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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2022-11-11 10:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］自己加熱制御用の金属酸化物材料分子センサのコンパクトモデル実装 ○椎木陽介（慶大）・長田紳太郎・高橋綱己・柳田 剛（東大）・石黒仁揮（慶大）  SDM2022-72 |
金属酸化物材料を使用した分子センサは一般に外部加熱を利用しているがセンサ以外の基盤等にも熱が逃げてしまうため大きな電力消... [more] | SDM2022-72 pp.40-43 |
| SDM | 2022-11-11 15:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］SiCパワーモジュールの高信頼性設計 ～ 劣化予測へ向けた実験的特性評価 ～ ○福永崇平（阪大）・カスティラッズィ アルベルト（京都先端科学大）・舟木 剛（阪大） SDM2022-76 |
本研究では, 高電圧電力変換回路に適用する, SiC MOSFETを用いたマルチチップパワーモジュールの高信頼設計に取り... [more] | SDM2022-76 pp.55-60 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2021-10-22 16:30 |
ONLINE | オンライン開催 | キャリア空乏マッハ・ツェンダ型シリコン光変調器における位相シフタのコンパクトモデルの提案ならびにパラメータ抽出 ○村尾覚志・牛田 淳・高橋博之・徳島正敏・椎名明美・堀川 剛（光電子融合基盤技研） OCS2021-18 OPE2021-38 LQE2021-17 |
光デバイスにおける検査工程はエレクトロニクスと大きく異なり，シリコンフォトニクスにおける検査時間の削減は大きな課題となっ... [more] | OCS2021-18 OPE2021-38 LQE2021-17 pp.27-32 |
| SDM | 2019-11-07 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］産業応用を目指したコンパクトモデルの開発 ○三浦道子（広島大） SDM2019-72 |
半導体デバイスの進化によって，回路の性能は向上の一途をたどっている．これに伴って回路設計用モデル，コンパクトモデルの精度... [more] | SDM2019-72 pp.17-20 |
| HWS, VLD (共催) |
2019-02-28 15:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 自動微分を用いたSPICEモデルパラメータ抽出環境の構築 ○上田 葵（奈良高専）・新谷道広（奈良先端大）・岩田大志・山口賢一（奈良高専）・井上美智子（奈良先端大） VLD2018-117 HWS2018-80 |
MOSFETコンパクトモデルのパラメータ抽出は，高精度な回路シミュレーションを行うために重要な工程の1つであるが，コンパ... [more] | VLD2018-117 HWS2018-80 pp.145-150 |
| SDM | 2013-11-15 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | DIBL効果を取り入れた弾道・準弾道GAA-MOSFSETのコンパクトモデル ○程 賀（名大）・宇野重康（立命館大）・中里和郎（名大） SDM2013-107 |
弾道・準弾道輸送円筒形Gate-All-Around (GAA) MOSFETコンパクトモデルについて研究し、Drain... [more] | SDM2013-107 pp.43-48 |
| SDM | 2012-11-15 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］2012 SISPAD レビュー ～ コンパクトモデル、デバイス(ばらつき、信頼性) ～ ○飯塚貴弘（広島大） SDM2012-99 |
国際会議 2012 SISPAD (9/5, 6, 7, 米国コロラド州デンバーにて開催)の発表論文からコンパクトモデル... [more] | SDM2012-99 pp.5-7 |
| SDM | 2012-11-16 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | Tunnel FETの非局所モデリング ～ デバイスモデルと回路モデル ～ ○福田浩一・森 貴洋・水林 亘・森田行則・田邊顕人・昌原明植・安田哲二・右田真司・太田裕之（産総研） SDM2012-111 |
非局所バンド間トンネルモデルに基づき、トンネルFETのデバイス及び回路モデルの基礎を開発した。デバイスでモデルでは非局所... [more] | SDM2012-111 pp.63-68 |
| SDM | 2012-11-16 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | 弾道・準弾道輸送円筒形GAA-MOSFETの回路コンパクトモデルとシミュレーション ○程 賀（名大）・宇野重康（立命館大）・沼田達宏・中里和郎（名大） SDM2012-112 |
摂動法を用いた準弾道輸送円筒形Gate-all-around (GAA) MOSFETコンパクトモデルについて研究し、サ... [more] | SDM2012-112 pp.69-73 |
| SDM | 2010-11-12 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | HV-MOSFETのオーバーラップ領域における2次元効果のモデル化 ○田中昭洋・折附泰典・菊地原秀行・三宅正尭・マタウシュ ハンス ユルゲン・三浦道子（広島大）・リウ ヨン・グリーン キース（Texas Instruments） SDM2010-181 |
高耐圧MOSFETは数Vから数100Vまでの広い耐圧をMOSFET部分とドレイン側のドリフト部分を調整することによって実... [more] | SDM2010-181 pp.53-57 |
| SDM | 2009-11-12 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | 回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT" ○三宅正尭・舛岡弘基・ウヴェ フェルドマン・三浦道子（広島大） SDM2009-139 |
高耐圧デバイスIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を用いた数百ボルトから数千ボルトクラスの電力変換回路の設計に... [more] | SDM2009-139 pp.23-27 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］コンパクトモデルの進化 ～ 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴 ～ ○大黒達也（東芝/広島大）・三浦道子（広島大） SDM2008-133 ICD2008-43 |
LSI設計の基盤となるトランジスタのコンパクトモデルが代わりつつある。ここ10年間はCMOSデジタル回路に最適化されたV... [more] | SDM2008-133 ICD2008-43 pp.29-34 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | 相変化メモリのリセット特性のモデリング ○酒井 敦・園田賢一郎・茂庭昌弘・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ） VLD2007-55 SDM2007-199 |
本研究では，3次元の電気・熱伝導を考慮した相変化メモリのコンパクトモデルを開発し，リセット動作の解析を行った． このモ... [more] |
VLD2007-55 SDM2007-199 pp.23-26 |
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