモルファス酸化物半導体であるa-InGaZnO (a-IGZO)を用いた薄膜トランジスタ(TFT)は、次世代... [more] R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32
pp.9-11
SDM 2015-06-19
15:15
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性
栗島一徳明大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀塚越一仁大井暁彦知京豊裕物質・材料研究機構)・小椋厚志明大SDM2015-51
Ga-In-Zn-O(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性にAl2O3層が及ぼす影響について調査した。プラズマ... [more] SDM2015-51
pp.69-73
SDM 2014-06-19
09:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計
淺原亮平細井卓治志村考功渡部平司阪大SDM2014-43
高性能Ge-MOSFET実現には、1 nm以下のSiO2換算膜厚(Equivalent Oxide Thickness:... [more] SDM2014-43
pp.1-5
SDM, OME
(共催)
2014-04-11
10:30
沖縄 沖縄県青年会館 O2混合Arスパッタにより室温成膜したSiO2膜の電気特性評価
井村公彦・○岡田竜弥下田清治杉原弘也野口 隆琉球大SDM2014-13 OME2014-13
フレキシブルディスプレイの作製において,良質の絶縁膜をプラスチックなどの低耐熱性基板上に形成することが求められる.本研究... [more] SDM2014-13 OME2014-13
pp.55-57
SDM 2013-12-13
09:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性
吉嗣晃治梅原智明堀田昌宏石河泰明浦岡行治奈良先端大SDM2013-117
原子層堆積法(Atomic layer deposition: ALD)で形成したn-GaN上Al2O3構造に対して,堆... [more] SDM2013-117
pp.7-11
SDM 2013-10-18
10:30
宮城 東北大学未来研 バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価
池野成裕永田晃基明大)・陰地 宏廣沢一郎高輝度光科学研究センター)・小椋厚志明大SDM2013-94
SiO2/Si 構造における界面準位の議論は、トランジスタの設計において最も重要なパラメータの一つである。界面準位の評価... [more] SDM2013-94
pp.33-36
SDM 2012-06-21
11:55
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化
細井卓治大嶽祐輝有村拓晃力石薫介北野尚武志村考功渡部平司阪大SDM2012-51
ゲートファーストmeta/high-kスタックの課題として,実効仕事関数の制御とEOTスケーリングが挙げられる.TiN/... [more] SDM2012-51
pp.43-46
SDM, OME
(共催)
2012-04-28
11:30
沖縄 沖縄県青年会館 RFスパッタ法により製膜したSiO2及びSiN薄膜の電気特性評価
屋宜佳佑岡田竜弥野口 隆琉球大SDM2012-17 OME2012-17
RFスパッタリングによってSi基板上にSiO2、SiN膜を100 nm製膜した。その後、熱アニールを施し、アニール前後の... [more] SDM2012-17 OME2012-17
pp.75-77
ED 2012-04-18
14:15
山形 山形大学工学部 百周年記念会館大会議室 熱硬化型フッ素系高分子ゲート絶縁膜を用いた高分子TFTの高性能化
南木 創山形大)・伊藤昌宏旭硝子)・奥 慎也福田憲二郎熊木大介水上 誠時任静士山形大ED2012-4
有機半導体薄膜の結晶性や配向性は基板の表面エネルギーに強く依存し,基板に疎水化処理を施すことで移動度が大きく増加すること... [more] ED2012-4
pp.15-18
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
13:25
北海道 北海道大学 百年記念会館 CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響
鈴木耕佑大野雄高岸本 茂水谷 孝名大ED2011-156 SDM2011-173
カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)のゲート絶縁膜界面に生ずる界面電荷について、ケルビンプローブフォ... [more] ED2011-156 SDM2011-173
pp.83-87
SDM 2011-07-04
15:40
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制
大嶽祐輝有村拓晃佐伯雅之力石薫介北野尚武細井卓治志村考功渡部平司阪大SDM2011-65
ゲートファーストプロセスによるMetal/High-kスタックの実現に向け、TiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタッ... [more] SDM2011-65
pp.87-92
EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL
(連催)
2011-01-29
09:55
高知 高知工科大学 研究教育棟B 低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成
松田時宜古田 守平松孝浩古田 寛平尾 孝高知工科大EID2010-35
薄膜トランジスタのような半導体デバイスを、フレキシブル電子ペーパーなどへの応用が期待される低耐熱性基板へ応用するため、絶... [more] EID2010-35
pp.87-90
MW, ED
(共催)
2011-01-14
13:00
東京 機械振興会館 3C-SiC-OI基板上でのMOSゲート絶縁膜のプロセス依存性
横山圭祐中村浩之中尾 基大西克典九工大ED2010-187 MW2010-147
3C-SiC-OI基板上にMOS構造を作製し,そのゲート絶縁膜の特性を評価した.従来SiC上に熱酸化により形成されたSi... [more] ED2010-187 MW2010-147
pp.65-68
SDM 2010-11-11
14:40
東京 機械振興会館 [招待講演]金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解
細井卓治佐伯雅之喜多祐起奥 雄大有村拓晃北野尚武阪大)・白石賢二山田啓作筑波大)・志村考功渡部平司阪大SDM2010-175
p型電極/高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは,電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず,ソース/ドレイン活性化アニー... [more] SDM2010-175
pp.23-28
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