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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IE, ITS
(共催)
ITE-MMS, ITE-ME, ITE-AIT
(共催)
(連催) [詳細]
2021-02-19
13:55
ONLINE オンライン開催 [特別講演]半導体量子ドットを用いた省電力の電子スピン情報光伝送
佐藤紫乃樋浦諭志高山純一村山明宏北大
半導体量子ドットは直径数十nmの微細な半導体ナノ構造であり,その内部に閉じ込められた電子は効率よく低消費電力で発光する.... [more]
MSS, NLP
(併催)
2020-03-09
15:20
愛知 やすらぎの宿 蒲郡荘
(開催中止,技報発行あり)
スピントロニクスデバイスに基づくシナプスの数理モデル
佐藤 拓菊池優志アレクサンダー クレンコフ堀尾喜彦深見俊輔東北大NLP2019-122
近年,脳の計算様式から着想を得たSpiking Neural Network (SNN)や,Spike-Timing D... [more] NLP2019-122
pp.55-60
NLP, NC
(併催)
2020-01-25
10:30
沖縄 宮古島マリンターミナル 熱ダイナミクスを利用したスピントロニクスニューロンデバイスの数理モデル
菊地優志佐藤 拓Aleksandr Kurenkov堀尾喜彦深見俊輔東北大NLP2019-104
シナプスの機能の1つであるスパイクタイミング依存可塑性(STDP)と,ニューロンの機能の1つであるリーク付き積分発火(L... [more] NLP2019-104
pp.99-104
SDM 2019-10-24
14:20
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 超高感度トンネル磁気抵抗センサの開発
大兼幹彦東北大SDM2019-64
トンネル磁気抵抗素子を用いた高感度磁気センサ素子の実現に期待が高まっている。最近、センサ素子の高出力化と低ノイズ化により... [more] SDM2019-64
pp.55-58
MRIS, ITE-MMS, IEE-MAG
(連催)
2019-10-18
10:00
福岡 九州大学 (西新プラザ) 常磁性重金属細線を含む横型スピンバルブ構造素子による第二高調波信号の非対称磁場依存性
松田 亮須小遼河伊藤大樹有木大晟木村 崇九大MRIS2019-29
スピン流と熱流の相互作用による諸現象を扱うスピンカロリトロ二クスという分野が注目されている。近年、熱流の熱電子が重金属内... [more] MRIS2019-29
pp.83-84
MRIS, ITE-MMS, IEE-MAG
(連催)
2019-10-18
10:15
福岡 九州大学 (西新プラザ) 横型スピンバルブを用いたスピン依存ペルチェ効果の観測
須小遼河松田 亮伊藤大樹有木大晟大西紘平木村 崇九大MRIS2019-30
異なる金属の接合面に電流を流すことでその界面に放熱又は吸熱現象が発生するペルチェ効果は広く知られているが、近年この効果が... [more] MRIS2019-30
pp.85-86
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2018-10-19
09:15
大阪 大阪大学 [招待講演]有機半導体を用いたプリンテッドエレクトロニクス・スピントロニクス
渡邉峻一郎東大MRIS2018-17
有機半導体は印刷プロセスを用いて簡便かつ安価に成膜することが可能であり, 近年その性能指標である移動度はアモルファスシリ... [more] MRIS2018-17
pp.21-26
ED, MW
(共催)
2018-01-25
15:10
東京 機械振興会館地下3階研修2号室 ナノマイクロシステムにおけるマイクロ波励起現象
山口明啓兵庫県立大)・岸原充佳岡山県立大)・竹内雅耶内海裕一兵庫県立大ED2017-93 MW2017-162
ナノマイクロシステムは、理想的な物理・化学・分析化学実験系を提供するだけではなく、Internet of Things ... [more] ED2017-93 MW2017-162
pp.1-5
QIT
(第二種研究会)
2017-11-17
14:40
埼玉 埼玉大学 巨視的回転を用いたスピン制御とスピン流生成
松尾 衛東北大)・大沼悠一前川禎通原子力機構
巨視的回転運動を用いたスピン角運動量の制御について理論および実験の両面から紹介する。剛体回転運動、弾性変形運動、および流... [more]
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2017-10-20
09:40
新潟 柏崎エネルギーホール、新潟 強磁性/非磁性二層構造におけるスピン緩和特性の温度依存性
野村竜也有木大晟木村 崇九大
強磁性/非磁性二層チャネル構造におけるスピン伝導特性を調査した。このような系では、スピンチャネル中に接合された強磁性薄膜... [more]
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2016-10-21
11:35
福岡 九州大学西新プラザ 強磁性共鳴を用いた熱励起スピン流の高効率生成
山野井一人横谷有紀木村 崇九大
これまでに我々は磁性薄膜にマイクロ波を照射することで強磁性共鳴を励起し、共鳴に付随して生じる磁性加熱効果に関して報告を行... [more]
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
11:25
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]3端子スピン軌道トルク磁気メモリ素子 ~ 高速低消費電力不揮発性集積回路の実現を目指して ~
深見俊輔姉川哲朗大河原綾人張 超亮大野英男東北大SDM2016-63 ICD2016-31
集積回路に不揮発性スピントロニクス素子を混載することによって、高性能と低消費電力性を両立したコンピューティングシステムが... [more] SDM2016-63 ICD2016-31
pp.99-103
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2015-07-10
16:10
東京 早稲田大学 フルホイスラー合金Co2FeSiとCo2MnSiへの垂直磁気異方性の付与
高村陽太松下直輝篠原光貴鈴木隆寛藤野頼信東工大)・園部義明サムソン)・中川茂樹東工大MR2015-14
スピントロニクスデバイスに応用可能なスピン分極率が100%のハーフタル強磁性体として期待されているCo基フルホイスラー合... [more] MR2015-14
pp.31-35
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MRIS
(連催) [詳細]
2015-01-23
15:45
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 シリコンスピンMOSFETの室温動作の達成
田原貴之京大)・佐々木智生TDK)・安藤裕一郎京大)・亀野 誠阪大)・小池勇人及川 亨TDK)・鈴木淑男AIT)・白石誠司京大MR2014-43
現在のエレクトロニクスデバイスの中心を成すCMOSトランジスタ技術はその微細化と集積化を伴って発展してきた. しかし近年... [more] MR2014-43
pp.19-24
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MRIS
(連催) [詳細]
2014-01-24
14:55
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 Fe3Siを用いた動力学的手法による高効率スピン注入の実現
市場昂基安藤裕一郎阪大)・山田晋也九大)・仕幸英治阪市大)・新庄輝也阪大)・浜屋宏平九大)・白石誠司阪大MR2013-36
近年, エネルギー損失のない情報伝達の手段として, 純スピン流の制御が大きな注目を浴びている. 一般的なスピン生成手法で... [more] MR2013-36
pp.21-24
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2013-10-25
10:50
福岡 福岡交通センタービル 博多バスターミナル [招待講演]完全格子整合した磁気トンネル接合の巨大トンネル磁気抵抗効果 ~ スピネルMgAl2O4系トンネルバリアの現状 ~
介川裕章猪俣浩一郎三谷誠司物質・材料研究機構MR2013-18
強磁性層/トンネルバリア/強磁性層構造を有する強磁性トンネル接合(MTJ)は、不揮発性磁気メモリ素子やハードディスクドラ... [more] MR2013-18
pp.35-40
ICD 2013-04-11
13:30
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]Restructuring of Memory Hierarchy in Computing System with Spintronics-Based Technologies
Tetsuo EndohTohoku Univ.ICD2013-5
現在のコンピュータシステムのメモリ階層においては,性能と消費電力との間のトレードオフが大きくなっており,低消費電力かつ高... [more] ICD2013-5
pp.21-26
ICD 2013-04-11
14:45
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現
松永翔雲東北大)・三浦貞彦本庄弘明NEC)・木下啓蔵池田正二遠藤哲郎大野英男羽生貴弘東北大ICD2013-7
高性能な情報検索機能を実現する並列構造の専用ハードウェア,Ternary Content-Addressable Mem... [more] ICD2013-7
pp.33-38
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MRIS
(連催) [詳細]
2013-01-25
16:40
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 動力学的手法を用いたp型Geへの室温スピン注入
小池真利子仕幸英治安藤裕一郎新庄輝也阪大)・山田晋也浜屋宏平九大)・白石誠司阪大MR2012-43
ゲルマニウム(Ge)は半導体の中でも高い電界効果移動度を有する材料であり、かつ、その結晶成長技術の向上により、近年、CM... [more] MR2012-43
pp.25-28
ED 2012-07-27
11:25
福井 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 非局所配置を用いた高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系へのスピン注入実験
日高志郎近藤太郎赤堀誠志・○山田省二北陸先端大ED2012-52
高In組成(75 %)InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス試料表面にCo0.8Fe0.2電極を複数配置した横方向ス... [more] ED2012-52
pp.61-65
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