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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EA, US
(併催)
2023-12-22
13:00
福岡 九州大学 大橋キャンパス デザインコモン 2階 [ポスター講演]エピ犠牲層エッチングを用いたエピ圧電層/音響ブラッグ反射器構造の作製
渡海 智柳谷隆彦早大US2023-60
B AW (Bulk Acoustic 共振子の圧電層に単結晶薄膜を用いることで、Q 値や耐電力性が向上することが期待で... [more] US2023-60
pp.24-29
ED 2023-12-07
14:50
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) 三極型大電力パルススパッタリングによる窒化ハフニウムスピント型フィールドエミッタアレイの作製
近藤 駿成蹊大/産総研)・中野武雄モハメッド シュルズ ミヤ成蹊大)・長尾昌善村田博雅産総研ED2023-41
我々は、イオン化スパッタリング技術の一種である三極型大電力パルススパッタリング法(t-HPPMS)を用いたスピント型エミ... [more] ED2023-41
pp.11-14
US 2023-11-27
13:45
静岡 静岡大学 c軸平行配向ZnO膜の面内配向性及び圧電性の向上と厚みすべりモード共振子への応用 ~ 基板への粒子照射方向を制限したスパッタ成膜に関する検討 ~
冨山直樹高柳真司同志社大)・柳谷隆彦早大US2023-49
c軸が基板に対して平行に揃ったZnO膜は横波を励振でき、厚みすべりモード共振子に適している。この薄膜はRFマグネトロンス... [more] US2023-49
pp.34-39
SDM 2023-10-13
17:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 窒素添加LaB6 /LaBxNy積層構造を用いたボトムゲート型OFET/ReRAM集積化に関する検討
趙 嘉昂大見俊一郎東工大SDM2023-61
本研究では、窒素添加LaB6をターゲットとしてAr/N2プラズマを用いた反応性スパッタ法により形成したLaBxNy絶縁膜... [more] SDM2023-61
pp.46-49
MIKA
(第三種研究会)
2023-10-10
15:35
沖縄 沖縄県市町村自治会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[ポスター講演]RFフィルタ向けエピタキシャル圧電薄膜多層構造
渡海 智柳谷隆彦早大
スマートフォンに代表される無線通信デバイスには、複数の無線周波数から所望の周波数のみを選択し送受信するための周波数フィル... [more]
CPM 2023-08-01
10:05
北海道 北見工業大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
反応性スパッタリングによるTiおよびV系MAX合金薄膜形成と物性評価
上田和貴若松和伸齊藤丈靖岡本尚樹阪公立大CPM2023-20
現在、最先端の半導体デバイスの配線材料はCuが主流であるが、Cuは周囲に容易に拡散して電気特性を劣化させるため、拡散防止... [more] CPM2023-20
pp.33-35
EST, MW, EMT, OPE, MWPTHz
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2023-07-20
15:15
北海道 室蘭工業大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Brillouin光散乱法によるScAlN薄膜の弾性定数テンソルの測定
内田拓希早大)・市橋隼人同志社大)・鈴木雅視山梨大)・高柳真司松川真美同志社大)・柳谷隆彦早大EMT2023-20 MW2023-38 OPE2023-20 EST2023-20 MWPTHz2023-16
Brillouin光散乱法は、膜厚情報に無依存にTime-of-flight を使わずにGHz帯の超音波速度を測定できる... [more] EMT2023-20 MW2023-38 OPE2023-20 EST2023-20 MWPTHz2023-16
pp.61-66
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2023-06-08
15:50
宮城 東北大(通研)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Co酸化物添加ターゲット材からの酸素欠損補填スパッタリングによるCoPtCr-酸化物グラニュラ型磁気テープの開発
立花淳一小林弘幸齋 輝夫相澤隆嗣ソニーストレージメディアソリューションズ)・斉藤 伸東北大MRIS2023-4
スパッタテープのノイズ低減を目的として,ロール・トゥ・ロール式スパッタリング装置によるグラニュラ記録層の成膜において,C... [more] MRIS2023-4
pp.21-26
SDM, OME
(共催)
2023-04-22
10:05
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Neを用いてガラス上にスパッタ堆積したInSb膜のRTAによる結晶化
岡田竜弥チャリット ジャヤナダ コスワッタゲー琉球大)・梶原隆司佐道泰造九大)・野口 隆琉球大SDM2023-8 OME2023-8
安価な絶縁基板上への高結晶性InSb膜の形成に向けて、ArガスおよびNeガスを用いたRFスパッタリング法により製膜したI... [more] SDM2023-8 OME2023-8
pp.30-31
SDM, OME
(共催)
2023-04-22
10:30
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
スパッタ堆積InSb薄膜/ガラス基板の急速熱処理法による結晶成長
梶原隆司九大)・岡田竜弥チャリット ジャヤナダ コスワッタゲー野口 隆琉球大)・佐道泰造九大SDM2023-9 OME2023-9
高移動度InSb薄膜の低コストな形成プロセスの創出を目指し、ガラス基板上へArプラズマを用いてスパッタ成膜したInSb膜... [more] SDM2023-9 OME2023-9
pp.32-33
OME 2023-01-27
14:10
高知 高知商工会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
ニッケルナノ粒子修飾カーボン薄膜電極の電気化学触媒活性向上
丹羽 修太田早紀大谷和也小池綾香高橋将太埼玉工大)・鎌田智之加藤 大産総研)・芝 駿介愛媛大OME2022-76
金属ナノ粒子は、高い電極触媒活性を示すことから燃料電池の電極や酵素を用いないグルコースセンサなどへの応用が期待されている... [more] OME2022-76
pp.9-13
EA, US
(併催)
2022-12-22
16:50
広島 サテライトキャンパスひろしま [ポスター講演]LiNbO3スパッタエピ薄膜のGHz帯励振特性
工藤慎也柳谷隆彦早大US2022-66
LiNbO3は、Q値とk2値が高いため、SAWフィルタに使用されている。しかし、通常のスパッタリング法で成長できるc軸配... [more] US2022-66
pp.86-91
ED 2022-12-08
14:10
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) 直流および高周波マグネトロンスパッタ法により成膜した窒化ハフニウム薄膜の仕事関数の測定
大住知暉京大)・長尾昌善産総研)・後藤康仁京大ED2022-53
直流および高周波マグネトロンスパッタ法を用い, 成膜時に導入するガスの窒素流量比を変化させ, 窒素組成の異なる窒化ハフニ... [more] ED2022-53
pp.15-17
SDM 2022-10-19
17:20
ONLINE オンライン開催に変更 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討
田沼将一Joong-Won Shin大見俊一郎東工大SDM2022-63
強誘電性HfO2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタへ(... [more] SDM2022-63
pp.38-42
CPM 2022-08-04
16:15
北海道 北見工業大学 マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素膜特性への水素ガスの効果
西田竜也谷口 颯佐藤聖能小林康之遠田義晴鈴木裕史弘前大)・吹留博一東北大)・中澤日出樹弘前大CPM2022-15
炭化ホウ素(B4C)ターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタ法によりアモルファスB4C薄膜およびH2を導入して水素化ア... [more] CPM2022-15
pp.14-17
SDM, ED, CPM
(共催)
2022-05-27
14:40
ONLINE オンライン開催 反応性スパッタリングによる窒化物誘電体薄膜の堆積とシリコンフォトニクス応用
福島孝晃ホセ ピエドラ ロレンサナ土谷 塁飛沢 健石川靖彦豊橋技科大ED2022-10 CPM2022-4 SDM2022-17
SiNxはSiに比べて熱光学係数が約1桁小さい特長があり、熱的に安定動作する合分波器など、シリコンフォトニクス素子の特性... [more] ED2022-10 CPM2022-4 SDM2022-17
pp.13-16
CPM 2021-10-27
10:30
ONLINE オンライン開催 Cu-TSVのためのSiNx膜の低温堆積法に関する検討
佐藤 勝武山真弓北見工大CPM2021-21
3次元集積回路におけるCuを用いたシリコン貫通ビアでは、絶縁膜の200℃以下での堆積法を実現することが望まれている。そこ... [more] CPM2021-21
pp.5-7
SDM 2021-10-21
13:25
ONLINE オンライン開催 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討
田沼将一Joong-Won Shin大見俊一郎東工大SDM2021-47
強誘電体HfO_2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(... [more] SDM2021-47
pp.12-15
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2021-10-08
15:35
ONLINE オンライン開催 Pt/Co/CoO/アモルファスTiOx構造における電圧誘起保磁力変化
野崎友大田丸慎吾甲野藤 真野﨑隆行久保田 均福島章雄湯浅新治産総研MRIS2021-9
近年、磁気抵抗メモリ(MRAM)にも適用可能な低消費電力な書き込みの手段として、電圧による磁気異方性制御(VCMA)効果... [more] MRIS2021-9
pp.13-16
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2021-06-11
10:00
宮城 東北大通研
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
NiOおよびCu2O下地膜上に成膜したコバルトフェライト薄膜の磁気特性
岩動大樹東北大)・神島謙二柿崎浩一埼玉大MRIS2021-4
コバルトフェライト(CFO)に垂直磁気異方性を発現させることを目的として、配向制御用下地膜上にCFOを積層し、その結晶構... [more] MRIS2021-4
pp.18-21
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