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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, CPM, EMD, OPE, R (共催) |
2012-08-24 14:00 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | SiGe/Si細線導波路構造による省電力光スイッチ・可変光減衰器 ○関口茂昭・朱 雷・倉橋輝雄・河口研一・森戸 健（富士通研）  R2012-45 EMD2012-51 CPM2012-76 OPE2012-83 LQE2012-49 |
シリコンプラットフォーム上のキャリアプラズマを利用した導波路型光アクティ ブデバイスの省電力化・小型化には，高効率な... [more] |
R2012-45 EMD2012-51 CPM2012-76 OPE2012-83 LQE2012-49 pp.115-120 |
| SDM, OME (共催) |
2010-04-23 11:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム ○川畑直之（九大）・黒澤昌志（九大/学振）・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2010-4 OME2010-4 |
次世代高速薄膜トランジスタ及び高効率薄膜太陽電池の実現には，高移動度や高い光吸収係数を有する新半導体材料(SiGe)薄膜... [more] | SDM2010-4 OME2010-4 pp.13-17 |
| OME, SDM (共催) |
2009-04-24 16:15 |
佐賀 | 産総研九州センター大会議室 | アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長 ○黒澤昌志・川畑直之・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2009-5 OME2009-5 |
次世代の高速薄膜トランジスタや高効率薄膜太陽電池の実現には，高キャリア移動度や高吸収係数を有する半導体薄膜をガラス上に形... [more] | SDM2009-5 OME2009-5 pp.19-23 |
| ED | 2007-11-27 13:30 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究 ○小野島紀夫・笠松章史・広瀬信光（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2007-187 |
本研究ではミリ波帯動作する超高速シリコン系デバイスの開発に向けて、サブ100 nmゲート長SiGe/Si高電子移動度トラ... [more] | ED2007-187 pp.1-5 |
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