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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MW (共催) |
2020-01-31 16:00 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | 注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造 ○南雲謙志・木本大幾・諏訪智之（東北大）・寺本章伸（広島大）・白田理一郎・高谷信一郎（国立交通大）・黒田理人・須川成利（東北大）  ED2019-104 MW2019-138 |
ノーマリオフを達成する構造として従来のFloating Gate型に新たに電荷注入用の注入ゲートを設けた構造のGaN高電... [more] | ED2019-104 MW2019-138 pp.55-58 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 13:00 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善 ○加藤大望・梶原瑛祐・向井 章・大野浩志・新留 彩・田島純平・彦坂年輝・蔵口雅彦・布上真也（東芝） ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82 |
リセス深さによるノーマリオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果 (SCEs) 改善を検討した．TCADによる電界... [more] | ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82 pp.29-32 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-17 15:25 |
東京 | 日立中研 | ノーマリオフ型GaN MOS-HFETにおけるバイアスアニールの効果 ○南條拓真・小山英寿・今井章文・綿引達郎・山向幹雄（三菱電機） ED2018-78 MW2018-145 |
GaN系半導体は、高周波デバイスだけではなく、高出力スイッチングデバイスに用いる半導体材料として近年注目を集めており、ノ... [more] | ED2018-78 MW2018-145 pp.55-58 |
| IPSJ-ARC, IPSJ-SLDM (共催) VLD, CPSY, RECONF (共催) (連催) [詳細] |
2018-01-18 13:50 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス 来往舎 | スタック回路を用いたノーマリオフコンピューティングの検討 ○坂村賢士・有本和民・茅野 功・横川智教（岡山県立大） VLD2017-70 CPSY2017-114 RECONF2017-58 |
チャージリサイクルを利用したスタック回路は、ストリーミング処理等の動作時の消費電力化に有効である。一方、ノーマリオフコン... [more] | VLD2017-70 CPSY2017-114 RECONF2017-58 pp.49-51 |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-EMB, IPSJ-SLDM (共催) (連催) [詳細] |
2015-03-07 08:55 |
鹿児島 | 奄美市社会福祉協議会 会議室（2F・４F） | CMOSアナログ回路におけるバイアス回路制御方式の改良と性能評価 ○堀 遼平（立命館大）・熊本敏夫（阪産大）・白畑正芳・藤野 毅（立命館大） CPSY2014-175 DC2014-101 |
消費電力の小さいセンサノードデバイスの実現のため，ノーマリオフ（Noff）・コンピューティング技術を活用したデバイス制御... [more] | CPSY2014-175 DC2014-101 pp.77-82 |
| SRW | 2014-08-18 11:10 |
神奈川 | NICT(YRP) | ［招待講演］マイクロ環境発電のワイヤレスセンサシステムへの応用 ○道関隆国（立命館大） SRW2014-16 |
ワイヤレスセンサ端末のエネルギー源として、我々の身の回りに微小ながら常に存在する熱、光、振動といったアンビエントエネルギ... [more] | SRW2014-16 pp.1-6 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-07-12 16:35 |
東京 | 中央大学 | スピン注入書き込み技術の進展とノーマリオフコンピューティングへの適用検討 ○伊藤順一・與田博明・藤田 忍・下村尚治・北川英二・安部恵子・野村久美子・野口紘希（東芝） MR2013-13 |
スピン注入書き込みMRAMをキャッシュメモリに用いたプロセッサは、通常状態が常に電源オフである”ノーマリーオフコンピュー... [more] | MR2013-13 pp.37-41 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作 ○宇治田信二・森田竜夫・梅田英和・木下雄介・田村聡之・按田義治・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2012-122 MW2012-152 |
低電圧DC-DCコンバータ用途として、Siショットキーバリアダイオード（SBD）を集積化したノーマリオフGaNトランジス... [more] | ED2012-122 MW2012-152 pp.53-56 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-12 10:00 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価 ○堀 祐臣・原田脩央・水江千帆子（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 |
GaNおよびAlGaN/GaN構造に対し、原子層堆積法で形成したAl2O3膜、および電気化学酸化法で形成した酸化膜による... [more] | ED2010-154 CPM2010-120 LQE2010-110 pp.55-58 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET ○大田一樹・遠藤一臣・岡本康宏・安藤裕二・宮本広信・嶋脇秀徳（NEC） ED2009-189 MW2009-172 |
パワーエレクトロニクス応用に向け、閾値制御性に優れたノーマリオフ動作リセスゲートAlGaN/GaN HFETを開発した．... [more] | ED2009-189 MW2009-172 pp.81-85 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 14:25 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 大電流動作GaN MOSFET ○野村剛彦・神林 宏・佐藤義浩・新山勇樹・加藤禎宏（次世代パワーデバイス技研組合） ED2009-156 CPM2009-130 LQE2009-135 |
Si基板上に形成した、AlGaN/GaNヘテロ接合をゲート・ドレイン間に用いたGaN系MOSFETの大電流動作について報... [more] | ED2009-156 CPM2009-130 LQE2009-135 pp.133-137 |
| ED | 2009-06-12 11:00 |
東京 | 東京工業大学 | 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性 ○丸井俊治・星 真一・戸田典彦・森野芳昭・伊藤正紀・大来英之・玉井 功・関 昇平（OKI） ED2009-47 |
近年故障時の安全性確保等の観点からノーマリオフ動作のAlGaN/GaN-HEMTの研究開発が進められている。しかしAlG... [more] | ED2009-47 pp.57-62 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 13:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs ○李 旭・黒内正仁・岸本 茂・水谷 孝（名大）・中村文彦（パウデック） ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 |
p-InGaN cap層を用いたAlGaN/GaN HEMTsを作製しデバイスの特性評価を行った。p-InGaN cap... [more] | ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 pp.125-130 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 09:25 |
福井 | 福井大学 | 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ ○黒田正行・上田哲三・田中 毅（松下電器） ED2007-166 CPM2007-92 LQE2007-67 |
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、低損失パワースイッチングデバイスへの応用として有望で... [more] | ED2007-166 CPM2007-92 LQE2007-67 pp.53-56 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 13:00 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | ［招待講演］AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications ○Yasuhiro Uemoto・Masahiro Hikita・Hiroaki Ueno・Tomohiro Murata・Hisayoshi Matsuo・Hidetoshi Ishida・Manabu Yanagihara・Tetsuzo Ueda・Tsuyoshi Tanaka・Daisuke Ueda（Matsushita） |
従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化を両立させる為に、ホール注入による伝導度変調を用いた新しい原理... [more] | |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ ○上本康裕・引田正洋・上野弘明・松尾尚慶・石田秀俊・柳原 学・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） |
我々は今回、従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化の両立を実現する為に、ホール注入による伝導度変調を... [more] | ED2006-235 MW2006-188 pp.193-197 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 14:10 |
東京 | 機械振興会館 | 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNへテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作 ○黒田正行・石田秀俊・上田哲三・田中 毅（松下電器） |
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有し、低オン抵抗と高耐圧を必要とする将来のパワーデバイスに向け非... [more] | ED2005-205 MW2005-159 pp.35-39 |
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