研究会 |
発表日時 |
開催地 |
タイトル・著者 |
抄録 |
資料番号 |
ICD |
2023-04-10 09:55 |
神奈川 |
川崎市産業振興会館10階第4会議室 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[依頼講演]間欠動作を行うIoT向けプロセッサに適したFiCCを用いた不揮発ストレージセル ○阿部佑貴・小林和淑(京都工繊大)・塩見 準(阪大)・越智裕之(立命館大) |
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more] |
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VLD, HWS (共催) [詳細] |
2022-03-07 14:05 |
ONLINE |
オンライン開催 |
間欠動作を行うIoT向けプロセッサに適したFiCC型不揮発フリップフロップの実測評価 ○阿部佑貴・小林和淑(京都工繊大)・越智裕之(立命館大) VLD2021-85 HWS2021-62 |
近年, IoT (Internet of Things)やモバイルデバイスの普及に伴い, そのバッテリ駆動時間延長のため... [more] |
VLD2021-85 HWS2021-62 pp.45-50 |
CPSY, DC (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2021-03-26 14:40 |
ONLINE |
オンライン開催 |
不揮発性素子を用いたノンストッププロセッサ ○中別府将太・杉山尚央・山﨑信行(慶大)・鈴木健太・平賀啓三・神田泰夫(ソニーセミコンダクタソリューションズ) CPSY2020-66 DC2020-96 |
特定の機能を満たすために機器に組み込まれるコンピュータシステムを組込みシステムという.組込みシ
ステムの例としてウェア... [more] |
CPSY2020-66 DC2020-96 pp.97-102 |
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM (連催) (併催) [詳細] |
2020-11-18 14:00 |
ONLINE |
オンライン開催 |
不揮発フリップフロップを利用した個体認証技術PUFの検討とモデル化攻撃への耐性評価 ○石原浩樹・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2020-37 ICD2020-57 DC2020-57 RECONF2020-56 |
近年、LSIの模造品が問題となっており、LSIの製造ばらつきを利用したセキュリティ技術としてPUFが盛んに研究されている... [more] |
VLD2020-37 ICD2020-57 DC2020-57 RECONF2020-56 pp.139-144 |
HWS, VLD (共催) [詳細] |
2020-03-04 13:00 |
沖縄 |
沖縄県青年会館 (開催中止,技報発行あり) |
2電源を用いた不揮発性フリップフロップの提案と評価 ○秋葉爽輔・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2019-99 HWS2019-72 |
LSIのリーク電力削減手法の1つに、磁気トンネル接合(MTJ:Magnetic Tunnel Junction)素子を利... [more] |
VLD2019-99 HWS2019-72 pp.31-36 |
DC |
2019-02-27 15:35 |
東京 |
機械振興会館 |
電源ノイズの影響を考慮したフリップフロップの耐性改善 ○木下湧矢・三浦幸也(首都大東京) DC2018-82 |
近年,VLSI回路の微細化や電源電圧の低下に伴い,IR-dropのような電源ノイズによる回路動作への影響が問題となってい... [more] |
DC2018-82 pp.67-72 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-07 09:25 |
広島 |
サテライトキャンパスひろしま |
トランジスタサイズを変えた記憶保持特性の異なるフリップフロップ群を利用したばらつき評価 ○深澤研人・西澤真一・伊藤和人(埼玉大) VLD2018-66 DC2018-52 |
トランジスタの特性ばらつきをフリップフロップの記憶保持特性を用いて推定する.集積回路中に記憶素子として存在するスキャンフ... [more] |
VLD2018-66 DC2018-52 pp.189-193 |
VLD, HWS (併催) |
2018-02-28 17:20 |
沖縄 |
沖縄県青年会館 |
FDSOIに適したスタック構造におけるソフトエラー対策手法の提案・評価と微細化による影響の評価 ○丸岡晴喜・山田晃大・榎原光則・古田 潤・小林和淑(京都工繊大) VLD2017-103 |
トランジスタサイズの微細化に伴い、ソフトエラーにより集積回路の信頼性が低下している。本稿では65 nm FDSOI プロ... [more] |
VLD2017-103 pp.85-90 |
VLD, HWS (併催) |
2018-02-28 17:45 |
沖縄 |
沖縄県青年会館 |
65 nm FDSOIプロセスのトランジスタモデルの違いによるフリップフロップのソフトエラー耐性の実測と評価 ○榎原光則・丸岡晴喜・山田晃大・古田 潤・小林和淑(京都工繊大) VLD2017-104 |
ムーアの法則に従い, 集積回路 (LSI)が微細化することで, PCやスマートフォン
といった高性能な製品を作れるよう... [more] |
VLD2017-104 pp.91-96 |
VLD, HWS (併催) |
2018-03-02 10:30 |
沖縄 |
沖縄県青年会館 |
Verify機能を備えた不揮発性フリップフロップの再構成アクセラレータCool Mega-Arrayへの適用とエネルギー評価 ○赤池純也・宇佐美公良・工藤 優(芝浦工大)・天野英晴・池添赳治(慶大)・平賀啓三・周藤悠介・屋上公二郎(ソニーセミコンダクタソリューションズ) VLD2017-122 |
フリップフロップの消費電力を低減するための手法として、不揮発性素子である磁気トンネル接合(Magnetic Tunnel... [more] |
VLD2017-122 pp.199-204 |
DC |
2018-02-20 16:35 |
東京 |
機械振興会館 |
電源ノイズによるフリップフロップ回路の動作への影響とその対策の提案 ○井上美優紀・三浦幸也(首都大東京) DC2017-88 |
近年,VLSI回路の微細化や電源電圧の低下に伴い,IR-dropのような電源ノイズによる回路動作への影響が問題となってい... [more] |
DC2017-88 pp.67-72 |
VLD |
2017-03-01 14:25 |
沖縄 |
沖縄県青年会館 |
ストア/リストア分離型不揮発性フリップフロップにおけるパワーゲーティング技術の有効性評価 ○工藤 優・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2016-103 |
本稿では不揮発性パワーゲーティングを実現するために必要な不揮発性フリップフロップ回路(NVFF)について議論する。従来の... [more] |
VLD2016-103 pp.7-12 |
CPSY, RECONF, VLD (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2017-01-25 10:15 |
神奈川 |
慶大日吉キャンパス |
Verify機能を備えた不揮発性フリップフロップの提案と評価 ○赤池純也・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2016-97 CPSY2016-133 RECONF2016-78 |
近年、携帯情報端末の普及に伴い、高性能かつ低消費電力な製品が求められるようになってきた。そこで、フリップフロップの消費電... [more] |
VLD2016-97 CPSY2016-133 RECONF2016-78 pp.175-180 |
VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-28 15:05 |
大阪 |
立命館大学大阪いばらきキャンパス |
重イオン照射測定によるFDSOIにおけるFFのソフトエラー耐性の評価 ○一二三 潤・梅原成宏・丸岡晴喜・古田 潤・小林和淑(京都工繊大) VLD2016-51 DC2016-45 |
微細プロセスではレイアウト構造を変更することで様々な影響が及ぶ.本研究では 28 nm と 65 nm の FDSOI ... [more] |
VLD2016-51 DC2016-45 pp.43-48 |
DC |
2016-02-17 16:05 |
東京 |
機械振興会館 |
電源ノイズによるFF回路の動作への影響に関する研究 ○山本拓弥・三浦幸也(首都大東京) DC2015-96 |
近年,VLSI回路の微細化,低電圧化が進むにつれて,IR-drop のような電源ノイズが論理回路,特にSRAM(stat... [more] |
DC2015-96 pp.61-66 |
ICD |
2015-04-17 13:30 |
長野 |
信州大学 |
[依頼講演]強誘電体キャパシタを用いた長期データ保持可能な低消費電力不揮発フリップフロップの構成 ○木村啓明・淵上貴昭・丸本共治・藤森敬和(ローム)・和泉慎太郎・川口 博・吉本雅彦(神戸大) ICD2015-11 |
本稿では,不揮発フリップフロップの低消費電力LSI応用に向け,電源オフ期間にデータ保持する強誘電体キャパシタのリテンショ... [more] |
ICD2015-11 pp.51-55 |
SDM, EID (共催) |
2014-12-12 14:00 |
京都 |
京都大学 |
Poly-Si TFTを用いた同期回路と非同期回路の特性評価 ○永瀬洋介(龍谷大)・松田時宜・木村 睦(阪大)・松本健俊・小林 光(龍谷大) EID2014-25 SDM2014-120 |
我々はPoly-Si TFTを用いて2入力,3入力のNAND回路を作製し,動作検証を行った.3入力は2入力と比較して出力... [more] |
EID2014-25 SDM2014-120 pp.61-65 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2014-11-26 09:15 |
大分 |
ビーコンプラザ(別府国際コンベンションセンター) |
タイミングエラーへの耐性を持つフリップフロップ設計 ○鈴木大渡・史 又華・戸川 望(早大)・宇佐美公良(芝浦工大)・柳澤政生(早大) VLD2014-79 DC2014-33 |
集積回路の微細化の影響により,回路のばらつきが大きくなっており,設計に必要な電源電圧やクロック周波数のマージンが増大して... [more] |
VLD2014-79 DC2014-33 pp.45-50 |
ICD |
2014-04-18 15:15 |
東京 |
機械振興会館 |
[依頼講演]MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ ○小池洋紀(東北大)・崎村 昇・根橋竜介・辻 幸秀・森岡あゆ香・三浦貞彦・本庄弘明・杉林直彦(NEC)・大澤 隆・池田正二・羽生貴弘・大野英男・遠藤哲郎(東北大) ICD2014-17 |
磁気トンネル接合素子(MTJ)による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路(NV-F/F)を用いた,パワーゲーティング... [more] |
ICD2014-17 pp.85-90 |
LQE, OCS, OPE (共催) |
2013-10-25 09:25 |
福岡 |
門司港・海峡ロマンホール |
一方向発振半導体リングレーザの実現に向けたTEモード半導体光アイソレータの性能評価 ○阪西祥平・坂東敬広・清水大雅(東京農工大) OCS2013-65 OPE2013-111 LQE2013-81 |
半導体光アイソレータは,強磁性金属の磁化による横磁気光学カー効果を利用した光アイソレータであり,半導体光学素子との一体集... [more] |
OCS2013-65 OPE2013-111 LQE2013-81 pp.81-84 |