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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2023-12-07 14:50 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター） | 三極型大電力パルススパッタリングによる窒化ハフニウムスピント型フィールドエミッタアレイの作製 ○近藤 駿（成蹊大/産総研）・中野武雄・モハメッド シュルズ ミヤ（成蹊大）・長尾昌善・村田博雅（産総研）  ED2023-41 |
我々は、イオン化スパッタリング技術の一種である三極型大電力パルススパッタリング法（t-HPPMS）を用いたスピント型エミ... [more] | ED2023-41 pp.11-14 |
| SDM | 2023-06-26 12:10 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | 熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価 ○佐野友之輔（名大）・田岡紀之（愛知工大）・牧原克典（名大）・大田晃生（福岡大）・宮﨑誠一（名大） SDM2023-31 |
Hf系酸化物のOrthorhombic(O)相は~5.0nmの超薄膜においても強誘電性を示すが、準安定相であるため、形成... [more] | SDM2023-31 pp.15-18 |
| ED | 2022-12-08 14:10 |
愛知 | 12/8 名大，12/9 ウインク愛知（会場は「詳細はこちら」を参照ください） | 直流および高周波マグネトロンスパッタ法により成膜した窒化ハフニウム薄膜の仕事関数の測定 ○大住知暉（京大）・長尾昌善（産総研）・後藤康仁（京大） ED2022-53 |
直流および高周波マグネトロンスパッタ法を用い, 成膜時に導入するガスの窒素流量比を変化させ, 窒素組成の異なる窒化ハフニ... [more] | ED2022-53 pp.15-17 |
| SDM | 2022-06-21 14:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響 ○安田 航・田岡紀之・大田晃生・牧原克典・宮﨑誠一（名大） SDM2022-26 |
斜方晶Hf系酸化物は5 -10 nmの薄膜においても強誘電性を示すことが知られている。一方で、斜方晶Hf系酸化物は、準安... [more] | SDM2022-26 pp.9-12 |
| SCE | 2017-10-04 15:00 |
宮城 | 東北大学 | COBAND実験に用いるHf-STJの開発研究 ○武政健一・金 信弘・武内勇司・飯田崇史・浅野千紗・若狭玲那・笠島誠嘉・菅野洋信（筑波大）・COBAND 実験コラボレータ SCE2017-21 |
宇宙背景ニュートリノ崩壊探索実験（COBAND実験)に用いる遠赤外一光子分光が可能な検出器として、ハフニウムを用いた超電... [more] | SCE2017-21 pp.1-4 |
| MRIS, ITE-MMS, IEE-MAG (連催) |
2016-03-04 13:10 |
愛知 | 名古屋大学 | 強誘電性Y:HfO2薄膜におけるナノスケールドメイン反転 ○陳 舟・平永良臣（東北大）・清水荘雄・片山きりは・三村和仙・舟窪 浩（東工大）・長 康雄（東北大） MR2015-34 |
近年，Y:HfO2薄膜など，酸化ハフニウム薄膜の強誘電性が相続き証明された．しかしながら，これまでの研究では，直接的に強... [more] | MR2015-34 pp.29-32 |
| SDM | 2014-06-19 09:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計 ○淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2014-43 |
高性能Ge-MOSFET実現には、1 nm以下のSiO2換算膜厚（Equivalent Oxide Thickness:... [more] | SDM2014-43 pp.1-5 |
| ED | 2014-04-18 09:50 |
山形 | 山形大学工学部百周年記念会館 | プラズマ励起原子層堆積法による室温酸化ハフニウム成膜 ○鹿又健作・大場尚志・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・平原和弘・廣瀬文彦（山形大） ED2014-13 |
我々はtetrakis(ethylmethylamino)hafnium(TEMAH)とプラズマ励起水蒸気を用いたハフニ... [more] | ED2014-13 pp.51-54 |
| ED | 2010-10-26 09:55 |
京都 | 宇治おうばくプラザ(京都大学） | 窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイを用いた真空トランジスタの周波数特性 ○池田啓太・大上 航・後藤康仁・辻 博司（京大） ED2010-137 |
フィールドエミッタアレイ（FEA）を用いた真空トランジスタの開発を行った。相互コンダクタンスの改善のため、約40,000... [more] | ED2010-137 pp.47-50 |
| ED | 2009-10-15 15:05 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部（旧地域共同研究センター） ３階 研修室 | 窒化ハフニウム電界放出電子源の動作特性 ○後藤康仁・池田啓太・宮田雄高・遠藤恵介・辻 博司（京大） ED2009-119 |
窒化ハフニウム(HfN)を陰極とする1,024-tipの微小電子源アレイ(FEA)を製作し、 三極管構成でその電子放出... [more] |
ED2009-119 pp.17-20 |
| ED | 2006-08-03 16:30 |
大阪 | 大阪大学 コンベンションセンター | TFT制御FED ○長尾昌善・安室千晃・坂村祐一・金丸正剛・伊藤順司（産総研） |
フィールドエミッションディスプレイの各画素のフィールドエミッタアレイ（FEA）を薄膜トランジスタ（TFT）で制御する”T... [more] | ED2006-126 pp.47-52 |
| SDM | 2006-06-21 13:25 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | HfO2/Ge(100)構造における光電子分光分析 ○中川 博・大田晃生・安部浩透・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） |
化学溶液洗浄したGe(100)基板上に反応性電子ビーム(EB)蒸着により堆積した極薄HfO2膜(膜厚2.1... [more] | SDM2006-43 pp.7-12 |
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