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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
VLD, HWS
(共催) [詳細]
2022-03-07
14:05
ONLINE オンライン開催 間欠動作を行うIoT向けプロセッサに適したFiCC型不揮発フリップフロップの実測評価
阿部佑貴小林和淑京都工繊大)・越智裕之立命館大VLD2021-85 HWS2021-62
近年, IoT (Internet of Things)やモバイルデバイスの普及に伴い, そのバッテリ駆動時間延長のため... [more] VLD2021-85 HWS2021-62
pp.45-50
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2021-03-26
14:40
ONLINE オンライン開催 不揮発性素子を用いたノンストッププロセッサ
中別府将太杉山尚央山﨑信行慶大)・鈴木健太平賀啓三神田泰夫ソニーセミコンダクタソリューションズCPSY2020-66 DC2020-96
特定の機能を満たすために機器に組み込まれるコンピュータシステムを組込みシステムという.組込みシ
ステムの例としてウェア... [more]
CPSY2020-66 DC2020-96
pp.97-102
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2020-11-18
14:00
ONLINE オンライン開催 不揮発フリップフロップを利用した個体認証技術PUFの検討とモデル化攻撃への耐性評価
石原浩樹宇佐美公良芝浦工大VLD2020-37 ICD2020-57 DC2020-57 RECONF2020-56
近年、LSIの模造品が問題となっており、LSIの製造ばらつきを利用したセキュリティ技術としてPUFが盛んに研究されている... [more] VLD2020-37 ICD2020-57 DC2020-57 RECONF2020-56
pp.139-144
HWS, VLD
(共催) [詳細]
2020-03-04
13:00
沖縄 沖縄県青年会館
(開催中止,技報発行あり)
2電源を用いた不揮発性フリップフロップの提案と評価
秋葉爽輔宇佐美公良芝浦工大VLD2019-99 HWS2019-72
LSIのリーク電力削減手法の1つに、磁気トンネル接合(MTJ:Magnetic Tunnel Junction)素子を利... [more] VLD2019-99 HWS2019-72
pp.31-36
DC 2019-02-27
15:35
東京 機械振興会館 電源ノイズの影響を考慮したフリップフロップの耐性改善
木下湧矢三浦幸也首都大東京DC2018-82
近年,VLSI回路の微細化や電源電圧の低下に伴い,IR-dropのような電源ノイズによる回路動作への影響が問題となってい... [more] DC2018-82
pp.67-72
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2018-12-07
09:25
広島 サテライトキャンパスひろしま トランジスタサイズを変えた記憶保持特性の異なるフリップフロップ群を利用したばらつき評価
深澤研人西澤真一伊藤和人埼玉大VLD2018-66 DC2018-52
トランジスタの特性ばらつきをフリップフロップの記憶保持特性を用いて推定する.集積回路中に記憶素子として存在するスキャンフ... [more] VLD2018-66 DC2018-52
pp.189-193
VLD, HWS
(併催)
2018-02-28
17:20
沖縄 沖縄県青年会館 FDSOIに適したスタック構造におけるソフトエラー対策手法の提案・評価と微細化による影響の評価
丸岡晴喜山田晃大榎原光則古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2017-103
トランジスタサイズの微細化に伴い、ソフトエラーにより集積回路の信頼性が低下している。本稿では65 nm FDSOI プロ... [more] VLD2017-103
pp.85-90
VLD, HWS
(併催)
2018-02-28
17:45
沖縄 沖縄県青年会館 65 nm FDSOIプロセスのトランジスタモデルの違いによるフリップフロップのソフトエラー耐性の実測と評価
榎原光則丸岡晴喜山田晃大古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2017-104
ムーアの法則に従い, 集積回路 (LSI)が微細化することで, PCやスマートフォン
といった高性能な製品を作れるよう... [more]
VLD2017-104
pp.91-96
VLD, HWS
(併催)
2018-03-02
10:30
沖縄 沖縄県青年会館 Verify機能を備えた不揮発性フリップフロップの再構成アクセラレータCool Mega-Arrayへの適用とエネルギー評価
赤池純也宇佐美公良工藤 優芝浦工大)・天野英晴池添赳治慶大)・平賀啓三周藤悠介屋上公二郎ソニーセミコンダクタソリューションズVLD2017-122
フリップフロップの消費電力を低減するための手法として、不揮発性素子である磁気トンネル接合(Magnetic Tunnel... [more] VLD2017-122
pp.199-204
DC 2018-02-20
16:35
東京 機械振興会館 電源ノイズによるフリップフロップ回路の動作への影響とその対策の提案
井上美優紀三浦幸也首都大東京DC2017-88
近年,VLSI回路の微細化や電源電圧の低下に伴い,IR-dropのような電源ノイズによる回路動作への影響が問題となってい... [more] DC2017-88
pp.67-72
VLD 2017-03-01
14:25
沖縄 沖縄県青年会館 ストア/リストア分離型不揮発性フリップフロップにおけるパワーゲーティング技術の有効性評価
工藤 優宇佐美公良芝浦工大VLD2016-103
本稿では不揮発性パワーゲーティングを実現するために必要な不揮発性フリップフロップ回路(NVFF)について議論する。従来の... [more] VLD2016-103
pp.7-12
CPSY, RECONF, VLD
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2017-01-25
10:15
神奈川 慶大日吉キャンパス Verify機能を備えた不揮発性フリップフロップの提案と評価
赤池純也宇佐美公良芝浦工大VLD2016-97 CPSY2016-133 RECONF2016-78
近年、携帯情報端末の普及に伴い、高性能かつ低消費電力な製品が求められるようになってきた。そこで、フリップフロップの消費電... [more] VLD2016-97 CPSY2016-133 RECONF2016-78
pp.175-180
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-28
15:05
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス 重イオン照射測定によるFDSOIにおけるFFのソフトエラー耐性の評価
一二三 潤梅原成宏丸岡晴喜古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2016-51 DC2016-45
微細プロセスではレイアウト構造を変更することで様々な影響が及ぶ.本研究では 28 nm と 65 nm の FDSOI ... [more] VLD2016-51 DC2016-45
pp.43-48
DC 2016-02-17
16:05
東京 機械振興会館 電源ノイズによるFF回路の動作への影響に関する研究
山本拓弥三浦幸也首都大東京DC2015-96
近年,VLSI回路の微細化,低電圧化が進むにつれて,IR-drop のような電源ノイズが論理回路,特にSRAM(stat... [more] DC2015-96
pp.61-66
ICD 2015-04-17
13:30
長野 信州大学 [依頼講演]強誘電体キャパシタを用いた長期データ保持可能な低消費電力不揮発フリップフロップの構成
木村啓明淵上貴昭丸本共治藤森敬和ローム)・和泉慎太郎川口 博吉本雅彦神戸大ICD2015-11
本稿では,不揮発フリップフロップの低消費電力LSI応用に向け,電源オフ期間にデータ保持する強誘電体キャパシタのリテンショ... [more] ICD2015-11
pp.51-55
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
14:00
京都 京都大学 Poly-Si TFTを用いた同期回路と非同期回路の特性評価
永瀬洋介龍谷大)・松田時宜木村 睦阪大)・松本健俊小林 光龍谷大EID2014-25 SDM2014-120
我々はPoly-Si TFTを用いて2入力,3入力のNAND回路を作製し,動作検証を行った.3入力は2入力と比較して出力... [more] EID2014-25 SDM2014-120
pp.61-65
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2014-11-26
09:15
大分 ビーコンプラザ(別府国際コンベンションセンター) タイミングエラーへの耐性を持つフリップフロップ設計
鈴木大渡史 又華戸川 望早大)・宇佐美公良芝浦工大)・柳澤政生早大VLD2014-79 DC2014-33
集積回路の微細化の影響により,回路のばらつきが大きくなっており,設計に必要な電源電圧やクロック周波数のマージンが増大して... [more] VLD2014-79 DC2014-33
pp.45-50
ICD 2014-04-18
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ
小池洋紀東北大)・崎村 昇根橋竜介辻 幸秀森岡あゆ香三浦貞彦本庄弘明杉林直彦NEC)・大澤 隆池田正二羽生貴弘大野英男遠藤哲郎東北大ICD2014-17
磁気トンネル接合素子(MTJ)による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路(NV-F/F)を用いた,パワーゲーティング... [more] ICD2014-17
pp.85-90
LQE, OCS, OPE
(共催)
2013-10-25
09:25
福岡 門司港・海峡ロマンホール 一方向発振半導体リングレーザの実現に向けたTEモード半導体光アイソレータの性能評価
阪西祥平坂東敬広清水大雅東京農工大OCS2013-65 OPE2013-111 LQE2013-81
半導体光アイソレータは,強磁性金属の磁化による横磁気光学カー効果を利用した光アイソレータであり,半導体光学素子との一体集... [more] OCS2013-65 OPE2013-111 LQE2013-81
pp.81-84
OPE, LQE, CPM, EMD, R
(共催)
2013-08-30
13:55
北海道 サンリフレ函館 半導体量子井戸マイクロリングレーザの隣接発振波長を用いた全光フリップフロップとインバータ動作
宮本富成梅原 周小林広樹谷口理一カトフ レドワン荒川太郎國分泰雄横浜国大R2013-56 EMD2013-62 CPM2013-81 OPE2013-85 LQE2013-55
活性層にInGaAs/InGaAsP多重量子井戸(層厚240nm)を用いたマイクロリングレーザにおいて,異なる2つの隣接... [more] R2013-56 EMD2013-62 CPM2013-81 OPE2013-85 LQE2013-55
pp.137-142
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