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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2024-11-07
15:05
東京 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 (東京都, オンライン)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]ランダムポテンシャルがMOSFETのサブスレッショルド特性に与える影響
森 伸也阪大SDM2024-58
MOSFETのサブスレッショルド係数が,極低温において飽和する現象が観測されている.それを説明するモデルの一つに,2次元... [more] SDM2024-58
pp.16-19
SDM 2024-06-21
12:10
大阪 関西学院大学・梅田キャンパス (大阪府) [招待講演]ランダムポテンシャルによるMOSFETの特性変化
森 伸也阪大SDM2024-21
MOSFETのサブスレッショルド係数が,極低温において飽和する現象が観測されている.それを説明するモデルの一つに,2次元... [more] SDM2024-21
pp.9-12
SDM 2024-01-31
12:35
東京 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス (東京都, オンライン)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]mK評価が明らかにするMOSFET極低温動作におけるバンド端準位の役割
岡 博史浅井栄大稲葉 工下方駿佑由井 斉更田裕司飯塚将太加藤公彦中山隆史森 貴洋産総研SDM2023-74
高集積量子コンピュータの実現に向けて,量子ビット制御機器の機能を集積回路化して冷凍機内部で信号の送受信を行うクライオCM... [more] SDM2023-74
pp.1-4
NLP, CAS
(共催)
2023-10-06
14:50
岐阜 ワークプラザ岐阜 (岐阜県) サブスレッショルド領域で動作するアップダウンカウンタを用いたPWM加算回路の設計と評価
阿部 岳アンドリノ ロベルト二瓶匠充原田知親山形大CAS2023-42 NLP2023-41
本論文では、0.18μm CMOS 技術を用いて、サブスレッショルド領域で動作するアップダウンカウンタを用いたPWM加算... [more] CAS2023-42 NLP2023-41
pp.53-57
NLP, CAS
(共催)
2023-10-06
15:10
岐阜 ワークプラザ岐阜 (岐阜県) 周波数逓倍回路による変換分解能向上を目指したPWM/Digital変換器の研究
張 鶴アンドリノ ロベルト原田知親山形大CAS2023-43 NLP2023-42
IoT(Internet of Things)デバイスでは、消費電力の削減が望まれている。消費電力を抑えるため、リーク電... [more] CAS2023-43 NLP2023-42
pp.58-61
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2023-08-01
16:35
北海道 北海道大学 情報教育館 3F (北海道, オンライン)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析
李 龍聖森 貴之金沢工大)・岡 博史森 貴洋産総研)・井田次郎金沢工大SDM2023-42 ICD2023-21
本稿では、200 nm SOI MOSFETにおいて、極低温下でのみ発生する基板バイアス効果での特異な現象について継続解... [more] SDM2023-42 ICD2023-21
pp.32-35
CCS 2023-03-26
10:55
北海道 北海道 ルスツリゾートホテル&コンベンション (北海道) 極低電力IoT機器に向けた確率的メモリとそのサブスレッショルドCMOS回路実装
村松聖倭西田浩平安藤洸太北大)・赤井 恵阪大/北大)・浅井哲也北大CCS2022-68
本研究では、MOSFETのサブスレッショルド領域を利用した確率コンピューティングに基づく超低消費電力IoTデバイス用メモ... [more] CCS2022-68
pp.31-35
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-13
15:25
愛媛 愛媛県男女共同参画センター (愛媛県) MOSFETの統計的選択によるレファレンス不要なCMOS温度センサの設計
原田彰吾イスラム マーフズル久門尚史和田修己京大VLD2019-34 DC2019-58
近年,限られた電力のもとで動作するシステムにおいて,低消費電力の温度センサが求められている.
${rm mu W}$未... [more]
VLD2019-34 DC2019-58
pp.51-56
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-07
15:00
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 (北海道) 0.6V動作9bitデジタル出力PWM差分演算回路
小嶋文也原田知親山形大SDM2018-32 ICD2018-19
集積回路の微細化による高集積化で、回路の小型化や動作速度の向上が実現されているが、リーク電流等により消費電力が減少しない... [more] SDM2018-32 ICD2018-19
pp.35-40
VLD, HWS
(併催)
2018-03-02
09:00
沖縄 沖縄県青年会館 (沖縄県) ポテンショスタット法に基づく超小型・超微弱電流測定回路の提案
磯貝太志白川貴啓中武繁寿北九州市大VLD2017-119
MOSFET によるオンチップ高抵抗を利用した電流測定回路を提案する。近年バイオセンシング技術やインプラントセンシング技... [more] VLD2017-119
pp.181-186
ICD 2017-04-21
10:00
東京 機械振興会館 (東京都) [依頼講演]A 55nm Ultra Low Leakage Deeply Depleted Channel Technology Optimized for Energy Minimization in Subthreshold SRAM and Logic
Harsh N. PatelAbhishek RoyFarah B. YahyaNingxi LiuBenton CalhounUVA)・Akihiko HaradaFEA)・Kazuyuki KumenoMakoto YasudaTaiji EmaMIFSICD2017-11
本稿では55nm超低リークDDC技術によるULL(Ultra-Low Leakage)トランジスタを用いた回路特性の評価... [more] ICD2017-11
pp.57-61
VLD 2017-03-02
09:25
沖縄 沖縄県青年会館 (沖縄県) FiCC:高集積向け耐クロストークノイズメタルフリンジキャパシタ
宮川尚之木村知也越智裕之立命館大VLD2016-109
本稿では,メタルフリンジキャパシタの一種であるFishbone-in-Cage Capacitor (FiCC) を提案... [more] VLD2016-109
pp.43-47
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-28
12:45
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス (大阪府) マイクロエナジーハーベスティングのための2段昇圧型チャージポンプ回路方式
木村知也越智裕之立命館大VLD2016-46 DC2016-40
本稿ではオンチップ太陽電池で得られる閾値電圧以下の入力電圧を4V程度の高電圧まで効率よく昇圧する場合に有効なL1L5型2... [more] VLD2016-46 DC2016-40
pp.13-18
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-02
09:00
大阪 中央電気倶楽部 (大阪府) [招待講演]超低電圧SRAMのソフトエラー耐性
橋本昌宜阪大SDM2016-54 ICD2016-22
本報告では、SRAMのソフトエラー耐性について議論する。特に、ニアスレッショルド回路やサブスレッショルド回路が対象とする... [more] SDM2016-54 ICD2016-22
pp.53-58
VLD 2016-03-01
17:30
沖縄 沖縄県青年会館 (沖縄県) [記念講演]サブスレッショルド領域で動作するラッチ回路の動作安定性解析
鎌苅竜也塩見 準石原 亨小野寺秀俊京大VLD2015-131
多くの記憶素子の基本要素として利用されるラッチ回路は集積回路設計にかかせない重要な回路である.
本稿は,ラッチ回路の... [more]
VLD2015-131
p.117
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2014-11-26
16:15
大分 ビーコンプラザ(別府国際コンベンションセンター) (大分県) DTMOSを用いたサブスレッショルド回路の高速化設計
福留祐治史 又華戸川 望早大)・宇佐美公良芝浦工大)・柳澤政生早大VLD2014-88 DC2014-42
サブスレッショルド領域で回路を動作させることで低電力化は実現されるが,同時に速度が劣化するトレードオフの関係にある.
... [more]
VLD2014-88 DC2014-42
pp.117-121
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
09:00
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) (北海道) [招待講演]しきい値電圧自己調整MOSトランジスタおよびSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作
平本俊郎上田晃頌鄭 承旻水谷朋子更屋拓哉東大SDM2014-71 ICD2014-40
0.1Vという超低電圧で動作するVth自己調整MOSFETを提案した.このデバイスでは,オン時にVthが低下し,オフ時に... [more] SDM2014-71 ICD2014-40
pp.51-54
ED 2014-08-01
11:20
東京 機械振興会館B3-1室 (東京都) GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証
大橋一水藤松基彦宮本恭幸東工大ED2014-54
次世代のスイッチングデバイスとしてTunnel FETが注目されている。Tunnel FETには急峻なSub-thres... [more] ED2014-54
pp.7-11
VLD 2014-03-05
13:25
沖縄 沖縄県青年会館 (沖縄県) サブスレッショルド回路における遅延・エネルギーの温度依存性に関する実験および考察
櫛田浩樹史 又華戸川 望早大)・宇佐美公良芝浦工大)・柳澤政生早大VLD2013-161
バッテリー式の無線ネットワーク機器では,消費エネルギーの削減を重視するため,
供給電圧を下げる設計手法が広く用いられる... [more]
VLD2013-161
pp.147-151
ICD 2014-01-28
15:00
京都 京都大学時計台記念館 (京都府) [ポスター講演]同期後の動作が簡略化可能な0.5V駆動サブスレッショルドDPLLの設計
渡辺晃輔原田知親山形大ICD2013-129
本研究では、電源電圧0.5V、サブスレッショルド領域で動作するDPLL回路の検討を行った。同期後の微調動作を、加算器等を... [more] ICD2013-129
pp.67-72
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