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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2024-02-21
10:45
東京 東京大学 本郷 工4号館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]量子ビット制御用低温SoC向け、超伝導Nb配線の開発
沼田秀昭井口憲幸NBS)・田中雅光名大)・岡本浩一郎三浦貞彦NBS)・内田 建東大)・石黒仁揮慶大)・阪本利司多田宗弘NBSSDM2023-82
量子ビット制御用低温SoC応用に向けて,300mmウェハプロセスにコンパチブルな100nm幅の超伝導Nb配線技術を開発し... [more] SDM2023-82
pp.4-8
OPE, OCS, LQE
(共催)
2022-10-20
16:35
愛媛 松山市民会館 小ホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
ハイメサセンシング導波路と集積したナノピクセル構造を用いた非対称パワースプリッタ
嶋村雄太桒畑亮太山内健生キム ユンジン九大)・田部井哲夫広島大)・姜 海松浜本貴一九大OCS2022-24 OPE2022-70 LQE2022-33
光集積回路を用いた小型呼気センシングシステムの研究開発を進めている。特にppmオーダーと微量の呼気中病気マーカー検出のた... [more] OCS2022-24 OPE2022-70 LQE2022-33
pp.40-44
PN, EMT, OPE, EST, MWP, LQE
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2019-01-17
11:40
大阪 大阪大学中之島センター フォトニック結晶CirDレーザに向けた深掘ドライエッチングに関する研究
曽 理溝口 舜張 秀宇竹内健斗梶井博武森藤正人丸田章博近藤正彦阪大PN2018-35 EMT2018-69 OPE2018-144 LQE2018-154 EST2018-82 MWP2018-53
本研究では円形共振器(CirD)フォトニック結晶レーザを作製するために,レジストマスクを用いてInAs量子ドットを含むG... [more] PN2018-35 EMT2018-69 OPE2018-144 LQE2018-154 EST2018-82 MWP2018-53
pp.23-26
SDM 2015-06-19
09:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価
谷田部然治橋詰 保北大SDM2015-38
ドライエッチングをしたAlGaN上にAl2O3絶縁ゲート構造を作製し、絶縁膜/半導体界面の特性評価を行なった.評価には室... [more] SDM2015-38
pp.1-4
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
14:05
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 窒化物LED高効率化のためのナノインプリントとドライエッチングによる微細加工制御技術
鹿嶋行雄松浦恵里子丸文)・嶋谷 聡東京応化)・小久保光典田代貴晴大川貴史東芝機械)・上村隆一郎長田大和アルバック)・藤川紗千恵平山秀樹理研ED2014-79 CPM2014-136 LQE2014-107
フォトニック結晶を窒化物LEDに形成し、光取出し効率を向上した結果を示す。また、シミュレーションによるフォトニック結晶の... [more] ED2014-79 CPM2014-136 LQE2014-107
pp.27-32
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
11:50
大阪 大阪市立大学 サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用
土屋貴義梅田慎也曽和美保子名城大)・近藤俊行北野 司森 みどり鈴木敦志難波江宏一関根 均エルシード)・岩谷素顕竹内哲也上山 智赤サキ 勇名城大ED2012-82 CPM2012-139 LQE2012-110
LEDおいて高い光取り出し効率が期待されるモスアイ加工サファイア基板(Moth-eye patterned sapphi... [more] ED2012-82 CPM2012-139 LQE2012-110
pp.75-80
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
16:25
大阪 大阪市立大学 AlGaAs系フォトニック結晶構造作製に向けたICPドライエッチングマスクに関する研究
栂野裕二北林佑太石川史太郎近藤正彦阪大ED2012-90 CPM2012-147 LQE2012-118
フォトニック結晶作製を目指し,高Al組成のAlGaAsのICP(Inductive Coupled Plasma)ドライ... [more] ED2012-90 CPM2012-147 LQE2012-118
pp.117-120
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-18
09:25
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー ドライエッチ面を含むAl2O3/AlGaN/GaN構造の界面評価
谷田部然治堀 祐臣金 聖植橋詰 保北大ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29
ドライエッチングしたAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った.ドライエッチングには、Cl2/BCl3ガスによるI... [more] ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29
pp.49-52
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
13:20
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価
金 聖植堀 祐臣谷田部然治橋詰 保北大ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101
ドライエッチングしたGaNおよびAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った。ドライエッチングには、CH4/H2/N... [more] ED2011-78 CPM2011-127 LQE2011-101
pp.25-28
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-12
10:25
大阪 阪大 中ノ島センター 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価
菊田大悟成田哲生高橋直子片岡恵太木本康司上杉 勉加地 徹豊田中研)・杉本雅裕トヨタ自動車ED2010-155 CPM2010-121 LQE2010-111
p型GaNのエッチングダメージについて深さ方向分布、特に表面のバンド曲がりについて硬X線光電子分光(HAX-PES)法を... [more] ED2010-155 CPM2010-121 LQE2010-111
pp.59-62
ED 2010-06-17
14:50
石川 北陸先端大 リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETの電気的特性評価
向野美郷山田直樹徳田博邦葛原正明福井大ED2010-37
BCl3ガスを用いたICP方式ドライエッチングを用いてリセスゲート構造AlGaN/GaN HEMTを試作した。ICPパワ... [more] ED2010-37
pp.21-24
SDM 2008-03-14
15:25
東京 機械振興会館 常温接続によるシリコン貫通電極チップ三次元化技術
田中直敬吉村保廣川下道宏日立)・植松俊英内藤孝洋赤沢 隆ルネサステクノロジSDM2007-277
三次元化技術の代表的アプローチの一つが、シリコン貫通電極によるチップ積層技術である。三次元化におけるチップ間の接続長は、... [more] SDM2007-277
pp.21-26
OPE 2007-12-14
14:40
東京 機械振興会館 高アスペクト比ドライエッチング技術を用いて作製したシリコンフォトニック結晶デバイス
細見和彦東大/光協会/日立)・山田宏治赤松正二東大/光協会)・佐川みすず東大/光協会/日立)・勝山俊夫東大/光協会)・荒川泰彦東大
偏光依存性のないフォトニック結晶デバイス実現のために、高アスペクト比ドライエッチング技術を用いて作製する一次元および三次... [more] OPE2007-139
pp.21-26
LQE, OPE
(共催)
2007-06-29
10:20
東京 機械振興会館 位相制御波長可変DFBレーザの波長可変幅拡大
布谷伸浩柴田泰夫石井啓之岡本 浩川口悦弘近藤康洋大橋弘美NTTOPE2007-18 LQE2007-19
位相制御波長可変DFBレーザの連続波長可変幅拡大のための検討を行った。DFB領域の反射帯域(ストップバンド)を広げて連続... [more] OPE2007-18 LQE2007-19
pp.11-14
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