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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2012-10-25
16:35
宮城 東北大学未来研 温度制御型フォトリフレクタンス分光法を用いたプラズマ誘起Si基板ダメージの定量化とそのプロファイル解析
松田朝彦中久保義則鷹尾祥典江利口浩二斧 高一京大
プラズマエッチング時のソースドレインエクステンション領域でのSi基板ダメージは,MOSFET劣化の要因として問題となって... [more]
ED 2011-07-29
16:35
新潟 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター フォトニック結晶構造作製を目的とした高Al組成AlGaAs誘導結合型プラズマエッチング
北林佑太望月雅矢石川史太郎近藤正彦阪大ED2011-44
本研究ではフォトニック結晶作製を目的とした,Cl$_2$/BCl$_3$/CH$_4$を用いた高Al組成AlGaAs誘導... [more] ED2011-44
pp.35-39
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
15:30
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 Characterization of plasma etching effects on p-type GaN by capacitance measurements of Schottky diodes
Masashi KatoKazuki MikamoMasaya IchimuraNagoya Inst. of Tech.)・Masakazu KanechikaOsamu IshiguroTetsu KachiToyota Central R&D Labs.
GaNは大電力半導体素子への応用が期待される半導体材料であり,GaNの大電力素子を作製する上でp型層の形成とエッチングプ... [more]
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
15:55
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 Analysis of plasma etching damages in GaN by excess carrier lifetime measurements
Masashi KatoKeisuke FukushimaMasaya IchimuraNagoya Inst. of Tech.)・Masakazu KanechikaOsamu IshiguroTetsu KachiToyota Central R&D Labs.
窒化ガリウム(GaN)は高出力,高周波デバイスへの応用が期待されており,GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチ... [more]
SDM, ED, CPM
(共催)
2007-05-25
11:20
静岡 静岡大学 浜松キャンパス ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価
加藤正史三鴨一輝市村正也名工大)・兼近将一石黒 修加地 徹豊田中研
GaNは大電力半導体素子への応用が期待される半導体材料であり、GaNの大電力素子を作製する上でエッチングプロセスは必要不... [more]
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